专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]单晶-CN201320890834.5有效
  • 韩建超;沈杨宇;刘苏生;陈建纲;徐新华 - 上海合晶硅材料有限公司
  • 2013-12-31 - 2014-07-09 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种单晶,包括支撑筒,所述支撑筒内设置有加热器、电极及坩埚,所述加热器围绕坩埚设置,所述电极与所述加热器电连接;其特征在于,所述支撑筒包括外筒和内筒,所述外筒与内筒之间具有间隙,所述外筒与内筒之间的间隙内设置有保温衬筒本实用新型中的单晶,既降低了能耗,又降低了晶棒中的铁含量。能耗降低45%,仅为原来的55%。晶棒每立方厘米铁离子平均含量达到3.02E+10;边缘部分铁离子含量达到1.22E+11,均比使用现有单晶拉制的晶棒少一个数量级。
  • 单晶炉热场
  • [实用新型]单晶-CN201120426085.1有效
  • 张庆 - 雅安恒圣高纯石墨科技有限责任公司
  • 2011-11-01 - 2012-07-11 - C30B15/14
  • 本实用新型公开了一种单晶,它包括内导流筒(4)、外导流筒(5)、三瓣坩埚(7)、坩埚托盘(8)、托杆轴基座(10)、加热器(11)、石墨电极(14)和托杆轴(16),石墨电极(14)位于炉体的底部,加热器(11)通过加热器螺栓(13)与石墨电极(14)连接,托杆轴(16)穿过底板(15)进入炉体,与托杆轴基座(10)连接,托杆轴基座(10)通过托杆销(9)与坩埚托盘(8)连接,三瓣坩埚(7)安装在坩埚托盘
  • 单晶炉热场
  • [实用新型]单晶-CN202223466610.X有效
  • 刘磊;张华利;汪晨;武鹏;楼杭炯;周洁 - 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-05-09 - C30B15/14
  • 本实用新型公开了一种单晶,所述单晶包括:炉体、设置在所述炉体内的保温筒和设置于所述保温筒内的坩埚、侧加热器、底加热器,所述保温筒自上而下依次包括上保温筒、中保温筒和下保温筒,所述侧加热器设置于所述上保温筒的内侧根据本实用新型实施例的单晶,通过使得中保温筒的内径小于上保温筒的内径,不仅可以较好地阻隔侧加热器的热量朝向下方传递,还可以在使得硅料熔为溶汤的阶段,由于底部加热器所在的加热空间相对较小,可以较好地对坩埚的底部进行加热,也减少了侧加热器热量的散逸,从而提高硅料熔为溶汤的效率。
  • 单晶炉热场
  • [发明专利]一种单晶生成方法-CN202111360854.7在审
  • 惠宝锋;马元良;高俊伟 - 青海民族大学
  • 2021-11-17 - 2022-02-15 - G06F30/23
  • 本发明公开了一种单晶生成方法,所述单晶生成方法包括:S1:对原单晶进行扩容处理,得到单晶参数;S2:根据所述单晶参数,对所述单晶进行仿真模拟,得到仿真模拟结果;S3:对所述仿真模拟结果进行分析处理,得到分析处理结果;S4:根据所述分析处理结果对所述原单晶参数进行修改,得到新的单晶。本发明所提供的单晶生成方法,能够解决现有的单晶在生产过程中,生成的单晶硅尺寸唯一,且由于尺寸较小,同等功率下生产效率低下的问题。
  • 一种单晶炉热场生成方法
  • [实用新型]一种直拉单晶快速冷却装置-CN201620267353.2有效
  • 栗宁 - 银川隆基硅材料有限公司
  • 2016-04-01 - 2016-12-21 - C30B15/00
  • 本实用新型公开的一种直拉单晶快速冷却装置,包括升降机构以及水冷管,升降机构用于驱动水冷管进入单晶内。本实用新型的直拉单晶快速冷却装置解决了现有的单晶冷却时间过长的问题。本实用新型的直拉单晶快速冷却装置在停时,通过升降机构将两根水冷管同步伸入单晶中,将底部保温抬起,通过循环冷却水带走中热量,达到降低内温度的目的,其结构简单,避免因改造单晶产生的高额费用,利用单晶底预留电极孔即可安装,冷却效果显著,可将拆时间缩短一半。
  • 一种直拉单晶炉停炉快速冷却装置
  • [实用新型]一种带有结构的单晶-CN202320113466.7有效
  • 段世飞;张忠涛;高畅;胡亚涛;尹嘉琦;江佳飞;张怿;薛金鑫 - 连城凯克斯科技有限公司
  • 2023-01-19 - 2023-09-22 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及单晶硅生产技术领域,具体为一种带有结构的单晶。一种带有结构的单晶,包括上下开口的单晶筒体和结构,所述单晶筒体连接有不少于一个第一限位块,所述结构设有与所述第一限位块位置、数量相对应的所述第二限位块,所述结构在所述单晶筒体内通过所述第二限位块与所述第一限位块可拆卸地限位连接可以使一体化,可提前组装,在单晶现场直接安装使用即可。将这种整体式的单晶设备有机结合,实现的便捷拆装,达到了降低拉晶辅助工步的时长,从而进一步提高单晶的生产效率。
  • 一种带有结构单晶炉
  • [发明专利]单晶单晶-CN201610177122.7有效
  • 邓浩;张龙龙;刘培东;张骏凯 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2016-03-25 - 2019-10-25 - C30B15/00
  • 本发明公开的单晶,包括坩埚及位于其上方的冷却件,还包括护套,护套设置于冷却件靠近坩埚中心轴线的一侧。本发明公开的单晶,包括炉体和如上所述的单晶单晶位于炉体内。本发明的单晶单晶解决了现有技术拉制单晶时提高拉晶速度与提高单晶质量两者不可兼顾的问题。本发明的单晶单晶炉具有冷却件,可以优化温度梯度、提高拉晶速度并降低拉晶成本;并且由于设置了护套,还能确保生长的晶体不受杂质污染、提供具有良好少子寿命的晶体产品。
  • 单晶炉用热场单晶炉
  • [发明专利]基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统-CN202310486587.0有效
  • 蔡一茂;马君健 - 北京大学
  • 2023-05-04 - 2023-08-11 - G06F30/20
  • 本发明公开了基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统,属于半导体技术领域。基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法,包括以下步骤:获取单晶参数源数据;对获取的源数据进行预处理,得到预处理的源数据;输入单晶生长环境感知物联网产生的数据到大数据平台,通过运算框架对所述预处理的源数据建立模型;根据单晶参数源数据。本发明解决了现有技术中没有对单晶进行合理设计,导致单晶生长质量低的问题,对原有单晶进行扩容处理,能够对单晶硅的直径具有包容性,适用面广;且扩容后的单晶功耗相较于原单晶的功耗较低,因而单晶硅生成的质量较好。
  • 基于数据提高生长对流分布均匀方法系统
  • [实用新型]一种单晶防尘装置及防尘单晶-CN202220445062.3有效
  • 龚小伦;关树军;张鹏;路建华;李飞剑;杨春祥 - 乐山市京运通新材料科技有限公司
  • 2022-03-02 - 2022-08-09 - C30B15/00
  • 本实用新型属于单晶硅生产设备的技术领域,具体涉及一种单晶防尘装置及防尘单晶。一种单晶防尘装置,用于单晶时减少微尘杂质掉入,包括,位于中下保温筒上方的上保温筒,位于上保温筒上方并用于将上保温筒开口封闭的防尘盖板。通过在结构中的中下保温筒上设置上保温筒,并在上保温筒上设置防尘盖板,在合时利用该防尘盖板将上保温筒上方开口封闭,阻挡合场外部的微尘杂质进入,可以有效的减少掉入的微尘杂质,以此可以降低拉晶过程中单晶硅棒断线的频率,此外由于较少的微尘杂质的影响,单晶硅棒中少子寿命也不会受到影响降低,从而保证拉制生产出的单晶品质,提高了单晶硅的生产率及生产质量。
  • 一种单晶炉热场防尘装置单晶炉
  • [实用新型]一种悬挂装置和单晶-CN201922352102.0有效
  • 贾祯;冉瑞应;金雪 - 银川隆基硅材料有限公司
  • 2019-12-24 - 2020-11-13 - C30B15/14
  • 本实用新型提供了一种悬挂装置和单晶,涉及太阳能光伏技术领域。其中,悬挂装置用于悬挂单晶内的,包括托架和至少两个第一连接件,托架设置在单晶的底部与之间,托架用于承载,第一连接件沿托架的周向间隔设置,第一连接件的第一端与托架连接,第一连接件的第二端向远离单晶底部的方向延伸,使托架与单晶的底部间隔预设距离。通过在单晶的底部与之间设置托架,在单晶硅的生产过程中,使底部保温层距单晶的底部具有一定距离,避免了底部保温层与单晶底部的直接接触,可以避免场内的热量通过热传导的形式快速的向外散失,降低了场内热量的损失
  • 一种悬挂装置单晶炉

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