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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]信号调制装置、存储器存储装置及信号调制方法-CN202110945465.4有效
发明人： 吴冠纬;吴仁钜;王仁和;廖宇强;孙世洋 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种信号调制装置、存储器存储装置及信号调制方法。所述信号调制装置包括观测电路、信号调制电路及相位控制电路。所述信号调制电路用以根据第一信号与参考时钟信号产生第二信号。所述第一信号的频率不同于所述第二信号的频率。所述相位控制电路用以通过所述观测电路获得观测信息。所述观测信息反映所述信号调制装置中的至少一电路单元的工艺变异。所述相位控制电路更用以根据所述观测信息控制所述第一信号与所述参考时钟信号之间的偏移量。藉此，可提高(高速)信号输出的稳定性。
信号调制装置存储器存储方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210234594.7在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供存储器装置与其操作方法。该存储器装置的操作方法包括：于一读取操作或一写入验证操作结束时，在一字线电压下降阶段，同步施加多个不同逐渐下降信号线参考电压至多个接地选择线与多个串选择线，其中，这些不同逐渐下降信号线参考电压的值有关于这些接地选择线与这些串选择线的多个信号线位置。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]三维存储器结构及其制造方法-CN202210117982.7在审
发明人：杨怡箴;张耀文;吴冠纬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器结构及其制造方法。三维存储器结构包括一通道层、多个栅电极层以及多个电荷捕捉层。这些电荷捕捉层在该通道层的一通道侧壁表面与这些栅电极层的多个电极侧壁表面之间。这些电荷捕捉层排列在一方向上且彼此不连续。
三维存储器结构及其制造方法

[发明专利]时钟控制电路模块、存储器存储装置及时钟控制方法-CN202310285205.8在审
发明人：孙世洋;吴冠纬 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种时钟控制电路模块、存储器存储装置及时钟控制方法。所述时钟控制电路模块用以：产生时钟信号；接收第一信号与所述时钟信号并根据所述时钟信号对第一信号进行取样以产生第一取样信号与第二取样信号；根据第一取样信号与第二取样信号分别获得第一目标信号的第一转态点所对应的第一位置信息与第二目标信号的第二转态点所对应的第二位置信息；以及根据第一位置信息与第二位置信息评估第一信号与所述时钟信号之间的频率偏移状态。由此，可提高信号接收端的信号接收质量。
时钟控制电路模块存储器存储装置控制方法

[发明专利]存储器装置与其操作方法-CN202111487237.3在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;卢俊良;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置与其操作方法，存储器装置包括P型阱区、公共源极线、接地选择线、至少一虚置接地选择线、多条字线、至少一虚置串列选择线、串列选择线、至少一位线以及至少一存储器串。字线设置于虚置接地选择线与虚置串列选择线之间，存储器串的多个存储单元的栅极连接于字线。操作方法包括以下步骤：对于选择的字线进行读取操作，施加读取电压至选择的字线，并且施加通过电压至未选择的其他字线、接地选择线。在读取操作结束之前，首先预先降低串列选择线与虚置串列选择线的电压，而后提升位线的电压。
存储器装置与其操作方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN201811264838.6有效
发明人： 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件，包括一双晶体管存储单元阵列，双晶体管存储单元阵列中的双晶体管存储单元包括一垂直式选择晶体管与一垂直式数据储存晶体管。双晶体管存储单元阵列包括多个导线叠层，一导线叠层包括一选择栅极线与一字线，字线相邻于选择栅极线。存储器元件包括一垂直通道线的阵列、栅极介电质结构、电荷储存结构与位线，垂直通道线的阵列穿过导线至一参考线，栅极介电质结构环绕在垂直通道线与选择栅极线的阵列中的垂直式选择晶体管的通道区的垂直通道线，电荷储存结构环绕在垂直通道线与字线的阵列中的垂直式数据储存晶体管的通道区的垂直通道线，位线通过垂直通道线的上端耦接至垂直通道线。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202110187197.4在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。其中，该存储器装置包括一衬底、一叠层结构以及一存储器串列。叠层结构位于衬底上。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。存储器串列沿着第一方向容置于叠层结构中，存储器串列包括一存储层及一通道层，且存储层位于叠层结构与通道层之间。其中至少一部分的存储层与绝缘层沿着第一方向彼此重叠。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储器装置的操作方法-CN202110158935.2在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置的操作方法，存储器装置包括一P型阱区、一公共源极线、一存储器阵列、多个字线、一串列选择线、一接地选择线以及至少一位线，其中这些字线连接存储器阵列中的一存储器串，且这些字线排列于串列选择线与接地选择线之间。存储器串连接于位线与公共源极线之间，这些字线包括经编程后且不相邻的一第一字线及一第二字线。操作方法包括下列步骤。施加一读取电压至选择的一字线。施加一通过电压至未选择的字线，读取电压小于通过电压。于读取操作结束之前通过电压斜降至一较低电平期间，存储器串的一通道电位于第一字线与第二字线之间向下耦合时，先使一空穴电流由P型阱区注入存储器串，以中和通道电位。
存储器装置操作方法

[实用新型]网卡转接部件-CN202220711155.6有效
发明人： 吴冠纬;张轩铭 -专利权人：联宝（合肥）电子科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01R13/629 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种网卡转接部件，包括主体部，所述主体部上设置有安装孔，所述主体部的正板面形成有阶梯卡母，所述阶梯卡母的阶梯面与所述主体部之间形成插接空隙，所述网卡的前侧用于插入所述插接空隙中，所述主体部上形成有两个弹性臂，两个所述弹性臂之间借由结合部连接，所述结合部使得两个所述弹性臂结合成一体。该转接部件能够使网卡与主板之间形成稳定、充分的电连接关系。
网卡转接部件

[发明专利]存储器装置的操作方法-CN202010984535.2在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置的操作方法包括：准备编程一目标字线；判断一相邻字线的至少一存储器单元是否要被编程至一第一目标状态；以及根据该相邻字线的该至少一存储器单元是否要被编程至该第一目标状态，决定先编程该相邻字线或先编程该目标字线。
存储器装置操作方法

[发明专利]NAND闪存操作技术-CN201910136814.0有效
发明人：林威良;吕君章;蔡文哲;吴冠纬;张耀文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种高密度存储器，例如立体NAND闪存，的写入方法，修改在写入操作期间所施加的波形，以减轻在操作期间对于未被选取用来进行写入的存储单元的无预期干扰。此方法通常在写入序列中的写入验证通过电压和写入通过电压之间的时间间隔内施加偏压安排。此偏压安排包括软压降和预启动，用以减小写入操作期间位于未被选取的NAND存储单元串行的浮置通道上的电压分布变异程度。
nand 闪存操作技术

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN202010073984.1在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体装置及其操作方法，其中半导体装置包括基板、第一及第二堆叠。基板包括由上表面向下延伸的第一掺杂浓度的掺杂区。第一堆叠设置于上表面上，包括交替堆叠的第一绝缘层及第一导电层、第一通道层、第一存储层以及第一导电连接件。第一导电层配置为接收第一电压。第一导电连接件设置于第一通道层上，具有第二掺杂浓度。设置于第一堆叠上的第二堆叠包括交替堆叠的第二绝缘层及第二导电层、第二通道层、第二存储层以及第二导电连接件。第二导电层配置为接收第二电压。第二导电连接件设置于第二通道层上，配置为接收擦除电压。第一导电连接件电性连接第一及第二通道层。第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910977809.2在审
发明人：杨怡箴;张耀文;吴冠纬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含半导体衬底、叠层结构、电荷存储结构、势垒层、隧穿层及半导体层。叠层结构配置在半导体衬底的主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。电荷存储结构包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段，弯折存储结构或分离的存储区段与导电层的侧壁相对，其中各弯折存储结构或各分离的存储区段，在平行主表面的一方向上实际上对准对应的导电层。势垒层至少有一局部夹置在导电层与弯折存储结构之间或者导电层与分离的存储区段之间。隧穿层配置在弯折存储结构上或分离的存储区段上。导体层配置在隧穿层上。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储器元件及其制作方法-CN201910787317.7在审
发明人：吕君章;蔡文哲;吴冠纬;张耀文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包括：导电条带堆叠结构，包括多个导电条带及与导电条带交错堆叠的多个绝缘层，还具有至少一通道开口穿过这些导电条带和绝缘层，将部分的导电条带和绝缘层暴露于外。存储层位于通道开口之中并覆盖在导电条带暴露于外的部分上。通道层位于通道开口之中并覆盖在存储层上。掺杂的半导体焊垫由通道开口的底部向上延伸超过底部导电条带的上方表面，并与通道层接触，且与导电条带电性隔离。通道层包括具有第一掺杂浓度的第一部分，以及位于第一部分上方，且具有第二掺杂浓度的第二部分。
存储器元件及其制作方法

[发明专利]非易失性存储器与其操作方法-CN201910564228.6在审
发明人： 吴冠纬;张耀文;郑致杰;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法，该非易失性存储器的操作方法包含：产生具有第一时间长度的第一写入脉冲至存储单元阵列中的目标存储单元；读取并验证目标存储单元的导通阈值电压是否达到目标电平；以及当目标存储单元的导通阈值电压未达目标电平，产生具有第二时间长度的第二写入脉冲至目标存储单元，其中第二时间长度大于第一时间长度。
非易失性存储器与其操作方法

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