专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种母线的主电路结构-CN201510398293.8在审
  • 陆网妹 - 陆网妹
  • 2015-06-30 - 2015-10-14 - H02B1/20
  • 本申请涉及一种母线的主电路结构,包括电容池直流母线与功率单元直流母线连接安装,功率单元直流母线垂直于电容池直流母线设置;电容池直流侧母线由至少两块构成,两块通过正、负级铜排分别连通本申请提供了一种能使电容数量增多,且满足机柜内空间要求的母线主电路布局结构
  • 一种母线电路结构
  • [发明专利]一种新型结构超疏油表面及其基于层状微结构沉积的制备方法-CN202210124965.6在审
  • 李健;沈涛;费潇;金卫凤 - 江苏大学
  • 2022-02-10 - 2022-06-24 - B81B7/04
  • 本发明提供了一种新型结构超疏油表面及其基于层状微结构沉积的制备方法,属于功能表面制备技术领域,包括铠甲微结构结构;相邻所述铠甲微结构之间为微凹槽,微凹槽内设置有结构,所述结构与铠甲微结构之间具有一定的间隙;且所述结构不高于铠甲微结构;所述铠甲微结构和微凹槽的下端均设置有基底。本发明中超疏油表面中铠甲微结构结构之间有一定的间隙,结构不仅能阻止自身被油液润湿,还能减小油液对其相邻铠甲微结构的润湿。基于层状微结构沉积的制备方法是通过液膜辅助的方式将层状微结构单元振动转印到铠甲微结构的凹槽处,并通过升温或钎焊的方式提高层状微结构单元与基底的结合强度。
  • 一种新型结构超疏油表面及其基于层状微结构沉积制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310678049.1有效
  • 郭帅 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-10-20 - H10B41/35
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括衬底、结构、沟道孔、沟道、存储以及导电结构位于衬底的上表面;结构包括由下至上依次交替叠置的隔离层及有源;隔离层内具有空气间隙;沟道孔位于结构内;沟道层位于沟道孔的侧壁;存储层位于沟道孔内,且位于沟道的表面及沟道孔的底部;导电层位于沟道孔内,且位于存储的表面。能够有效解决结构之间的耦合效应,提升器件可靠性。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]存储器元件及其形成方法-CN201910439159.6在审
  • 洪敏峰;邱家荣;李冠儒 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2019-05-24 - 2020-11-17 - H01L27/11521
  • 本发明公开了一种存储器元件及其形成方法,该存储器元件,包括一衬底、一结构、多个存储器结构、多个隔离结构以及多个共同源极柱。结构包括交替结构于衬底上的多个导电与多个绝缘。存储器结构形成于衬底上且穿过结构。隔离结构形成于衬底上且穿过结构,其中隔离结构将存储器结构分为多个第一存储器结构及多个第二存储器结构。共同源极柱形成于衬底上且穿过结构,其中共同源极柱直接接触于隔离结构
  • 存储器元件及其形成方法
  • [发明专利]三维半导体结构及其制造方法-CN201310542936.2有效
  • 赖二琨 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2013-11-05 - 2018-04-13 - H01L27/115
  • 本发明公开了一种三维半导体结构及其制造方法,三维半导体结构,包括多个形成于一衬底上、至少一接触孔垂直形成于这些其中之一、一导电体形成于接触孔内、一电荷捕捉至少形成于这些的侧壁处。其中的一包括一多层柱体包括多层绝缘和多层导电交替而成,和一介电形成于多层柱体上。接触孔穿过对应的介电、这些绝缘和这些导电。接触孔内的导电体连接对应的这些导电。其中,导电体的上表面高过于对应的多层柱体的上表面。
  • 三维半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]制造存储器件的方法及存储器件-CN201811313099.5有效
  • 周玉婷;李思晢;汤召辉;薛家倩 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-11-06 - 2021-07-06 - H01L27/11563
  • 制造存储器件的方法包括:形成绝缘结构,所述绝缘结构包括交替堆叠的多个牺牲和多个间绝缘;基于所述绝缘结构,在所述绝缘结构的中间区域形成核心结构,在所述绝缘结构的边缘区域形成多个分区结构;形成保护,所述保护至少覆盖所述分区结构的侧壁,所述侧壁平行于所述绝缘结构的堆叠方向;以及蚀刻各个所述分区结构以在所述分区结构的至少一侧形成多个台阶。该制造存储器件的方法在分区结构的侧壁形成保护,从而减少或避免台阶形成过程中产生的SDS变形,避免出现电连接线的接触失效问题。
  • 制造存储器件方法
  • [发明专利]U型垂直薄通道存储器-CN201510219308.X有效
  • 吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2015-05-04 - 2019-01-01 - H01L27/105
  • 本发明公开了一种存储元件,可配置来做为一种三维与非门快闪存储器,包括多个导电条带,其又包括具有侧壁的多个偶数与多个奇数中部分的导电条带可配置来做为字线。多个数据储存结构配置于偶数与奇数的侧壁上。介于导电条带的相对应偶数与奇数之间的有源柱状体包括偶数半导体膜与奇数半导体膜,在间沟道的底部连接,并具有外表面与内表面。外表面连接对应偶数与奇数的侧壁上的数据储存结构,形成存储单元所构成的三维阵列;内表面以可包括一间隙的绝缘结构分隔。半导体膜可为具有U型电流路径的薄膜。
  • 垂直通道存储器
  • [发明专利]一种芯片封装结构的制备方法-CN202310444617.1有效
  • 张章龙;李宗怿;潘波;陶佳强 - 长电集成电路(绍兴)有限公司
  • 2023-04-24 - 2023-08-04 - H01L21/56
  • 本发明提供一种芯片封装结构的制备方法,包括:提供临时载板;在临时载板上形成金属;在金属背离临时载板的一侧表面形成重布线结构;在重布线结构背离金属的一侧设置芯片本体;在芯片本体和重布线结构之间形成导电连接件;形成包封导电连接件的底填胶;在重布线结构的一侧形成包裹芯片本体的塑封;之后,将临时载板和金属解键合;将临时载板和金属解键合之后,采用湿法蚀刻工艺去除金属,并暴露出重布线结构中的介质;采用湿法蚀刻工艺去除金属之后,采用干法刻蚀工艺从重布线结构背离芯片本体的一侧去除部分厚度的介质。所述芯片封装结构的制备方法使得芯片封装结构的可靠性提高。
  • 一种芯片封装结构制备方法

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