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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法-CN201410433208.2有效
发明人：罗巍 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法。原子层刻蚀装置包括反应腔体、隔板组件、第一等离子体产生装置和第二等离子体产生装置。本发明的原子层刻蚀装置，采用活性吸附粒子化学吸附替代传统反应气体吸附，可以显著提高刻蚀速率，缩短刻蚀周期时间，节约刻蚀反应气体的使用量，降低了工艺成本。
原子刻蚀装置采用方法

[发明专利]通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积共形膜-CN201610206201.6有效
发明人：米卡尔·达内克;乔恩·亨利;谢恩·唐 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积保形膜。提供了用于在原子层沉积过程中使用含卤素的蚀刻剂沉积共形膜的方法。
通过原子沉积蚀刻共形膜

[发明专利]原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法-CN201880096524.1有效
发明人：崔鹤永;金栋元;金相勋;金根植 -专利权人：株式会社奈瑟斯比
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法。根据本发明的用于在基板形成原子层的原子层沉积装置包括：基板移送部，用于安置基板，并向第一方向及与所述第一方向不同的第二方向移送所述基板；气体供应部，布置于通过所述基板移送部而移送的所述基板的上方，并且包括供应源气体的源气体供应模块
原子沉积装置利用方法

[实用新型]一种原子层沉积装置及原子层沉积设备-CN202020673133.6有效
发明人：李哲峰;乌磊 -专利权人：深圳市原速光电科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种原子层沉积装置及原子层沉积设备，其中底板上设置有若干主固定孔和若干调节槽。
一种原子沉积装置设备

[发明专利]气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法-CN201280016242.9有效
发明人：全蓥卓;朴台容;李在相;崔哃昣;全喜营;朴珍圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。
气体装置原子沉积以及使用方法

[发明专利]原子层沉积的电介质层-CN200480012128.4有效
发明人： K·Y·阿恩;L·福尔布斯 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种原子层沉积的电介质层和制备这种电介质层的方法制造了一种具有比利用SiO₂获得的等效氧化物厚度薄的可靠的电介质层。通过原子层沉积在衬底表面上沉积铪金属层和通过原子层沉积在该铪金属层上沉积氧化铪层，形成了基本上没有氧化硅的氧化铪电介质层。包含原子层沉积的氧化铪的电介质层是热力学稳定的，使得该氧化铪在处理期间具有与硅衬底或其它结构最小的反应。
原子沉积电介质

[发明专利]自旋极化和带隙可调的铋基硫属化合物层状材料-CN202211443189.2在审
发明人：贺园园;程娜;赵健伟 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋极化和带隙可调的铋基硫属化合物层状材料，属于半导体技术领域，本发明的利用自旋轨道耦合效应调控铋基硫属化合物层状材料包括顶层原子层、中间原子层、底层原子层；所述的顶层原子层中每个向顶层突出的铋原子沿垂直于中间原子层方向上连接一个硫属原子；所述的中间原子层由铋原子共价连接的椅式六元环重复连接组成，属六方晶系；所述的底层原子层中每个向底层突出的铋原子沿垂直于中间原子层方向上连接一个硫属原子；其中顶层原子层、底层原子层的硫属原子呈现交错平行的方式修饰在中间原子层的铋原子层上
自旋极化可调铋基硫属化合物层状材料

[发明专利]电路板-CN202080046790.0在审
发明人：金勇锡;李东华 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：根据实施例的一种电路板包括：绝缘层；置放在绝缘层的上表面上或者下表面下的电路图案；以及置放在绝缘层和电路图案之间的缓冲层，缓冲层包括碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、硫原子和金属原子，其中：碳原子与金属原子的比率((碳原子/铜原子)*100)为5‑7；氮原子与金属原子的比率((氮原子/铜原子)*100)为1.5‑7；氧原子与金属原子的比率((氧原子/铜原子)*100)为1.1‑1.9；以及硅原子与金属原子的比率((硅原子/铜原子)*100)为0.5‑0.9；以及硫原子与金属原子的比率((硫原子/铜原子)*100)为0.5‑1.5。
电路板

[发明专利]原子层成长装置、使用原子层成长装置的成膜方法及原子层成长装置的清洁方法-CN201810827079.3在审
发明人：寅丸雅光;鹫尾圭亮;千叶理树;中田真生 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化，电浆原子层成长装置(1)具备：原料气体供给口(14)，设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁，且还具有作为清洁气体供给口的功能；原料气体排出口(15)，设置于成膜容器
成长装置原子层成膜容器清洁气体排出口原料气体供给第二侧壁第一侧壁原料气体供给口成膜电浆基板劣化膜质清洁

[发明专利]原子层沉积设备和使用该设备的原子层沉积方法-CN202310136594.8在审
发明人：张喆旼;许明洙;金定坤;朴民奎;郑檭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开原子层沉积设备和使用该设备的原子层沉积方法。所述原子层沉积设备包括：支撑基板的基板支撑部；在基板支撑部上的工艺模块；将第一气体供应到工艺模块的第一气体管道；将第二气体供应到工艺模块的第二气体管道；以及排放供应到工艺模块的第一气体和第二气体的排放部
原子沉积设备使用方法

[发明专利]原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备-CN202110703536.X有效
发明人：纪红;赵培洋;赵可可 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种进气装置及原子层沉积设备，其包括：用于向第一进气结构输送第一补偿气体的第一补偿进气结构，以能够使经由第一进气结构进入反应腔室的气体流量值等于经由第二进气结构进入反应腔室的气体流量值；以及用于向反应腔室内输送第二补偿气体的第二补偿进气结构本发明提出的进气装置及原子层沉积设备能够使前驱体和补偿气体充分混合，且不会造成反应腔室内部压力波动，以使反应腔室中的用于制备膜层的工艺气体具有良好的均匀性，从而使膜层具有良好的均匀性。
原子沉积设备装置

[实用新型]一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置-CN202022882700.1有效
发明人：朱颖晖;祝晓钊;王艳华;冯敏强;廖良生 -专利权人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置。其中，所述原子层沉积腔室包括腔体，腔体的顶部设置有进气口，腔体的侧壁上设置有至少两个容纳槽，容纳槽用于容置工件，且工件的成膜区外露于腔体中，能够单次实现至少两个工件沉积，且避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序所述原子层沉积装置通过应用上述原子层沉积腔室，能够单次实现多个工件沉积，避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。
一种原子沉积装置

[实用新型]一种原子层沉积设备和原子层沉积监测系统-CN202021704846.0有效
发明人：林俊成;黄致开 -专利权人：鑫天虹（厦门）科技有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提出一种原子层沉积设备和原子层沉积监测系统，其中，原子层沉积设备包括一腔体，所述腔体内设有基材载台，用于放置待镀膜的晶圆。
一种原子沉积设备监测系统

[发明专利]电致变色装置-CN202110405020.7在审
发明人：朴翔显;金炳东 -专利权人：力海科技股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：根据一个实施方式的电致变色装置包括透明导电层、离子存储层、电解质层、电致变色层以及反射层或透明导电层，其中离子存储层包含铱原子和钽原子，其中电解质层包含钽原子，其中电致变色层包括钨原子，其中电致变色层的钨原子和离子存储层的铱原子和钽原子中的至少一个被氢化，其中反射层是无孔的。
变色装置

[发明专利]电致变色装置-CN201780006130.8有效
发明人：朴翔显;金炳东 -专利权人：力海科技股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：根据一个实施方式的电致变色装置包括透明导电层、离子存储层、电解质层、电致变色层以及反射层或透明导电层，其中离子存储层包含铱原子和钽原子，其中电解质层包含钽原子，其中电致变色层包括钨原子，其中电致变色层的钨原子和离子存储层的铱原子和钽原子中的至少一个被氢化，其中反射层是无孔的。
变色装置

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