专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN201310346837.7有效
  • 崔智淑;李昌根 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-08-09 - 2016-10-12 - H05H1/46
  • 本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置,包括:腔室,在内部形成有工艺空间;源线圈,设在电介质窗外部的上侧,所述电介质窗设置在所述工艺空间的上部;接地板,设在所述源线圈和所述盖部之间,并形成有设置孔,经接地处理;可变电容器控制装置,以贯穿所述设置孔的方式安装,并与所述源线圈连接,用于控制阻抗,通过所述接地板形成接地;本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置,通过电机精密地控制连接于各源线圈而用于调节阻抗的可变电容器的动作,以便对多个源线圈有效地进行阻抗控制,此外,具有能够对多个可变电容器进行精确地自动控制的效果。
  • 电感耦合等离子体处理装置
  • [发明专利]金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法-CN201510103197.6在审
  • 洪性在 - 丽佳达普株式会社
  • 2009-10-28 - 2015-07-29 - H01L21/205
  • 本发明提供一种金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托器喷射III族气体和V族气体;多个温度探测传感器,其位于衬托器的上部,并测量通过各加热器加热的加热区的温度;和控制器,其存储加热区所需的温度设定值,并通过将由各温度探测传感器探测到的探测温度值与加热区所需的设定值相比较来控制加热区的温度。通过有效地调节金属有机化学汽相淀积设备中的每一外延工艺所必需的温度条件,可以在整个工艺期间均匀地向整个衬底实施温度倾斜,其通过将温度从室温上升至1200℃来执行工艺。因此提高了工艺效率和淀积均匀度。
  • 金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法
  • [发明专利]原子层沉积装置-CN201310751621.9在审
  • 吴基荣 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-12-31 - 2015-07-01 - C23C16/455
  • 本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中,所述基板位于所述承受器上。所述气体喷射器设置在所述承受器上方,并且将所述承受器上方限定的空间分隔成多个预定的空间。所述气体喷射器供应来源气、反应气和吹扫气到所分隔的空间中分别布置的基板上。所述排气单元设置在所述承受器上方并且设置成与所述气体喷射器相邻。所述排气单元向上引导来源气、反应气和吹扫气的排气流。
  • 原子沉积装置
  • [发明专利]原子层沉积装置-CN201310751630.8在审
  • 吴基荣 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-12-31 - 2015-07-01 - C23C16/455
  • 本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中,基板位于所述承受器上。所述气体喷射器设置在所述承受器上方,并且将所述承受器上方限定的空间分隔成多个预定的空间。所述气体喷射器供应来源气、反应气和吹扫气到所分隔的空间中分别布置的基板上。所述排气单元设置在所述承受器上方并且设置成与所述气体喷射器相邻。所述排气单元向上引导来源气、反应气和吹扫气的排气流。
  • 原子沉积装置
  • [发明专利]基板沉积装置的控制装置及其控制方法-CN201310744475.7无效
  • 洪性在 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-12-30 - 2014-07-09 - C23C16/52
  • 本发明提供一种用于基板沉积装置的控制装置,以便根据由基板温度传感器感测到的温度,实现对基板的总体表面状态以及基座的总体驱动状态的测量和测定。用于基板沉积装置的控制装置包括:温度传感器,用于感测放置在腔室内的基板的温度,以及支撑基板的基座的温度;波形提取器,用于将由温度传感器感测到的温度提取为随时间变化的温度波形;区域分离器,用于根据温度波形,将基座的温度所对应的基座区域与基板的温度所对应的基板区域分开;以及测定器,用于根据基板区域的温度波形以及基座区域的温度波形,测定基板的表面状态以及基座的驱动状态。因此,用于基板沉积装置的控制装置可以削减基板沉积装置的制造成本,并简化其构造。
  • 沉积装置控制及其方法
  • [发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN201310346831.X无效
  • 李炅锡;丘炳熙;金正泰;孙东植;李庆汉;林正焕;崔智淑 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-08-09 - 2014-07-09 - H05H1/46
  • 本发明的电感耦合等离子体处理装置,具备:腔室;电介质窗,位于腔室上部;天线,安装在电介质窗的上侧;以及天线支撑架,用于支撑天线,且处于接地,所述天线具备:从电源延伸出的主干部;多个第一总线圈,从主干部分支而成;至少一个第二总线圈,从第一总线圈的末端分支而成;多个源线圈,从第二总线圈分支而成,且各末端与天线支撑架形成接地,所述第二总线圈上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置。根据本发明的电感耦合等离子体处理,能够精密地控制连接在每个源线圈上以进行调节阻抗的可变电容器的动作,从而能够有效地控制多个源线圈的阻抗,并且通过将多个可变电容器设置在源线圈的入口端和总线圈上,能够精密地控制阻抗。
  • 电感耦合等离子体处理装置
  • [发明专利]原子层沉积装置-CN201310683377.7在审
  • 全蓥卓;崔鹤永 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-12-12 - 2014-06-18 - C23C16/455
  • 本发明涉及一种原子层沉积装置,其包括:腔室,在内部形成封闭的反应空间;第一气体吸排单元,对被供应至所述腔室内部的基板,供给或排出第一气体;以及第二气体吸排单元,对所述基板供给第二气体或排出第二气体;所述基板沿着与所述第一气体吸排单元或者所述第二气体吸排单元中的至少一个气体吸排单元的长度方向交叉的方向进行相对移动。如上所述,通过一个单元即可完成气体的排出和吸入工作,因此无需另行具备排出或吸入气体的单元,能够改善原子层沉积工艺的生产率。
  • 原子沉积装置
  • [发明专利]原子层沉积装置-CN201310681168.9无效
  • 全蓥卓;崔鹤永 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-12-12 - 2014-06-18 - C23C16/455
  • 本发明的原子层沉积装置,包括:气体吸排单元,该气体吸排单元具备:供气管,在内部形成有供气流道;排气管:在内部形成有与所述供气流道连通的压力缓和部;吸气管,其围绕所述排气管的外周面的至少一部分,从而在内部形成吸气流道;以及气体喷射压调节单元,连接在所述供气流道或所述压力缓和部上供应气体,使从所述排气管排出的气体的喷射压力在所述排气管的整个长度上相同。
  • 原子沉积装置
  • [发明专利]原子层沉积装置-CN201310681160.2无效
  • 全蓥卓;崔鹤永 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-12-12 - 2014-06-18 - C23C16/44
  • 本发明涉及的原子层沉积装置,包括:腔室,在内部形成有密闭的反应空间;第一气体吸排单元,向设置于所述腔室内部的基板吸入或排出第一气体;第二气体吸排单元,向所述基板吸入或排出第二气体;以及真空排气管,设置于所述第一气体吸排单元和所述第二气体吸排单元之间,用于在所述第一气体吸排单元和所述第二气体吸排单元之间形成真空;所述基板沿着与所述第一气体吸排单元、所述第二气体吸排单元或所述真空排气管中至少一个的长度方向交叉的方向进行相对运动。通过单个单元进行气体的排出和吸入,因此不必具备用于排出或吸入气体的单独的单元,能够改善原子层沉积工艺的生产能力。
  • 原子沉积装置
  • [发明专利]电感耦合等离子体处理装置及其控制方法-CN201310323747.6在审
  • 林正焕 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-07-30 - 2014-06-04 - H05H1/46
  • 电感耦合等离子体处理装置具备:可变电容器控制装置,包括安装在源线圈上控制源线圈阻抗的可变电容器、使可变电容器自动旋转的电机及检测电机旋转的外部编码器;多个从控制器,对各个可变电容器控制装置分组并按组控制;主计算机,网络连接从控制器以控制从控制器,从控制器从主计算机接收分组后的可变电容器的动作最小值或设定最小值后储存,从主计算机接收起始序列动作命令后,驱动电机使可变电容器以动作最小值或设定最小值动作后达到动作设定值。本发明的电感耦合等离子体控制装置及其控制方法,通过电机精密控制连接在源线圈上调节阻抗的可变电容器的动作,有效控制多个源线圈阻抗,能够对多个可变电容器进行精密自动控制。
  • 电感耦合等离子体处理装置及其控制方法
  • [发明专利]电感耦合等离子体处理装置及其控制方法-CN201310325922.5有效
  • 林正焕 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-07-30 - 2014-05-21 - H05H1/46
  • 本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置,具备:腔室;源线圈,设在所述腔室的上部的电介质窗外侧;可变电容器控制装置,其包括与所述源线圈连接而用于控制阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及用于检测所述电机的旋转的外部编码器;控制部,通过比较从所述外部编码器输出的外部编码器输出值与输入至所述电机的电机动作输入值,来判断所述可变电容器的动作异常。本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置及其控制方法,通过电机精密地控制连接于各源线圈且用于调节阻抗的可变电容器的动作,以能够对多个源线圈有效地进行阻抗控制,而且能够对多个可变电容器精密地进行自动控制。
  • 电感耦合等离子体处理装置及其控制方法
  • [发明专利]气体吸排单元及具备该气体吸排单元的原子层沉积装置-CN201310394826.6在审
  • 全蓥卓;崔鹤永;朴炷泫;申锡润;咸基热 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-09-03 - 2014-03-26 - C23C16/455
  • 本发明涉及气体吸排单元及具备该气体吸排单元的原子层沉积装置。气体吸排单元可以包括:内部形成有供气流道的供气管;在内部形成与所述供气流道连通的排气流道的排气管;围绕所述排气管的外周面的至少一部分,从而在内部形成吸气流道的吸气管。因此,当配置在与基板临近的位置时,能够同时完成对气体的供给和吸入。由此,可在常压下形成沉积,因此不需要用于确保真空的其他装置以及时间。而且,可进行连续性工序,可将前后处理进行在一条线上,并且通过设置多个源气体吸排单元,可形成多组分化合物。此时,可根据各个源气体的分解温度分别选择热源种类以及被供应的热能量。
  • 气体单元具备原子沉积装置
  • [发明专利]原子层沉积装置-CN201310395120.1在审
  • 全蓥卓;崔鹤永;申锡润;朴炷泫;咸基热 - 丽佳达普株式会社
  • 2013-09-03 - 2014-03-26 - C23C16/44
  • 本发明的原子层沉积装置,包括供气管和吸气管,该供气管具备:供给管体,在其内部沿长度方向形成有供给气体的供气流道;排气部,沿供给管体的长度方向形成于供给管体,并与供气流道连通;该吸气管具备:吸入管体,在其内部沿长度方向形成有吸入气体的吸气流道;吸气部,沿吸入管体的长度方向形成于吸入管体,并与吸气流道连通;供气管和吸气管可以在与基板对供气管和吸气管的相对运动方向交叉的方向上彼此分开形成。本发明一实施例中的原子层沉积装置,分开形成用于供给源气体或反应气体的供给管和用于吸入除去残留气体的吸气管,从而不仅能够减少气体使用量,减少沉积原子层的基板轨迹,还能够简化实现气体供给及吸入动作的机械结构。
  • 原子沉积装置
  • [发明专利]有机发光元件封装装置以及有机发光元件封装方法-CN201210238533.4有效
  • 黄载锡 - 丽佳达普株式会社
  • 2012-07-10 - 2013-07-03 - H01L51/56
  • 本发明提供一种能够缩短对形成有有机发光层的基板和保护膜进行加热所需要的时间,从而消除物流堆积现象的有机发光元件封装装置以及有机发光元件封装方法。本发明的有机发光元件封装装置,包括,临时接合腔室,由形成有有机发光层的基板和保护膜临时接合而形成临时接合基板;加压腔室,把上述临时接合基板加热至上述保护膜能够接合到上述基板上的工艺温度,并对上述临时接合基板进行加压,从而由上述保护膜对上述有机发对光层进行封装;预热腔室,配置在上述临时接合腔室和上述加压腔室之间,对上述临时接合基板进行预热;移送腔室,配置在上述临时接合腔室、上述加压腔室、上述预热腔室之间移送上述临时接合基板。
  • 有机发光元件封装装置以及方法

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