“C01B32/188”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法及石墨烯阵列-CN202210810573.5有效
发明人：丁利苹;曾佳豪;苏莹;李兰;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法，包括：步骤1，在碳化硅泡沫表面涂覆B2O3，然后在氧气氛围中进行热处理，得到P型碳化硅泡沫；步骤2，对P型碳化硅泡沫进行退火，得到碳化硅泡沫衬底；步骤3，对碳化硅泡沫衬底进行热解外延石墨烯，得到表面长有石墨烯薄膜的碳化硅泡沫；步骤4，将表面长有石墨烯薄膜的碳化硅泡沫进行物理气相传输处理，得到表面长有石墨烯阵列的碳化硅泡沫；步骤5，从表面长有石墨烯阵列的碳化硅泡沫表面剥离得到石墨烯阵列。本发明能够克服单晶碳化硅外延石墨烯的高成本和石墨烯团聚的缺点。
一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨阵列方法

[发明专利]一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜-CN202110202823.2有效
发明人：张翼;靳少恩;王灿 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜，属于二维材料制备领域。方法包括在超高真空条件下，在碳化硅晶片上，通过控制所述碳化硅晶片温度热解碳化硅，再在氮等离子体气氛下热解碳化硅生长石墨烯薄膜的步骤。采用本发明中氮等离子体辅助的制备方法，能够精确控制得到大面积单层或双层石墨烯，所得的单层或双层石墨烯层数精准，无裸露空洞或多层岛的出现，为二维材料制备领域提供了一种层数精确可控的大面积平整石墨烯薄膜的生长技术。
一种具有均一平整石墨生长方法单层双层薄膜

[发明专利]一种原位异质外延石墨烯包覆硅材料制备方法-CN202211164536.8在审
发明人：张新民;侯曲健;罗新波;陈孟;沈极;周苏州 -专利权人：苏州联鑫新材料技术有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位异质外延石墨烯包覆硅材料制备方法，包括以下步骤：除杂步骤：采用磁选设备对硅原料中的磁性杂质进行去除，并对硅原材料进行清洗后进行烘干；纳米化步骤：采用砂磨设备对硅原料进行纳米化处理，获得具有不同粒径尺寸硅颗粒；硅碳前驱体合成步骤：利用原位低温热解法对硅颗粒和氟碳自由基进行反应，通过氟碳自由基，与Si原位反应，进行可控制备Si@SiC复合核壳纳米颗粒；本发明采用原位异质外延石墨烯包覆硅材料，使得硅碳复合负极成本得到降低、并且使得碳包覆均匀较好，从而实现了硅碳负极材料的规模化量产及装车应用示范，对提升锂离子电池产业技术水平和市场竞争力具有重要的促进作用。
一种原位外延石墨烯包覆硅材料制备方法

[发明专利]一种激光加热制备外延石墨烯的方法-CN201911222939.1有效
发明人：涂溶;章嵩;张联盟 -专利权人：气相科技（武汉）有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加热制备外延石墨烯的方法，具体步骤如下：1)将SiC基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体，向腔体内通入高纯Ar气，调节腔体内气体压强为1000～10000Pa；2)开启激光照射SiC基板，使基板表面温度以400～600℃/s的速率升温至1500～2000℃，继续照射1～5min；3)调节激光功率，使基板表面温度以100～200℃/s的速率降温至600℃，自然冷却至室温，在SiC基板表面得到外延石墨烯。本发明方法能够快速制备大生长面积外延石墨烯，制备的外延石墨烯具有高导电性，层数可控，晶体质量高的特点。
一种激光加热制备外延石墨方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法-CN201911030351.6有效
发明人：朱虹延;吴天如;陈吉;张超;时志远;于广辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料制备技术领域，特别涉及一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：在碳化硅基底上设置催化剂得到反应样品；将所述反应样品加热至第一预设温度；将所述反应样品保温第一预设时长；其中，所述催化剂的熔点低于第一预设温度，所述催化剂的沸点高于第一预设温度；所述碳化硅基底包含的硅原子能够溶解在液态的所述催化剂中。本发明采用液态催化剂，以碳化硅为基底及固态碳源，通过高温催化碳化硅热分解，并在液态催化剂中溶解硅原子，剩余碳原子在液态催化剂与碳化硅的界面处重排，生成石墨烯。无需额外气态碳源，降低了制备过程中的工艺难度，且所得石墨烯无需转移，在电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
一种石墨薄膜制备方法

[实用新型]一种石墨烯生产加工用生长炉-CN202220453084.4有效
发明人：陈伟元;杨凯 -专利权人：深圳市赛姆烯金科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯生产加工用生长炉，包括底座，所述底座的上端左部和上端右部之间共同固定连接有升降机构，所述升降机构的下端中部固定连接有炉盖，所述底座的上端前部固定连接有控制器，所述底座的下端四角均固定连接有支撑脚，所述底座的下端中部固定连接有制冷箱，且制冷箱的下端面与四个支撑脚的下端面齐平，所述制冷箱的前端下部穿插固定连接有制冷机构，所述底座的上端中部固定连接有炉体。本实用新型所述的一种石墨烯生产加工用生长炉，通过设置升降机构和移动机构，便于对炉体和炉盖进行固定或分离，提高了安全性，通过设置制冷机构，可对石墨烯进行快速冷却，缩短石墨烯材料的加工时间，适合广泛使用。
一种石墨生产工用生长

[发明专利]带有石墨烯前驱体的SiC基板的制备方法和SiC基板的表面处理方法-CN201780026028.4有效
发明人：金子忠昭;久津间保德;堂岛大地 -专利权人：学校法人关西学院
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：包括石墨烯前驱体形成工艺，在该石墨烯前驱体形成工艺中，通过加热SiC基板，使该SiC基板表面的Si面上的Si原子升华以形成石墨烯前驱体，并在石墨烯覆盖该石墨烯前驱体之前停止加热。在石墨烯前驱体形成工艺中处理的SiC基板上形成有由多级的分子层组成的台阶。在台阶上形成有以下的台阶结构：与一个C原子的悬空键的分子层相比，二个C原子的悬空键的分子层设置得更靠近所述表面侧。
带有石墨前驱 sic 制备方法表面处理

[发明专利]一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法-CN201911013432.5有效
发明人：惠欣;胡廷伟;杨东;马飞;马大衍;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明公开一种大面积单层石墨烯的制备技术，利用插层技术对缓冲层进行In原子插层，原来只有缓冲层的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间并使缓冲层转变为石墨烯，一方面制备出单层大面积的石墨烯，另一方面降低了石墨烯的制备温度。原缓冲层与单层外延石墨烯共存的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间，缓冲层变为石墨烯并与原有的外延石墨烯完美相连，形成大面积的单层石墨烯。此外，插层形成的石墨烯与衬底的相互作用较弱，为分离态的石墨烯，达到了离化的效果。用这种技术不仅可以制备出大面积的石墨烯，还可以控制石墨烯的层厚，这对于相关微电子、超导以及应变工程等领域的应用提供重要的指导与借鉴价值。
一种利用金属大面积制备单层石墨方法

[发明专利]一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法-CN201811042914.9有效
发明人：张学富;王浩敏;吴天如;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
一种低温制备石墨烯单晶晶圆方法

[实用新型]一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置-CN202022273276.0有效
发明人：李帅;刘耀华;冯琳琳;秦莉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，该装置包括坩埚和石墨板，坩埚的上方和下方均设置有电子束发射机构，电子束发射机构用于向坩埚发射电子束；石墨板设置在坩埚内部，且沿坩埚的轴向延伸，石墨板上开设有多个安装槽，安装槽用于放置碳化硅衬底。通过坩埚上方和下方设置的电子束发射机构，对坩埚进行加热，电子束冲击坩埚，使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上，坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量，由于瞬时高温，碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华，使其表面平整化，避免了氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面表面硅富集严重削减的问题，且多个安装槽的设置，可实现多个衬底同时生产石墨烯，提高了石墨烯生长的质量和数量。
一种碳化硅衬底外延生长石墨装置

[发明专利]一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法-CN201711407747.9有效
发明人：李赟;赵志飞;王翼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明是一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法，包括如下工艺步骤：(1)选取碳化硅衬底；(2)对衬底进行原位氢气刻蚀，以在衬底表面刻蚀出平直台阶为标准；(3)用氩气将反应室压力充气至大气压；(4)将反应室内氩气排空；(5)关闭分子泵，向反应室通入氩气；(6)保持氩气流量和反应室压力不变，开启基座气浮旋转；(7)向反应室通入工艺气体辅助石墨烯碳化，并控制工艺气体和氩气流量比；(8)关闭加热，关闭工艺气体，将反应室压力充至大气压，开腔取片。本发明可实现层数可控石墨烯薄膜的生长，该方法重复性好，工艺简单易行兼容现有热分解工艺，适用于商业化高温炉，可用于批量生产，具有较好的推广价值。
一种工艺气体辅助石墨薄膜生长方法

[发明专利]一种异形多孔石墨烯及其制备方法和应用-CN201910603439.6有效
发明人：阎兴斌;苏利军 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及多孔碳材料技术领域，具体涉及一种异形多孔石墨烯及其制备方法和应用。本发明提供了一种异形多孔石墨烯，由石墨烯纳米片形成的结构单元组成，孔形貌为线型分布的蠕虫状纳米孔。本发明提供的异形多孔石墨烯具有蠕虫状超小纳米孔结构，且具有良好的导电性和较大的比表面积，在超级电容器电极材料、导电填充材料、生物传感材料和污水处理等方面具有较高的应用价值。
一种异形多孔石墨及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法-CN202010419518.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨鹏谦科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明解决了目前制备碳化硅石墨烯衬底外延材料时存在的缺陷问题。本发明提供了一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，包括碳化硅基层的生长，碳化硅‑石墨烯层的生长，利用衬底制备专用设备对碳化硅‑石墨烯复合层进行加工，获得碳化硅石墨烯外延晶体材料，切割后得到的碳化硅晶体再次生长石墨烯，再次经过加工后得到碳化硅石墨烯衬底外延材料，依次反复操作，即可获得工业化碳化硅石墨烯衬底外延材料。
一种碳化硅石墨衬底外延材料制备方法

[发明专利]一种石墨烯半导体制备装置及方法-CN202010378114.5在审
发明人：吕尊华;李继森;司崇殿 -专利权人：山东华达新材料有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯半导体制备装置及方法，一种石墨烯半导体制备方法，包括以下步骤：I、提供SiC衬底，利用氢气刻蚀；II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温；III、在超高真空的环境下，形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜；IV：形成石墨烯半导体复合材料。一种石墨烯半导体制备装置，包括：氢气刻蚀模块；C原子自组装模块；同质外延成长模块；反应合成模块。本发明不仅可以获得大面积、高质量的石墨烯，而且所获得的石墨烯具有较好的均一性，且与当前的集成电路技术有很好的兼容性；同时利用了半导体材料的优点与石墨烯的特性，实现了石墨烯的制备及其与半导体材料复合同时进行，具有广泛的适用性。
一种石墨半导体制备装置方法

[发明专利]一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法-CN201710399638.0有效
发明人：于法鹏;张晶;杨志远;孙丽;李妍璐;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法，该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯，有利于与石墨烯形成异质结，石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长，控制六方氮化硼溶液的浓度，确保石墨烯的成核密度，避免了传统CVD工艺在衬底上生长石墨烯非相关成核点的自重构，显著提高了石墨烯生长质量。
一种氮化籽晶生长大晶畴石墨方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 39 条