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[发明专利]碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片-CN201610843180.9有效
发明人：中林正史;藤本辰雄;胜野正和;柘植弘志 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种优质的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片，所述碳化硅单晶，其位错和微管等的晶体缺陷的密度低，在应用于器件时成品率高并可发挥高的性能，在晶种与生长晶体的界面的生长方向的前后的杂质添加元素浓度之比为
碳化硅晶片

[发明专利]碳化硅单晶衬底-CN202010466190.1在审
发明人：本家翼;冲田恭子;川濑智博;堀勉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶衬底。一种碳化硅单晶衬底，具有包含直径为100mm的圆的形状的主表面，其中，在布及所述主表面的整个面的任意的位置处通过将c轴向所述主面投影而得到的多个方向上的角度全部分布在3°以内。
碳化硅衬底

[发明专利]一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶-CN202010517681.4在审
发明人：靳丽婕;张云伟;何丽娟;陈颖超;杨丽雯;李天运;程章勇;李百泉;韦玉平;刘广政 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种低缺陷位错密度的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶。其特征为：1、大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶在生长面（C面）上被一层同质外延层覆盖；2、该籽晶在C面过渡外延层前需要双面抛光、C面CMP。
一种尺寸碳化硅晶体生长籽晶

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201680004997.5在审
发明人：佐佐木将;原田真;堀勉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括将碳化硅原料填充到坩埚中的步骤(S01)，所述碳化硅原料的流动性指数为70以上且100以下；和通过加热所述碳化硅原料而使所述碳化硅原料升华的步骤(S02)。
碳化硅制造方法

[实用新型]一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置-CN202122361669.1有效
发明人：陈鹏磊;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;程周鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置，包括：外保温结构、石墨坩埚及石墨盖，所述石墨盖位于石墨坩埚顶部并密封石墨坩埚，所述石墨盖内侧设有籽晶，所述石墨坩埚内填充碳化硅粉料，所述外保温结构覆盖石墨坩埚和石墨盖的周围，还包括石墨导流环；所述石墨导流环设置在石墨坩埚内部且设置在碳化硅粉料和籽晶之间。本实用新型通过在PVT法碳化硅单晶生长热场结构上增设石墨导流环有效降低了重结晶现象，提高了所形成的碳化硅晶体品质。
一种 pvt 生长碳化硅改善气氛流向装置

[发明专利]一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法-CN201210571719.1无效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法，包括选用初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料；通过注氢智能剥离方法在初始单晶碳化硅晶圆中注入离子形成一层气泡层；将初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行表面处理后，清洗表面并旋转甩干，之后对初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行等离子辅助键合；将键合形成的材料进行高温退火，初始单晶碳化硅晶圆的气泡层会聚集并使初始单晶碳化硅晶圆发生蹦离，得到单晶碳化硅复合衬底材料。本发明提出的氮化镓基半导体材料的制备方法，既可以使氮化镓基材料的外延获得高质量的碳化硅单晶衬底，又可以有效降低衬底材料的成本。
一种氮化半导体材料外延复合衬底制备方法

[发明专利]一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀-CN201010588030.0有效
发明人：陈小龙;黄青松;王波;王锡铭;李龙远;郑红军;郭钰 -专利权人：北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片的平整度能够调整到TTV＜0.5微米(μm)、Bow＜0.1μm Warp＜0.1μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。
一种 sic 平整调整方法湿法刻蚀

[发明专利]一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法-CN202110075714.9在审
发明人：马远;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间石墨管组件，所述第一坩埚和所述第二坩埚通过所述石墨管组件连接形成通路，硅溶液和所述碳经所述通路在所述第一坩埚和所述第二坩埚中流动扩散，并在所述第一坩埚内形成所述碳在所述硅溶液中的过饱和溶液，以液相生长得到所述碳化硅单晶根据本发明可以有效地解决碳在溶硅溶液中溶解度过低，晶体无法长大的问题，而且有效地改善了碳化硅单晶的位错缺陷。
一种碳化硅相生装置方法

[发明专利]一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用-CN202310991407.4在审
发明人：张永伟;袁振洲;丁同悦;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用，所述保温结构包括围绕于碳化硅单晶生长装置外部的侧部保温单元、顶部保温单元和底部保温单元；所述侧部保温单元由矩形保温条绕制而成，且所述矩形保温条的两个连接端部分别独立地设置有斜坡结构，包括外端斜坡和内端斜坡；所述外端斜坡位于远离碳化硅单晶生长装置的连接端部，所述内端斜坡位于靠近碳化硅单晶生长装置的连接端部；设定所述外端斜坡的斜边长度为L1，所述内端斜坡的斜边长度为L2，则所述保温结构满足
一种碳化硅生长保温结构及其制作方法应用

[实用新型]一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置-CN202022607214.9有效
发明人：王宗玉;高超;宁秀秀;李霞;潘亚妮;高宇晗;方帅;赵树春;杨晓俐;张九阳 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，包括：长晶炉，长晶炉内设置有坩埚，坩埚的开口呈缩口形；长晶炉的外侧设有提拉电机，提拉电机通过升降机构与坩埚的坩埚上盖连接；坩埚的上方设有组合式加热器，组合式加热器包括多个同心设置的加热环，以使得通过控制所述多个同心设置的加热环的加热温度，调节碳化硅单晶在长晶阶段时坩埚内的轴向温梯和径向温梯。本申请提供的制备碳化硅单晶的装置，通过调节多个加热环整体的温度，控制坩埚内部的轴向温梯，控制每个加热环各自的温度，进而控制热场中特别是晶体生长界面处的径向温梯，使其能够维持较大的晶体边缘径梯，提高边缘质量，同时获得更大尺寸的碳化硅单晶。
一种用于制备质量尺寸碳化硅装置

[实用新型]一种碳化硅单晶炉顶部测温结构-CN202120615808.6有效
发明人：李留臣;周洁;程绪高;周正星 -专利权人：江苏星特亮科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅单晶炉顶部测温结构，包括设于炉盖上方的红外高温计、连通在炉盖上方的且内部开设有测温腔的第一主体、设于第一主体顶部的玻璃板、开设于第一主体侧部的进气口；红外高温计位于玻璃板正上方本实用新型一种碳化硅单晶炉顶部测温结构，在碳化硅单晶生长过程中，将需要持续通入的工艺气体从进气口通入，工艺气体在进气的同时持续吹扫玻璃板下表面，以对玻璃板下表面的挥发物进行驱除，从而使玻璃板维持洁净透亮，以保证红外高温计对石墨坩埚顶部测温的精准度，从而保证碳化硅单晶的稳定生长。
一种碳化硅炉顶测温结构

[实用新型]一种碳化硅单晶生长炉-CN202220965649.7有效
发明人：胡动力;王人松 -专利权人：大连连城数控机器股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶生长炉。该碳化硅单晶生长炉，由于设有提升装置便于炉盖的提升，由于传动装置上设有升降组件和旋转驱动组件，进而可以带动磁流体上的坩埚轴转动以及升降运动，通过设置与坩埚轴连通的水滑环，可对坩埚轴进行冷却，同时由于设置了水滑环本身，避免了水管的掉落保证了坩埚轴冷却的可靠性，由于设置了测温计并对应的在水滑环的内部开设了第二通孔，测温计可透过第二通孔和坩埚轴上的中心通孔，可测量与坩埚轴连接的坩埚底部的温度，由此该碳化硅单晶生长炉同时实现了坩埚轴的升降旋转、水冷以及对坩埚测温的功能，使碳化硅单晶生长炉功能多样化、使用便捷。
一种碳化硅生长

[发明专利]一种高纯度超薄碳化硅衬底制备方法-CN202010016697.7有效
发明人：王丕龙;王新强 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯度超薄碳化硅衬底制备方法，碳化硅制备技术领域，取三组等份的碳化硅原料，经气流粉末磨粉机破碎处理，将破碎后的碳化硅原料通过直线振动筛进行筛选，将步骤S1得到的碳化硅原料加入搅拌桶，并加入等量去离子水搅拌均匀，将三组等份的碳化硅原料装入密封腔内，并抽取真空、除杂后充入保护气体，该方式解决了现有技术在石墨坩埚中并没有进行分阶段的进行加热，在不同制备步骤下，如何进行分阶段的二次高温加工得技术问题，对经过加热的高质量碳化硅单晶进行二次高温快速退火加工，从而获得的超薄碳化硅单晶衬底品质好且加工方法简单，效率较之现有技术更高。
一种纯度超薄碳化硅衬底制备方法

[发明专利]一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置-CN202210377781.0有效
发明人：王明华;杨孝泽;朱鑫煌;蒋琳;张振远;王恒;宣丽英 -专利权人：杭州乾晶半导体有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置；包括提供碳化硅晶锭的穹顶部分，其中，所述穹顶部分具有穹顶弧面和相对的切割面，所述切割面的直径大于在后续形成的碳化硅晶圆的直径；将所述穹顶部分作为碳化硅籽晶，所述穹顶部分的穹顶弧面作为晶体生长面，为生长碳化硅单晶提供结构模板，进行碳化硅单晶生长。本发明对在传统制作碳化硅晶圆的工艺路线中不形成产品的部分进行了充分的利用，提高了源材料的利用率，降低了晶圆单片成本，有利于在大规模生产过程中降低碳化硅晶圆的成本。
一种碳化硅籽晶重复循环利用方法装置

[发明专利]基于化学沉积技术模拟碳化硅单晶表面氧化层生长的方法-CN202210759791.0在审
发明人：刘中利;李兴冀;杨剑群;魏亚东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于化学沉积技术模拟碳化硅单晶表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，具体包括以下步骤：步骤S1：建立单晶碳化硅的模型，在所述模型中所述单晶碳化硅表面增设真空层，运用分子动力学的反应力场使碳化硅原子处于初始状态；步骤S2：加热所述单晶碳化硅至反应温度后，使所述单晶碳化硅在反应温度下平衡，在所述真空层内，重复模拟Si原子和O2分子在所述单晶碳化硅表面上充分反应并沉积的过程，得到沉积在所述单晶碳化硅表面的氧化层；步骤S3：优化所述单晶碳化硅及所述氧化层中的原子位置，得到氧化薄膜，获取所述氧化薄膜的结构数据。
基于化学沉积技术模拟碳化硅表面氧化生长方法