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[发明专利]半导体器件及制备方法-CN202211739228.3在审
发明人：李琳瑜;胡杏;曹瑞霞 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及制备方法。其中，半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，且设有第一空气间隙，所述第一空气间隙自所述第一表面沿垂直所述半导体衬底的方向远离所述第一表面延伸于所述半导体衬底内；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底的第一表面上，且覆盖所述第一空气间隙、所述第二空气间隙上；硅通孔结构，所述沿垂直所述半导体衬底的方向远离所述第一表面延伸于所述半导体衬底内，所述硅通孔结构内包括有导电材料。本发明不仅可以降低硅通孔的热应力，同时能够较好兼容三维半导体集成工艺，提高了三维半导体的集成密度。
半导体器件制备方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201510051501.7有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括：第一半导体层、位于第一半导体层上的绝缘层和位于绝缘层表面的第二半导体层；在第二半导体层上形成栅极结构，栅极结构包括覆盖部分第二半导体层的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述第二半导体层表面形成非晶硅层，非晶硅层覆盖侧墙且所述非晶硅层的表面与栅极结构的顶部表面齐平；对栅极结构两侧的非晶硅层进行金属横向诱导晶化处理，使非晶硅层转变为多晶硅层；回刻蚀所述多晶硅层，使多晶硅层的表面低于栅极结构的顶部表面；在栅极结构两侧多晶硅层内形成源漏极。
晶体管及其形成方法

[发明专利]消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件-CN200810203540.4有效
发明人：韩秋华;杜珊珊;黄怡;赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：一种消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件，其中所述消除半导体器件表面缺陷的方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掺杂的多晶硅层，所述多晶硅层的表面附着有杂质；在所述多晶硅层上形成氧化物牺牲层使得半导体元件表面原先附着的杂质得以去除，可减少对后续工艺的污染，相对提高产品的良率。
消除半导体器件表面缺陷方法

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置-CN201110069262.X有效
发明人：朴钟贤;柳春基;朴鲜;姜镇熙;李律圭 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基底；多晶硅半导体层，位于基底上；金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，其中，半导体层的多晶硅包括与晶化生长方向平行的晶界，多晶硅半导体层的表面粗糙度小于大约15nm，多晶硅层的表面粗糙度定义为在多晶硅半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。
薄膜晶体管制造方法显示装置

[发明专利]半导体迭层与其制造方法-CN200910138578.2有效
发明人：侯智元 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体迭层与其制造方法。一种半导体迭层的制造方法，其包括下列步骤。首先，于基板上形成非晶硅层。接着，对非晶硅层的表面进行表面处理。之后，于经过表面处理后的非晶硅层的表面上形成掺杂微晶硅层，其中非晶硅层与掺杂微晶硅层之间的界面缺陷，在宽度为1.5微米与厚度为40纳米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。上述半导体迭层的制造方法可应用于半导体元件的制程中，以有效减少半导体迭层的界面缺陷。
半导体与其制造方法

[发明专利]半导体基片及其制作方法-CN98101776.2无效
发明人：堀川贡弘;渡边匡人 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-05-07 - 公布日： 1998-12-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体基片,它可以在制作半导体器件的整个过程中保持其吸收能力,并能够阻止先前被吸收的污染性杂质被重新释放进入半导体器件的工作区。该半导体基片包括一个硅基片、一个多晶硅层和一个高浓度硼层。硅基片具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。多晶硅薄膜至少是间接地形成于第二表面上,高浓度硼层置于硅基片与多晶硅薄膜之间。本发明还提供了用来制作这种半导体基片的方法。
半导体及其制作方法

[发明专利]3D集成电路及其制造方法-CN201010189140.X有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种3D集成电路及其制造方法，该电路结构包括：半导体衬底；半导体器件，形成于所述半导体衬底的上表面；硅通孔，贯穿所述半导体衬底，包括覆盖所述硅通孔侧壁的绝缘层以及所述绝缘层内填充的导电材料；互连结构，将所述半导体器件与所述硅通孔之间进行连接；以及扩散俘获区，形成于所述半导体衬底的下表面。
集成电路及其制造方法

[发明专利]硅化金属制造的方法-CN200310122564.4有效
发明人：吴炳昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：在此揭露硅化金属(silicide)制造的处理方法。首先，有一半导体结构具有一半导体表面与一绝缘表面。其次，在半导体表面形成一外延层。接着，处理半导体结构，其中处理步骤中对绝缘表面的移除速率大于对外延层的移除速率，然后，在形成外延层的半导体结构上形成一金属层，最后，加热外延层以形成硅化金属。经过上述的处理步骤，可避免于绝缘表面上形成硅化金属而造成元件品质上的劣化。
金属制造方法

[发明专利]半导体衬底及其制造方法以及半导体器件-CN200510055305.3无效
发明人：永野元;水岛一郎;宫野清孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底及其制造方法以及使用此半导体衬底的半导体器件，该半导体衬底包括具有大致相同高度的应变硅区域及弛豫硅区域。根据在此公开的本发明的实施方式的半导体衬底，包括：支持衬底；第一半导体区，包含在上述支持衬底的上方形成的第一硅层；第二半导体区，包含按照与上述第一硅层表面大致相同的高度在上述支持衬底的上方形成的、具有应变的第二硅层；以及在上述第一半导体区和第二半导体区的界面处的绝缘膜。
半导体衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]无电解镀金用组合物-CN202110240282.2在审
发明人：津田贵大;德久智明;森田智之;清水寿和 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等，解决了上述课题。
电解镀金组合

[发明专利]一种有机半导体材料的阵列制备方法-CN202010375402.5在审
发明人：吴朋桦;屈芙蓉;孙冰朔;夏洋;李楠;赵丽莉;冷兴龙;李磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱的表面进行化学修饰，使所述硅柱的表面达到超疏水状态；在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发，使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶，在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品；将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上，在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面，由于采用热蒸镀的方法，因此，特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料；另一方面，采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式，保证阵列的微纳加工质量。
一种有机半导体材料阵列制备方法

[发明专利]一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法-CN201511031542.6有效
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：昆山成功环保科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：(1)对硅基半导体进行清洗，之后在其表面沉积氧化硅；(2)对化合物半导体进行清洗，之后在其上沉积三氧化二铝介质；(3)在沉积完三氧化二铝介质后对其表面进行三甲基铝气体吹扫；(4)对硅基半导体二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，之后将两种半导体进行热键合。本发明所述的低温化合物半导体与硅基半导体键合方法，温度低于350度，且采用三氧化二铝与二氧化硅键合，键合步骤简单、成本低。
一种化合物半导体进行方法

[发明专利]基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法-CN202010515854.9在审
发明人：吴朋桦;卢维尔;赵丽莉;刘涛;何萌;屈芙蓉;夏洋;江雷;吴雨辰;孙冰朔;李培源;冷兴龙;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。
基于柔性衬底有机半导体阵列转移方法

[发明专利]一种硅通孔互连结构及其制造方法-CN201180037684.7无效
发明人：尹海洲;骆志炯 -专利权人：昆山智拓达电子科技有限公司
申请日： 2011-07-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种硅通孔互连结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底（200）；从所述半导体衬底（200）的第一表面形成凹孔（202），并在所述凹孔（202）的侧壁和底面上形成第一绝缘层（203），以及在所述第一绝缘层（203）上形成牺牲层（204）；在所述凹孔（202）内填充硅通孔导体（205），以及在所述半导体衬底（200）的第一表面上形成与该硅通孔导体（205）电性连接的第一接触垫（207）；从所述半导体衬底（200）的第二表面对该半导体衬底（200）进行减薄，直至暴露出所述硅通孔导体（205）；去除所述牺牲层（204），在所述硅通孔导体（205）和第一绝缘层（203）之间形成空隙层（211）；将多个所述半导体衬底相应地，提供一种硅通孔互连结构。该制造方法和互联结构可以有效地降低硅通孔与半导体衬底（200）之间的寄生电容，以及有效地减小硅通孔导体（205）在热膨胀中对所述半导体衬底（200）产生的应力作用。
一种硅通孔互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN97110284.8无效
发明人：卢火铁;林建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 1997-04-10 - 公布日： 2001-06-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括一半导体基底；一绝缘层，位于该半导体基底表面上；一多晶硅层，位于该绝缘层表面上；以及一导电层，位于该多晶硅层表面上；所述多晶硅层在半导体基底上形成为Ｔ形的延伸结构。本发明还涉及制作半导体器件的方法。本发明可以在越来越窄的栅极及导线提供低电阻的金属硅化物结构。
半导体器件及其制造方法