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[发明专利]晶种的铺设方法及类单晶晶锭的制作方法-CN201710324758.4在审
发明人：蓝崇文;翁敬闳;杨承叡;张元啸;杨瑜民;余文怀;施英汝;许松林 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司;蓝崇文
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：上述拼接晶种层包括单晶块及单晶挡片，单晶块经配置位于长晶容器的底部且彼此不接触，单晶挡片分别夹设于相邻单晶块之间的间隙并分别与相邻单晶块接触，且单晶挡片的宽度小于单晶块的宽度。单晶块的晶向相同且朝向同一方向，单晶挡片的主要晶向与单晶块的主要晶向相同，且各单晶挡片的次要晶向与单晶块的次要晶向分别具有不为0度的夹角。本发明提供一种类单晶晶锭制作方法，包括形成熔汤于拼接晶种层上，以及冷却熔汤以使晶粒由拼接晶种层上成长以形成类单晶晶锭。
铺设方法类单晶晶锭制作方法

[发明专利]一种制备大尺寸单晶的方法-CN202010306276.8在审
发明人：王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰;徐森锋;姜剑;刘惠生;孙同年 -专利权人：中国电子科技南湖研究院;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：一种制备大尺寸单晶的方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的方法。包括以下步骤：材料选取：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；拼接面加工：对半导体单晶块的拼接面进行经过定向、抛光、酸洗处理；单晶拼合：将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接；单晶连接：将拼合后的单晶块，在真空洁净环境或者在挥发性气氛下施加特定的压力，完成大尺寸单晶的制备。有益效果：1、将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程控制简单，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
一种制备尺寸方法

[发明专利]制造半导体辐射检测器的方法-CN201780089443.4有效
发明人：曹培炎;刘雨润 -专利权人：深圳帧观德芯科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：该方法包括获得多个半导体单晶块(904),多个半导体单晶块中的每个半导体单晶块可具有第一表面(906)和第二表面(908)。所述第二表面可与所述第一表面相对。所述方法还可以包括将多个半导体单晶块通过相应的第一表面结合到第一半导体晶片(902)。所述多个半导体单晶块形成辐射吸收层(110)。所述方法还包括在所述多个半导体单晶块的每个半导体单晶块的相应的第二表面上形成多个电极(912)，在所述多个半导体单晶块的每个半导体单晶块上沉积柱(914)，并将所述多个半导体单晶块通过所述柱结合到第二半导体晶片
制造半导体辐射检测器方法

[实用新型]一种单晶铣刀-CN201922217957.2有效
发明人：丁冲 -专利权人：苏州卡罗伊精密刀具有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B23C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶铣刀，所述铣刀杆的一端设置有铣刀头，且铣刀头包括头体、倒角单晶块、侧铣单晶块、反焊接接面、正焊接接面，所述头体的侧壁设置有正焊接接面，且正焊接接面的端面设置有侧铣单晶块，所述头体得到侧壁设置有反焊接接面，且反焊接接面端面焊接有倒角单晶块，所述铣刀杆的尾部开设有中空腔，且中空腔的孔内插入有螺纹杆，所述螺纹杆的尾部设置有杆尾，所述铣刀杆和铣刀头的头体一体设置。本实用新型所述的一种单晶铣刀，倒角单晶块和侧铣单晶块为两刃非对称结构，倒角单晶块和侧铣单晶块旋转形成复合轮廓，倒角单晶块和侧铣单晶块无内R角设置，一定程度上提高加工精度，满足加工需要。
一种铣刀

[发明专利]一种适用于单晶小硅块的切割方法-CN202110175449.1在审
发明人：王康 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。本发明的单晶小硅块的切割方法，利用有机硅压敏胶带将拼接后的单晶小硅块之间的缝隙同工件板之间隔离开，防止粘棒胶渗入拼接后的单晶小硅块的缝隙中，切割完成后厚片与厚片之间不存在残胶粘连。本发明的单晶小硅块的切割方法，提高了厚片回收利用率，减少了硅料损失。
一种适用于单晶小硅块切割方法

[发明专利]一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法-CN202010305336.4在审
发明人：王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;徐森锋 -专利权人：中国电子科技南湖研究院;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式实现晶体间的固态连接，制备成大尺寸单晶的方法。在于包括以下步骤：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；对半导体单晶块的拼接面进行定向、抛光、酸洗处理；将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接，装配成一体；将装配好的单晶块，放置于热等静压炉体中进行加热和加压处理，完成单晶块间的固态连接。有益效果：1、可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程中，不必考虑位错、孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
一种高纯半导体静压连接方法

[发明专利]测量单晶硅中元素含量的方法及装置-CN202010776364.4有效
发明人：衡鹏;徐鹏;李阳 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量单晶硅中元素含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅中元素含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素且所述保护膜的熔点低于所述单晶硅样品的熔点；对所述单晶硅样品块进行第一阶段的煅烧，使得所述保护膜完全挥发，所述第一阶段的煅烧温度低于所述单晶硅样品块的熔点；对所述单晶硅样品块进行第二阶段的煅烧，使得所述单晶硅样品块熔化，并对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧，氮，氢含量本发明能够有效提高单晶硅中元素含量的检测准确性。
测量单晶硅元素含量方法装置

[发明专利]单晶小硅块的拼接切割方法-CN202010947343.4有效
发明人：季建;岳维维;曹育红 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。本发明将单晶小硅块拼接处理后再进行切片，可提高加工效率，提高产能。本发明将单晶小硅块拼接后再进行切片，使得无需投入大量设备的前提下，就可以满足硅片加工，同时提高产能，大大降低了固定资产的投入。本发明将加工单晶小硅块的方式由单排改进为拼接，单刀产能提升50%，设备投入数量相应降低50%，同时加工硅片过程中所使用的辅材、耗能、人工成本也降低。
单晶小硅块拼接切割方法

[发明专利]制造硅单晶籽晶和硅晶片的方法及硅晶片和硅太阳能电池-CN201310412780.6在审
发明人：安德烈亚斯·克劳斯;朱莉安娜·沃尔特;拉明·希拉 -专利权人：太阳世界创新有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及在硅晶片生产的范围内用于制造硅单晶籽晶和硅晶片的方法、硅晶片和硅太阳能电池，其中将硅单晶籽晶布置在坩埚的底部区域内，其中，所述硅单晶籽晶具有籽晶表面，该籽晶表面具有垂直于坩埚的底部区域的{110}晶体取向，其中从所述硅单晶籽晶的所述籽晶表面开始，将液态高纯度硅固化，并且其中通过使所述晶片表面具有{100}晶体取向的方式将硅块分割成硅晶片，其中，所述硅单晶籽晶由硅单晶块制成，所述硅单晶块的块轴线具有[110]空间取向，其中，切割所述硅单晶块，以形成所述硅单晶籽晶的具有平行于所述块轴线的所述{110}晶体取向的所述籽晶表面。
制造硅单晶籽晶晶片方法太阳能电池

[实用新型]一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构-CN202020576893.5有效
发明人：王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;徐森锋 -专利权人：中国电子科技南湖研究院;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式制备成大尺寸单晶的装配结构。结构中包括包套和置于包套内部的晶块单元，所述包套由包套主体和包套上盖组成，所述包套主体或包套上盖上设置抽气孔，包套内表面设置包套保护层；所述晶块单元包括多个单晶块，单晶块间通过连接面组合，并使用夹具进行固定采用本实用新型提供的装置，可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，制备过程中，热等静压方式使得各单晶块之间各向受力一致，不必考虑位错、孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，设备简单，理论上可以制备任意尺寸的单晶。
一种高纯半导体单晶热静压连接装配结构

[发明专利]制造用于从其上切割半导体晶片的单晶块的方法-CN200480014337.2无效
发明人：松井康之;大槻诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的制造单晶半导体块方法的特征在于，从较大直径的单晶半导体块(1a)中切割出用户所需的多个较小直径的单晶半导体块(2a)。这种方法的第二个优点在于，即使大直径单晶半导体块包含缺陷部分时，仍能够从缺陷区域之外的其它部分切割出一些小直径单晶半导体块使用。
制造用于切割半导体晶片单晶块方法

[实用新型]一种具有防尘功能的单晶组件-CN202220429889.5有效
发明人：谢小两;庞健 -专利权人：浙江欧圣达新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有防尘功能的单晶组件，包括：单晶组件主体和外框架，所述单晶组件主体的外壁案子有外框架；所述外框架的一侧开设有卡槽，所述外框架远离卡槽的一侧连接有卡块，所述卡块的内部开设有方形限位槽。该一种具有防尘功能的单晶组件，通过将一组单晶组件主体一侧的卡块插入到另一组单晶组件主体一侧开设的卡槽内，并通过卡合弹簧的弹性，使限位块插入到卡块内部开设的方形限位槽内，从而可限制卡块的滑动，以达到多组单晶组件主体之间方便拼接组装的目的，且通过微型电机的转动，使清洁条在单晶组件主体的表面进行摩擦，以便于对单晶组件主体表面的灰尘进行清理，以达到防尘的目的。
一种具有防尘功能组件

[发明专利]测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置-CN202010776371.4在审
发明人：衡鹏;徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅间隙氧含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素；对所述单晶硅样品块进行煅烧，对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量
测量单晶硅间隙含量方法装置

[实用新型]一种单晶硅多线切割夹紧装置-CN201821005315.5有效
发明人：陈春成;戚建静 -专利权人：江苏晶品新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及材料加工技术领域，且公开了一种单晶硅多线切割夹紧装置，包括底板，所述底板的左侧固定安装有连接块，连接块的顶部固定安装有多线切割机，所述底板的顶部固定安装有支撑块，支撑块的右侧面活动套装有单晶硅棒，单晶硅棒的左端贯穿支撑块并延伸至多线切割机的左侧，单晶硅棒与多线切割机的内部活动连接。该单晶硅多线切割夹紧装置，通过转动螺杆，螺杆带动移动块在水平方向运动，移动块带动夹紧板运动，从而实现了夹紧板对单晶硅棒进行夹紧，有利于对单晶硅棒进行稳定的移动，进而提高切割件的质量，避免了一般多线切割装置在对单晶硅材料进行移动时，容易导致单晶硅材料的松动，影响多线切割装置的效率。
单晶硅棒底板单晶硅多线切割夹紧装置多线切割装置单晶硅材料多线切割机夹紧板移动块支撑材料加工技术水平方向运动本实用新型活动连接线切割机转动螺杆活动套切割件右侧面移动夹紧螺杆左端松动贯穿延伸

[实用新型]一种芯片加工用单晶炉-CN202120788639.6有效
发明人：胡天武 -专利权人：绍兴宇力半导体有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片加工用单晶炉，包括单晶炉本体，单晶炉本体上滑动设置有滑动块，单晶炉本体上固定有第一电动推杆且其输出轴与滑动块固定配合，第一电动推杆输出轴伸出时可驱动滑动块移动，滑动块上滑动设置有夹持机械手，滑动块内固定有第二电动推杆且其输出轴与夹持机械手固定配合，第二电动推杆输出轴伸出时可驱动夹持机械手移动，单晶炉本体上固定有支撑框，支撑框上贯穿固定有风机，风机可传输外界气流对单晶进行冷却，可以对单晶进行冷却
一种芯片工用单晶炉

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