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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电池及电子设备-CN202111599200.X在审
发明人：黄小钊;何永伟;石宏博;李建斌 -专利权人：东莞新能德科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01M50/105 文献下载
摘要：电池设置有保护体，保护体用于保护设置于电路板主体上的电子元器件，以此降低电子元器件受到撞击的概率、以及在受到撞击时提供缓冲作用，降低电子元器件发生脱落及损坏的风险。
电池电子设备

[发明专利]一种半导体器件的焊锡厚度测量方法-CN202011134281.1有效
发明人：刘金龙;黄彩清 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的焊锡厚度测量方法，包括基准面确定步骤、测量基准确定步骤、第一扫描步骤、第一计算步骤与第二计算步骤，其能够在不损坏半导体器件的情况下对半导体器件的焊锡厚度进行测量。
一种半导体器件焊锡厚度测量方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201410425941.X在审
发明人： T·费舍尔;C·阿伦斯;D·佐杰卡;A·施门 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：提供半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺，并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法-CN202110076567.7在审
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利用高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小而MPS二极管、MOSFET等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
掺杂注入方法碳化硅功率器件及其制备

[发明专利]一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法-CN202110076969.7在审
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小而MPS二极管等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种掺杂注入方法碳化硅功率器件及其制备

[实用新型]一种分离式复读板-CN201621103580.8有效
发明人：李世事;李汉洲;陈正静;朱约荣;黄秀英 -专利权人：中山市小霸王创新科技有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及提供一种分离式复读板，包括主板以及复读板，所述复读板通过焊接在所述主板上，所述主板采用单面板，所述易损元器件通过焊接在所述复读板固定之后，再通过把所述复读板焊接在所述主板上构成整个产品的控制板或电源板本实用新型通过把主板与复读板分离，同时把易损的元器件焊接在复读板上，通过复读板上的设置的引脚焊接在主板上，当易损元器件损坏时，此时用电烙铁以及焊锡即可对损坏的元器件进行更换，不需要更换整体主板，这样可达到节约材料
一种分离复读

[实用新型]支架结构、LED器件、支架阵列和灯组阵列-CN201822099709.8有效
发明人：麦家儿;袁毅凯;章金惠;吴灿标;欧叙文;陆家财 -专利权人：佛山市国星光电股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种支架结构、LED器件、支架阵列和灯组阵列，其中，支架结构包括：支撑基板；金属框架，金属框架设置在支撑基板上，并围成用于安装芯片的杯腔，且金属框架在支撑基板的上表面的投影位于支撑基板的上表面的内部本实用新型解决了现有技术中的支架结构不合理，当需要使用刀具从灯组阵列上依次切割下LED器件时，刀具很容易与LED器件的支架中围成杯腔的部分发生碰触，造成支架损坏或刀具损坏，而影响LED器件的产品良率，增加切割作业的成本
支撑基板支架结构金属框架刀具切割本实用新型支架阵列上表面杯腔支架产品良率碰触投影芯片

[发明专利]GaN器件结构和制备方法-CN202310581549.3在审
发明人：庞振江;洪海敏;文豪;葛俊雄;温雷;顾才鑫;廖刚 -专利权人：深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN器件结构和制备方法。GaN器件结构包括衬底、GaN器件和电阻件，GaN器件设置在衬底上，GaN器件连接Si器件，Si器件用于控制GaN器件，电阻件设置在衬底上，电阻件与Si器件并联。在本申请实施方式的GaN器件结构中，GaN器件和电阻件可集成在一个衬底上，简化封装流程，同时将电阻件与Si器件并联，在GaN器件结构关断情况下，Si器件并联电阻件对源漏泄漏电流IDSS进行泄流，避免Si器件承受高压下的IDSS，甚至超过器件承受水平造成Si器件损坏，从而保护Si器件，提高器件可靠性。
gan 器件结构制备方法

[实用新型]一种智能焊台-CN200920205185.4有效
发明人：申箭峰 -专利权人：申箭峰
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： B23K3/02 文献下载
摘要：在本实用新型中，计时单元设定的计时时间短于元器件处在烙铁的高温下被损坏的时间，这样计时时间一到，保护单元起保护作用，防止元器件长时间处在烙铁的高温下被损坏。
一种智能

[发明专利]基于故障可靠性分析的电力巡检方法-CN202211641297.0在审
发明人：崔建业;陈文通;马坤隆;任广振;徐建平;俞伟;贾昕宁;柳延洪;寿政;张宇辉;沈思琪;吕勤;何骏伟;李靖楠 -专利权人：国网浙江省电力有限公司金华供电公司;杭州阳斯信息技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06Q10/20 文献下载
摘要：本发明公开了基于故障可靠性分析的电力巡检方法，包括：根据故障类型对应的损坏元器件清单构建第一特征画像；根据设备管理库关联元器件对应的电力设备构建第二特征画像；根据所述损坏元器件的第一危害因子以及第一故障率对第一特征画像进行重构得到第一巡检画像；获取每个损坏元器件的互信息以及相关性得到第一巡检策略；根据电力设备对应的第二危害因子、第二故障率以及故障参与度对第二特征画像进行重构得到第二巡检画像；获取每个电力设备的互信息以及相关性得到第二巡检策略
基于故障可靠性分析电力巡检方法

[发明专利]一种防水装置及待防水设备-CN202210910117.8有效
发明人：吴建国;孙波;付长昭 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K5/06 文献下载
摘要：包括：密封模块，用于密封待防水设备中PCB板上易遇水损坏的器件；设置于PCB板上的通用连接口，用于进行待防水设备的电压输出；设置于密封模块内部的检测模块，用于检测待防水设备中是否存在可导电液体；设置于密封模块内部的处理器对不同器件采用不同的防水策略，对易遇水损坏的器件进行密封处理；对遇水不易损坏的通用连接口，只需在检测到可导电液体时停止其电压输出，防止在加电情况下腐蚀氧化；一方面在减小了防水成本的同时也保护了不防水器件
一种防水装置设备

[实用新型]一种透光均匀的电容式触控键盘-CN202221349540.7有效
发明人：朱双水 -专利权人：余姚市翔龙通讯实业有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F3/02 文献下载
摘要：从而将键盘盖和底板固定在一起，通过第二固定凸块和视频盖过盈配合，从而将视频盖固定在底板上端，视频盖侧面的三组限位滑块插进键盘盖一侧限位槽内部，从而将键盘盖和视频盖连接在一起，从而将触控键盘拼接完整，当键盘盖或者视频盖内部的器件发生损坏时，取下键盘盖和视频盖，从而露出内部的器件，方便排查出损坏的器件，同时也方便更换损坏的器件。
一种透光均匀电容式触控键盘

[发明专利]一种户外用安全型配电柜-CN202011441559.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：罗建华
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H02B1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种户外用安全型配电柜，本发明对于在暴雨恶劣天气清情况下，可以抬高柜体主体中放置箱位置，进而避免因水位的增长对放置箱中的元器件造成影响甚至损坏，并且通过在第二套框上等距设置的通孔，在对放置箱进行保护的同时，避免放置箱中的元器件因高温造成损坏，进而保证柜体主体中元器件的正常工作，保证柜体主体工作的正常运行，为其工作提供一份安全保障；通过在放置箱中设置的防护分隔板和位置固定机构，使得配电柜进行分区域工作，进而使得配电柜的工作不会造成无法挽回的损坏
一种户外安全配电柜

[发明专利]用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法-CN202011455731.7在审
发明人：赵东艳;王于波;周芝梅;邵瑾;陈燕宁;付振;袁远东;杨红;陈睿;王文武;都安彦;李恋恋 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;中国科学院微电子研究所;中国科学院大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明通过限流元件吸收器件栅氧化层被击穿时的瞬间大电流，防止器件内部的其它结构被损坏(击穿)，这种情况下器件处于早期损坏，容易确定早期损坏故障点的位置，有助于确定可靠性失效的根本原因。
用于击穿测试探针方法

[发明专利]串联电路中发光二极管开路损坏的保护技术-CN200810063355.X无效
发明人：宗慎平;邵榴子;宗稚鹏 -专利权人：宗慎平
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H05B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种串联电路中发光二极管开路损坏的保护技术，它是将串联电路中每个或每若干个所述发光二极管的两端分别并联连接稳压元器件。当电路中某一发光二极管开路损坏时，该发光二极管两端的电压因开路而升高，从而击穿稳压元器件，这样，整个串联电路因稳压元器件的导通仍能正常运行，支路中其它发光二极管仍能正常工作。因而，本发明有效地解决了因单个发光二极管开路损坏而对整个电路所带来的问题，它将此影响降到了最低限度。
串联电路发光二极管开路损坏保护技术

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