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- [发明专利]单晶制造装置-CN202111412204.2在审
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高桥宽贵;小内骏英;菅原孝世
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信越半导体株式会社
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2021-11-25
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2022-07-19
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C30B29/06
- 本发明提供一种通过有效地冷却培育中的单晶从而能够实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。该单晶制造装置具有：容纳收容原料熔液的坩埚的主室、提拉并收容单晶的提拉室、以及以包围提拉中的单晶的方式从主室的顶部向原料熔液表面延伸并被强制冷却的冷却筒，该单晶制造装置还具有嵌合于冷却筒的内侧的冷却辅助筒和嵌合于冷却辅助筒的直径扩大部件，冷却辅助筒具有沿轴向贯穿的切缝，冷却辅助筒通过直径扩大部件的压入而与冷却筒的内表面贴紧，冷却辅助筒具有以覆盖冷却筒的与原料熔液相对的底面的方式向外侧延伸的凸缘部，通过嵌合在冷却辅助筒凸缘部与冷却筒底面之间的贴紧辅助部件，使冷却筒底面、贴紧辅助部件和冷却辅助筒凸缘部贴紧。
- 制造装置
- [发明专利]单晶提拉装置及单晶提拉方法-CN202080033333.8在审
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高野清隆;矢岛涉;菅原孝世;鎌田洋之;太田友彦
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信越半导体株式会社
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2020-03-19
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2021-12-17
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C30B15/00
- 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器和坩埚并具有中心轴；以及磁场产生装置，其具有超导线圈，磁场产生装置具有四个超导线圈，在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中，各两个超导线圈配置为相对于剖面线对称，其中，该X轴是包含四个超导线圈的所有线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向，四个超导线圈都配置为，线圈轴相对于Y轴成大于‑30°小于30°的角度范围，该磁力线的方向相对于剖面线对称，在每一个区域中，两个超导线圈产生的磁力线的方向相反。由此，提供一种在单晶提拉装置的解体·安装时不需要使磁场产生装置移动，能够降低培育的单晶中的氧浓度，并且能够抑制培育的单晶中的生长条纹的单晶提拉装置。
- 单晶提拉装置方法
- [发明专利]单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法-CN201380047665.1在审
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星亮二;菅原孝世
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信越半导体株式会社
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2013-08-26
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2015-05-13
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C30B29/06
- 本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有位于石墨坩埚的直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在坩埚上部绝热部件、坩埚外侧绝热部件和坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，石墨坩埚以及石英坩埚可升降。由此，提供一种能够维持原料熔融液液面的保温性，抑制因凝固等而导致的有错位化的单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法。
- 单晶硅生长装置以及方法
- [发明专利]单晶制造装置及单晶制造方法-CN201080052894.9有效
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岛田聪郎;菅原孝世
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信越半导体股份有限公司
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2010-11-09
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2012-08-15
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C30B29/06
- 本发明提供一种单晶制造装置，是利用切克劳斯基法来实行的单晶制造装置，其具备：坩埚，其容置原料；主室，其容置将该原料加热成原料熔液的加热器；及副室，其连接设置于该主室的上部，用以提拉并容置培育后的单晶；所述单晶制造装置的特征在于具有：内屏蔽，其配置于所述加热器与所述主室之间，并隔绝所述加热器的辐射热；及支持构件，其从下方支持该内屏蔽；并且，所述内屏蔽在三处以上的支点处与所述支持构件接触而得以被支持，所述内屏蔽的下端在所述支点以外不与所述支持构件接触。由此，提供一种单晶制造装置，所述单晶制造装置可以通过降低由内屏蔽向支持构件的热量散失，来提高炉内保温性，省电并且减少单晶的制造时间。
- 制造装置方法
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