专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种单晶用低氧-CN202222739482.5有效
  • 周瑶;王思林;王昱;方奇 - 安徽昱搏新材料科技有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-01-03 - C30B27/02
  • 本实用新型属于低氧技术领域,尤其是一种单晶用低氧,包括导流筒和环形加热器,环形加热器内部设置有气流加速装置,气流加速装置包括用于气流加速的石英坩埚和异形环,氩气沿着石英坩埚的内壁向上后,沿着环形加热器的内外壁向下移动后受到异形环的阻碍使气流速度加快,该单晶用低氧,通过设置气流加速装置,氩气沿着石英坩埚的内壁向上,沿着环形加热器的内外壁向下移动后受到异形环的阻碍使氩气流出速度加快,带走更多一氧化硅,实现降低晶棒氧含量,解决了现有的单晶氩气流速慢,无法将挥发出来的一氧化硅快速从石英坩埚内排出,导致一氧化硅分凝进入单晶硅棒后使其氧含量增加的技术问题。
  • 一种单晶炉用低氧
  • [发明专利]一种可提高单晶生长速度的冷却装置-CN201110062659.6无效
  • 张志强;黄振飞 - 常州天合光能有限公司
  • 2011-03-16 - 2011-06-22 - C30B15/00
  • 本发明涉及太阳能单晶技术领域,特别是一种可提高单晶生长速度的冷却装置,包括冷却器,冷却器为具有锥度的筒状,设置在屏内侧。冷却器和紧贴屏内侧,和屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到筒上,冷却器的冷却介质进出口均设置在筒上,冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管进入冷却器进行冷却。筒为一段独立的副筒。冷却介质进出口上设置流量调节阀。本冷却装置结构设计合理,杜绝了冷却介质与冷却器之间的传递过程存在泄漏的可能,而且在中采用本冷却装置后强化对晶棒的冷却效果,从而增强晶棒纵向温度梯度,提高硅单晶的生长速度,达到快速生长单晶硅棒的目的。
  • 一种提高单晶炉生长速度冷却装置
  • [发明专利]屏组件及单晶提拉结构-CN201610728299.1在审
  • 邓先亮;赵向阳;陈强 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2016-08-25 - 2018-03-09 - C30B15/14
  • 本发明提供一种屏组件及单晶提拉结构,所述屏组件包括屏及位于所述屏外围的排气管。本发明的屏组件通过在屏的外围设置一组排气管,将所述屏组件用于单晶提拉结构时,所述排气管可以作为新增的氩气出口,可以改变氩气在结构内流动的路径,使得氩气在结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出,减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应,从而延长各石墨组件的使用寿命,降低晶体中的氧含量和碳含量,并降低长晶结束后清的难度;同时,所述屏组件还可以通过改变排气管中的流速,调节屏附近的温度梯度。
  • 组件单晶提拉炉热场结构

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