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[发明专利]一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法-CN201710533785.2有效
发明人：李辉;宋二兵;白鹏飞;邓吉利;姚然;郑媚媚;胡姚刚;柴兆森;何蓓 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明涉及一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法，属于电力电子器件技术领域。该方法具体包括：利用机侧变流器端三相电压，计算合成电压矢量大小及其相位，通过判断合成电压大小，确定其在扇区中的位置，当其处于低调制度时，通过降低不同扇区中损耗最大器件的工作时间，同时考虑新电的开关顺序对中性点的影响，获得改进调制策略，从而实现降低三电平变流器功耗最大器件的损耗和结温的目的。该有效降低双馈抽水蓄能机组用三电平变流器功耗最大器件损耗和结温，为提高IGBT器件运行可靠性及其使用寿命提供技术支持。
一种抽水蓄能机组电平变流器降低损耗调制方法

[发明专利]一种横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201910806844.8有效
发明人：张金平;赵阳;王康;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层，增强了漂移区电导调制效应，减小了器件导通压降；用分离栅包裹栅电极，减小密勒电容，降低关断时间，减小关断损耗，改善正向导通压降(Vceon)和关断损耗(Eoff)的折中；能够减少器件的栅电荷，减少对驱动电路能力的要求；降低了驱动损耗；优化了电流下降速率(di/dt)与导通损耗(Eon)的折衷特性；槽栅底部的厚氧化层能够降低沟槽拐角处的电场，缓解了沟槽底部尖角处的电场集中，有效提高了器件的击穿电压；提高了期间的可靠性；薄的栅氧化层能够降低器件的阈值电压，并能提高闩锁电流密度。
一种横向绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]损耗确定方法、装置、设备、存储介质和程序产品-CN202210506720.X在审
发明人：彭光强;黄之笛;武霁阳;何竞松;陈礼昕;毛炽祖;国建宝;杨育丰;王海军;陈欢;李士杰;谢惠藩 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种损耗确定方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：在柔性直流换流阀的桥臂电流的采样周期内，获取预设数量的目标桥臂电流值；根据所述目标桥臂电流值，获取所述柔性直流换流阀中各元器件的损耗；根据各所述元器件的损耗，获取所述柔性直流换流阀中的半桥子模块的损耗；根据所述半桥子模块的损耗，确定所述柔性直流换流阀的目标损耗。该损耗确定方法由于采用了有限次采样的方式获取桥臂电流，使得确定的柔性直流换流阀的损耗准确性较高。
损耗确定方法装置设备存储介质程序产品

[发明专利]功率器件软关电路-CN201711147168.5有效
发明人：武凯;李飞 -专利权人：郑州嘉晨电器有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件软关电路，包括与功率器件处于同一串联电路中的负载电子元件Load、输入电压和引线电感，所述的功率器件分别连接功率器件承受电压、驱动电压和功率器件的门极电容；功率器件串联驱动电压的电路上设置有驱动电路加快t2～t3阶段，减小关断阶段的损耗；减缓t3～t4阶段，减小关断引发的感生电压。关断总时间与关断总损耗平衡处理，降低了功率器件承受的电压，减小了功率器件的损耗和发热。
功率器件电路

[发明专利]用于确定半导体器件的热阻抗的方法-CN201410480442.0在审
发明人： O.D.科勒;J.霍姆特;M.里希特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定半导体器件的热阻抗的方法，其中给所述半导体器件通加热电流（101、201），确定所述半导体器件上的损耗功率，检测所述半导体器件上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）并且将所述半导体器件的热阻抗作为所确定的温度和所确定的损耗功率的商来确定（106、208）。
用于确定半导体器件阻抗方法

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]AlGaN/GaNHEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法-CN201811265433.4有效
发明人：王蕊;雷建明 -专利权人：南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法，其步骤包括：通过动态阻抗提取电路提取器件中的动态导通阻抗；拟合提取的动态导通阻抗曲线，提取拟合的曲线斜率；分别计算器件在开关电路中的导通损耗和开关损耗，并换算成器件工作时由损耗产生的温升；建立激活能与动态导通阻抗Rdson的关系模型；最后得到器件降级的平均激活能。本发明首次把AlGaN/GaNHEMT器件的动态导通阻抗与器件降级的平均激活能联系起来，而HEMT器件的动态导通阻抗可以通过搭建的电路来提取。该方法用来提取HEMT器件降级的平均激活能简单快捷，设备简易，还可以用来指导后续开关电路的设计来减少器件缺陷的影响。
algan ganhemt 器件降级平均激活新型提取方法

[发明专利]金属磁粉芯器件的功率磁损耗分析方法、优化方法及介质-CN202211702520.8在审
发明人：刘建廷;景峰;王岳辉 -专利权人：北京七星飞行电子有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属磁粉芯器件的功率磁损耗分析方法、优化方法及介质，其功率磁损耗分析方法包括：通过测量设备获取金属磁粉芯器件的功率磁损耗；将获取的功率磁损耗分解成包含待求解磁滞损耗系数的磁滞损耗和包含待求解涡流损耗系数的涡流损耗；依据分解得到的待求解磁滞损耗系数的磁滞损耗和包含待求解涡流损耗系数的涡流损耗，形成损耗曲线；基于形成的损耗曲线求取磁滞损耗系数和涡流损耗系数，进而确定磁滞损耗和涡流损耗。本发明将产品的功率磁损耗分解成磁滞损耗和涡流损耗，其分离计算过程简单，无需依赖专门设备或大型控制器即可有效明确功率磁损耗中的损耗组成部分，为后续降低产品功率磁损耗的优化生产工艺打下了坚实的基础。
金属磁粉芯器件功率损耗分析方法优化介质

[发明专利]抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件-CN202211629638.2在审
发明人：汪洋;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件。所述抑制射频器件欧姆损耗的方法包括：在单晶衬底上形成锗硅层，所述锗硅层靠近单晶衬底的界面处具有由于所述单晶衬底和锗硅层晶格失配而产生的应力形变和晶格缺陷；在所述锗硅层上形成有源层，将所述有源层的部分加工形成射频器件结构或者在所述有源层上制作射频器件结构本发明通过调节锗硅层中锗的含量而使锗硅层产生应力变形和产生缺陷，这些应力形变和晶格缺陷可以阻碍载流子在锗硅层的运动速度，并减少射频器件的欧姆损耗。
抑制射频器件欧姆损耗方法

[发明专利]用于功率变换模块的结温计算方法、设备、介质及车辆-CN202111305251.7在审
发明人：王凯;夏中一;苏谢祖;孙永朝 -专利权人：蔚来汽车科技（安徽）有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：所述功率变换模块包括第一开关器件。所述结温计算方法包括：修正所述第一开关器件的导通损耗，其中，所述导通损耗的修正至少基于第一修正系数K1，所述第一修正系数K1与所述功率变换模块的调制比相关联；以及计算所述第一开关器件的结温以作为所述功率变换模块的结温，其中，所述第一开关器件的结温计算至少基于修正后的导通损耗。本发明提出的结温计算方案通过修正系数从调制比、交流电流频率等角度对开关器件的导通损耗、开关损耗进行修正，提高功率变换模块结温的计算精度。
用于功率变换模块计算方法设备介质车辆

[发明专利]固态开关系统-CN201780058406.7有效
发明人： P·凯罗利;L·霍夫施泰特尔;M·巴托尔;R·比尼;M·拉希莫 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：固态开关具有至少一个FET型器件以及与该至少一个FET型器件并联地耦合的至少一个晶闸管型器件。该至少一个FET型器件被构造有基于电气设备的额定电流的第一功率损耗曲线；以及该至少一个晶闸管型器件被构造有基于与该电气设备相关联的浪涌电流的第二功率损耗曲线。
固态开关系统

[发明专利]一种基于栅极电荷补偿的零关断损耗驱动电路-CN202310502317.4在审
发明人：彭晗;宋世杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于栅极电荷补偿的零关断损耗驱动电路。该电路包括：被驱动功率器件T1为功率半导体器件；驱动电路与被驱动功率器件T1连接；沟道电流调节电路检测被驱动功率器件T1关断过程中的电压变化率并转换成可控电流源，调节流进被驱动功率器件T1的沟道电流，调节关断损耗；栅极电荷补偿电路检测被驱动功率器件T1在关断过程中电压变化率并转换成补偿电流源送至电流镜电路；电流镜电路完全复制来自栅极电荷补偿电路的补偿电流，调节被驱动功率器件T1损耗的同时对关断速度可控，从而在不影响其他方面性能的同时有效地抑制关断损耗，突破功率器件开关频率的上限以促进电力电子变换器实现更高的功率密度。
一种基于栅极电荷补偿零关断损耗驱动电路

[发明专利]一种基于能效分析的散热器散热性能退化程度预测方法-CN201910029867.2在审
发明人：陈杰;刘志刚;付和平;张钢;邱瑞昌;李庭;倪瑞政;孙梓涵;郭娇 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：首先对电力电子变流装置进行能效分析，获得电力电子变流装置的效率曲线以及功率器件功率损耗相对于变流装置总损耗的占比；在实际应用中通过上述功率器件功率损耗相对于变流装置总损耗所占百分比计算得到功率器件的功率损耗，而变流装置的总功率损耗可以通过电力电子变流装置的效率曲线得到；接着获取散热器扩散热量过程中的温升，然后通过温升与功率器件功率损耗的比值计算此时的散热器等效热阻，通过实验获得的散热器等效热阻大小与散热器散热性能退化度的对应关系
散热器散热性能功率器件功率损耗电力电子变流装置变流装置等效热阻能效程度预测效率曲线退化度总损耗退化温升总功率损耗比值计算分析扩散试验应用

[发明专利]一种风冷式全固态直流断路器-CN201910536555.0在审
发明人：宋中建;肖风良;李伟;屈鲁;谢文刚;张志成;武可;张公一 -专利权人：山东泰开高压开关有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种风冷式全固态直流断路器，属于电力电子技术领域，包括主通流支路，主通流支路包括全控型开关单元，全控型开关单元的两端设置有第一功率组件和第二功率组件，第一功率组件和第二功率组件内分别设置有低损耗开关功率器件，低损耗开关功率器件的第一端与全控型开关单元的I/O端电连接，低损耗开关功率器件的第二端与相邻的功率组件电连接。由于低损耗开关功率器件具有电流大、开关频率高和低导通损耗等特点。系统正常运行时，承载系统运行的负载电流可实现低损耗的特性，进而可以减少固态直流断路器产生的热量。
功率组件低损耗开关功率器件直流断路器全控型开关支路电连接风冷式全固态通流电力电子技术领域风冷式散热承载系统导通损耗负载电流开关频率两端设置水冷散热第一端申请

[实用新型]一种风冷式全固态直流断路器-CN201920933339.5有效
发明人：宋中建;肖风良;李伟;屈鲁;谢文刚;张志成;武可;张公一 -专利权人：山东泰开高压开关有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种风冷式全固态直流断路器，属于电力电子技术领域，包括主通流支路，主通流支路包括全控型开关单元，全控型开关单元的两端设置有第一功率组件和第二功率组件，第一功率组件和第二功率组件内分别设置有低损耗开关功率器件，低损耗开关功率器件的第一端与全控型开关单元的I/O端电连接，低损耗开关功率器件的第二端与相邻的功率组件电连接。由于低损耗开关功率器件具有电流大、开关频率高和低导通损耗等特点。系统正常运行时，承载系统运行的负载电流可实现低损耗的特性，进而可以减少固态直流断路器产生的热量。
一种风冷固态直流断路器