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[发明专利]一种光子级联GaAs-OI基片上微腔半导体激光器及制备方法-CN202111655825.3有效
发明人：代京京;王智勇;张彤 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子级联GaAs‑OI基片上微腔半导体激光器及制备方法，GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有VCSEL激光器外延结构；GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底下表面设有第一反射层，VCSEL激光器外延结构的上表面设有第二反射层。本发明利用半导体VCSEL激光器激射第一波长激光泵浦掺杂在GaAs‑OI复合晶圆结构单晶Si衬底层的镧系稀土离子，产生第二波长的激光；通过绝缘体上半导体结构易于进一步提高片上微腔激光器器件的集成度并抑制器件短沟道效应
一种光子级联 gaas oi 基片上微腔半导体激光器制备方法

[实用新型]一种单晶硅棒料转运装置-CN202020548285.3有效
发明人：李海威;梁兴华;黄田玉;林孝狮;陈绍森;方捷;林光展;刘林炎;姚煌 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及硬脆材料切割技术领域，尤其涉及一种单晶硅棒料转运装置，包括回转换向机构、圆棒夹持机构、边料夹持机构和方料夹持机构；所述回转换向机构包括转向驱动机构和回转座；所述圆棒夹持机构、边料夹持机构和方料夹持机构分别固定于回转座的不同侧壁上，圆棒夹持机构用于夹持待加工的单晶硅棒，边料夹持机构用于夹持单晶硅棒开方后切割出的边料，方料夹持机构用于夹持单晶硅棒开方后的方棒；所述转向驱动机构用于驱动回转座转向运动，以带动圆棒夹持机构、边料夹持机构和方料夹持机构位置转换
一种单晶硅转运装置

[实用新型]一种单晶硅片切割装置-CN202222421109.5有效
发明人：徐礼健;蒋军 -专利权人：江苏和阳新材料有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及切割装置技术领域，且公开了一种单晶硅片切割装置，包括底座，所述底座的顶部安装有L型板，所述L型板的外部设置切割装置，所述切割装置包括切割丝机构和往复机构。该单晶硅片切割装置，通过启动电机使转轴带动主动齿轮转动，通过主动齿轮与从动齿轮啮合连接，从而带动从动齿轮、一号转杆和驱动轮转动，配合导向轮使切割钢丝运动，同时转轴带动偏心圆轮转动，利用弹簧的弹力作用，配合偏心圆轮的自重，使转动的偏心圆轮始终紧贴支撑板，从而使偏心圆轮带动切割丝机构上下往复移动，切割钢丝对多根单晶硅棒的头部同时进行切片，实现了通过往复移动的切割丝机构切割降低损耗，有效提高单晶硅棒的利用率。
一种单晶硅切割装置

[发明专利]直拉单晶硅直径测量方法-CN201010584834.3有效
发明人：郭兵健;徐一俊;黄笑容;万喜增;陈功;蒋委达 -专利权人：浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶硅直径测量方法，首先使用摄像机同步采集单晶生长的图像，对采集到的每帧图像进行预处理和边缘检测，然后对每帧图像采用中点Bresenham画圆算法进行圆的亚像素最佳逼近和拟合，在拟合圆弧的基础上进行均值滤波，得到单晶的准确直径。本发明采用的中点Bresenham画圆算法可以进行圆的亚像素最佳逼近，使用普通模拟工业摄像机就可以精确的计算出单晶的直径，达到高分辨率工业相机的测量效果。
单晶硅直径测量方法

[发明专利]一种单晶磨削装置、单晶磨削一体机及单晶磨削方法-CN202010758959.7在审
发明人：梁志慧;贡艺强;蔺永生;王猛;王晓鹏;王福宝;林雪龙;王慧慧;许建虹;邢玉军;马洋;匡文军;郭鑫乐;张瑞祥 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶磨削装置，包括粗磨砂轮组和精磨砂轮组，粗磨砂轮组与精磨砂轮组沿着单晶的长度方向依次设置，对单晶的平面及外圆进行磨削；粗磨砂轮组包括第一粗磨砂轮装置和第二粗磨砂轮装置，第一粗磨砂轮装置与第二粗磨砂轮装置平行设置，且第一粗磨砂轮装置与第二粗磨砂轮装置可相对移动，对单晶的平面及外圆进行磨削；精磨砂轮组包括第一精磨砂轮装置和第二精磨砂轮装置，第一精磨砂轮装置与第二精磨砂轮装置平行设置，且第一精磨砂轮装置与第二精磨砂轮装置可相对移动，对单晶的平面及外圆进行磨削。本发明的有益效果是使用两组砂轮完成平面部分和外圆部分的粗磨和精磨，有效减少辅料种类，减少人为干预，提升设备加工效率。
一种磨削装置一体机方法

[实用新型]一种单晶磨削装置、单晶磨削一体机-CN202021561843.6有效
发明人：梁志慧;贡艺强;蔺永生;王猛;王晓鹏;王福宝;林雪龙;王慧慧;许建虹;邢玉军;马洋;匡文军;郭鑫乐;张瑞祥 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶磨削装置，包括粗磨砂轮组和精磨砂轮组，粗磨砂轮组与精磨砂轮组沿着单晶的长度方向依次设置，对单晶的平面及外圆进行磨削；粗磨砂轮组包括第一粗磨砂轮装置和第二粗磨砂轮装置，第一粗磨砂轮装置与第二粗磨砂轮装置平行设置，且第一粗磨砂轮装置与第二粗磨砂轮装置可相对移动，对单晶的平面及外圆进行磨削；精磨砂轮组包括第一精磨砂轮装置和第二精磨砂轮装置，第一精磨砂轮装置与第二精磨砂轮装置平行设置，且第一精磨砂轮装置与第二精磨砂轮装置可相对移动，对单晶的平面及外圆进行磨削。本实用新型的有益效果是使用两组砂轮完成平面部分和外圆部分的粗磨和精磨，有效减少辅料种类，减少人为干预，提升设备加工效率。
一种磨削装置一体机

[发明专利]一种在硅晶圆背面生长多晶硅层的方法-CN200910246111.X无效
发明人：蔡雪良;李汉生 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅圆的生产中一种在表面处理过程中背面生长一层多晶硅的方法，具体是关于在单晶硅圆背面生长多晶硅的工艺中，关于将硅晶圆排列在晶舟上的方法，此方法具有提高生产效率，节约原料和设备资源的效果。
一种硅晶圆背面生长多晶方法

[发明专利]贴合式半导体晶圆以及贴合式半导体晶圆的制造方法-CN201680014896.6有效
发明人：石川修;加藤正弘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种贴合式半导体晶圆，在主要表面上具有单晶硅层，其中该贴合式半导体晶圆具有一自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层，并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面，以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。因此提供能避免掉Trap‑rich型的SOI基板中由于BOX氧化膜之中的电荷的影响或杂质所导致的基底晶圆的电阻率的低下，并使高频的基本讯号的失真及一电路向其它电路的环绕讯号变少，并且量产性为优良的贴合式半导体晶圆
贴合半导体以及制造方法

[发明专利]一种减小光刻图形尺寸的工艺方法-CN202310236401.6在审
发明人：陈章隆;巩小亮;孙虎;朱勇波;苏鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小光刻图形尺寸的工艺方法，包括以下步骤：S1、制备具有基底单晶硅、氧化硅层和顶层单晶硅结构的晶圆；S2、在晶圆上匀涂一层光刻胶；S3、用光刻技术在光刻胶上定义图形，获得带图形的光刻胶；S4、对顶层单晶硅进行湿法刻蚀，获得带图形的顶层单晶硅；S5、通过等离子体刻蚀或者热浓硫酸溶液去除带图形的光刻胶；S6、用湿法刻蚀或等离子体刻蚀对暴露出的氧化硅层区域进行刻蚀，形成带图形的氧化硅层；S7、用等离子体刻蚀对暴露出的基底单晶硅区域进行刻蚀，获得带沟槽的基底单晶硅；S8、用HF溶液对晶圆进行处理，获得尺寸缩小的带沟槽的基底单晶硅。
一种减小光刻图形尺寸工艺方法

[发明专利]利用单晶圆腔室沉积纳米晶体硅-CN200580024926.3无效
发明人：希比·J·帕纳伊尔;李明;树林·王;乔纳森·C·皮克林 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：在本发明的一实施方式中，将衬底放置于单晶圆腔室中并加热至约300℃到490℃之间的温度。另外，将硅源导入所述单晶圆腔室中。
利用单晶圆腔室沉积纳米晶体

[发明专利]Micro LED晶圆结构及其制备方法-CN202011050157.7有效
发明人：庄文荣;孙明;卢敬权 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种Micro LED晶圆结构及其制备方法，制备方法包括步骤：1)提供一单晶衬底，单晶衬底包括相对的第一面及第二面，于单晶衬底的第一面上形成LED结构层；2)基于LED结构层在单晶衬底上制备出多个Micro LED阵列；3)自第二面对单晶衬底进行减薄，然后通过湿法腐蚀工艺在第二面形成透镜阵列；4)于单晶衬底第二面上形成黑色矩阵，在黑色矩阵中形成量子点阵列，量子点阵列、透镜阵列及Micro LED本发明采用单晶衬底进行芯片各个层的生长，大大降低了位错密度。本发明形成透镜阵列，对晶圆上各个芯片的出光起到汇聚作用，可有效降低芯片之间的串光，并使出光与量子点的接触效果更好。
micro led 结构及其制备方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201780040672.7在审
发明人：斋藤康裕;最胜寺俊昭;田边一美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：对于规定的制造条件，预先求出通过CZ法提拉时的单晶(C)的直径(D)、施加于熔液(M)的水平磁场强度(G)、提拉时的单晶(C)的结晶旋转速度(V)以及晶圆外周部的氧浓度的分布特性(δ)之间的相互关系；从前述晶圆外周部的氧浓度的分布特性的极限值、前述水平磁场强度的极限值、前述提拉时的单晶的结晶旋转速度的极限值以及前述相互关系，求出提拉时的单晶的最小直径；将该求出的最小直径作为目标直径，在前述规定的制造条件下制造单晶硅。
单晶提拉单晶硅分布特性水平磁场制造条件外周部晶圆熔液制造施加

[发明专利]一种单晶硅片及单晶硅片减薄方法及应用-CN201510073278.6在审
发明人：袁建新 -专利权人：南通奥斯特鞋业有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片及单晶硅片的减薄方法及应用。所述硅片具有小于80um的均匀厚度，并且柔韧而且富有弯曲弹性。所述单晶硅片减薄方法，包括至少对硅片第一面进行机械-化学抛光修整，以及只靠圆片第二面和固定设备的平面支承座间产生的分子真空将圆片悬挂到相对于抛光毡以摆线旋转运动方式驱动的固定设备上。所述单晶硅片可以作为一个半导体功能器件的衬底，应用于集成电路芯片上，使芯片厚度小于80um。本发明所得单晶硅片厚度基本均匀；在承受机械应力时，厚度小于80um的单晶硅片会弯曲，不会破裂；另外，单晶硅片的柔韧性并没有改变单晶硅作为半导体材料的功能；本发明工艺简单易实施，成本低廉，适于规模化生产。
一种单晶硅片减薄方法应用

[发明专利]一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法-CN202010681156.6有效
发明人：李刚;柯尊斌;徐卫 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法，包括如下步骤：1)将单晶段底部用环保水煮胶粘上树脂底板、并固化；环保水煮胶包括质量比为1：(4.5‑5.5)的A组分和B组分；A组分包括：聚环氧乙烷4525份，二氧化钛3‑5份，钙盐20‑22份和氨盐6‑8份；B组分：包括氧化胺30‑35份，硫基加成物33‑38份，钙盐20‑25份和氨盐5‑15份；2)在树脂板底部粘上石墨条、并固化；3)将步骤2)所得单晶段装在钻床上，同时固定好套筒，套筒对准单晶，从单晶顶部向底部进行套圆，套圆结束后，在85‑95℃的热水中浸泡6‑12分钟，单晶段底部的环保水煮胶粘自动剥落，得到完整、无破损的单晶棒。
一种提高红外晶体合格率方法

[发明专利]氮化物半导体晶圆及氮化物半导体晶圆的制造方法-CN202180045965.0在审
发明人：土屋庆太郎;筱宮胜;菅原孝世 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体晶圆，其为在单晶硅基板上具有由氮化物半导体构成的器件层的氮化物半导体晶圆，其中，所述单晶硅基板为CZ单晶硅基板，其电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度为5.0×10单晶硅基板，也不易发生塑性变形，且基板的翘曲较小的氮化物半导体晶圆。
氮化物半导体制造方法

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