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[发明专利]异质结硅晶太阳能电池及其制造方法-CN201510055799.9有效
发明人：陈芃 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结硅晶太阳能电池及其制造方法，制造方法先提供一硅晶半导体基板，接着在硅晶半导体基板的第一表面的第一透明导电层与第二表面的第二透明导电层上分别形成一第一掩模与一第二掩模；接着通过蚀刻气体去除硅晶半导体基板的侧壁表面的第一透明导电层与第二透明导电层；再来以蚀刻剂去除硅晶半导体基板的侧壁表面的第一非晶半导体层、第二非晶半导体层、第一缓冲层与第二缓冲层；最后在第一表面的第一透明导电层与第二表面的第二透明导电层上形成至少一电极，以制造出异质结硅晶太阳能电池
异质结硅晶太阳能电池及其制造方法

[发明专利]半导体封装及制造半导体封装的方法-CN201911163580.5在审
发明人：李章雨;吴琼硕;孔永哲;朴佑炫;沈钟辅;车载明 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面
半导体封装制造方法

[发明专利]晶圆结构、芯片结构以及堆迭型芯片结构-CN201210156433.7无效
发明人：刘安鸿;黄士芬;李宜璋;黄祥铭 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：晶圆结构包括一半导体基底、多个穿硅导孔、多个测试接垫及多条重配置导电迹线。半导体基底具有一主动表面、一背表面及多条将半导体基底分隔成多个芯片单元的切割道。穿硅导孔位于芯片单元内且贯穿半导体基底，并使半导体基底的主动表面与背表面相互电性连接。每一穿硅导孔的一第一端与一第二端分别位于半导体基底的主动表面与背表面。测试接垫配置于半导体基底的背表面上且位于切割道内。重配置导电迹线配置于半导体基底的背表面上。重配置导电迹线分别从芯片单元延伸至切割道内，且分别连接穿硅导孔的第二端与测试接垫。
结构芯片以及堆迭型

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN89104443.4无效
发明人：伊沃·约翰内斯·马蒂尔达斯·玛丽亚·拉伊梅卡斯 -专利权人：菲利浦光灯制造公司
申请日： 1989-06-24 - 公布日： 1992-07-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括一具有表面(2)的半导体本体(1)，表面(2)毗连着硅区(3、4、5和6)与绝缘材料区(8和9)，各硅区设有金属硅化物的顶层(10)，将金属淀积在半导体本体的表面上，然后在淀积过程中将半导体本体加热到形成金属硅化物的温度。本发明淀积的是钴和镍，然后将半导体本体加热到形成硅化钴或硅化镍的温度。以避免在毗邻各硅区的各绝缘材料区的各部分长出金属硅化物。
半导体器件制造方法

[发明专利]基于晶硅的薄膜太阳能电池及其形成方法-CN201110417423.X有效
发明人：傅建明;杨瑞鹏 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于晶硅的薄膜太阳能电池及其形成方法。所述电池包括：材料为单晶硅或多晶硅的基板；位于基板上表面的光电转换单元，依次包括：P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；P型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层，P型半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置；N型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的N型半导体子层，N型半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置；位于I型半导体层表面的P型半导体子层和N型半导体子层的掺杂离子浓度最小；位于光电转换单元上表面的抗反射层；位于抗反射层上表面的正面电极；位于基板下表面的背面电极。
基于薄膜太阳能电池及其形成方法

[发明专利]半导体检测结构及检测方法-CN201110406774.0有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体检测结构及对应的检测方法，所述半导体检测结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；所述半导体衬底内至少形成三个贯穿其厚度的硅通孔；位于所述半导体衬底第一表面的分立的金属互连层，所述金属互连层具有加载节点和测试节点，各金属互连层与相应的硅通孔相连接；位于所述半导体衬底第二表面的再分配层，所述再分配层依次与每个硅通孔的底部电学连接。将偏置电流施加在待检测硅通孔和位于其一侧的第一测试硅通孔对应的加载节点间，通过在待检测硅通孔和位于其另一侧的第二测试硅通孔之间相应的测试节点测量对应的电压，就能获得待检测硅通孔的电阻，从而判断所述待检测硅通孔内是否有缺陷
半导体检测结构方法

[发明专利]包含用于热耗散的单片硅结构的半导体装置组合件及其制造方法-CN202211310623.X在审
发明人： K·R·帕雷克;A·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请案涉及包含用于热耗散的单片硅结构的半导体装置组合件及其制造方法。提供一种半导体装置组合件。所述组合件包含第一半导体装置，其在其上表面上包含多个电触点；单片硅结构，其具有与所述第一半导体装置的所述上表面接触的下表面，所述单片硅结构包含腔，所述腔从所述下表面完全延伸穿过所述单片硅结构的主体到所述单片硅结构的顶部表面；以及第二半导体装置，其安置在所述腔中，所述第二半导体装置包含多个互连件，所述多个互连件各自可操作地耦合到所述多个电触点中的对应者。
包含用于耗散单片结构半导体装置组合及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件-CN200680023185.1无效
发明人：简·雄斯基;菲利浦·默尼耶－贝拉德;罗布·范达伦;马尼克斯·B·威廉森 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：制作半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件。本发明涉及一种制造具有衬底(11)和硅半导体本体(12)的半导体器件(10)的方法，硅半导体本体(12)中设置有至少一个半导体元件，其中在半导体本体(12)中形成包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1)，由硅层(2)掩埋半导体区域(1，111)。根据本发明，在半导体本体(12)的表面设置包括开口(4)的掩模(3)，在开口(4，44)中选择性地沉积包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1，111)，至少部分去除掩模(3，33)，接着将硅层(2)均匀地沉积在半导体本体(12)的表面上。
制造半导体器件方法以及获得

[发明专利]一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构-CN201710038632.0在审
发明人：邹浩;丁振宇;夏爱华;刘志攀;陈幸 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构。方法包括在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层；对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片，在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形；以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形的图形对应位置形成深沟槽；去除所述硬质掩膜层，直至露出半导体硅晶片的上表面。本发明通过半导体硅晶片上形成倒梯形图形的硬质掩膜层作为掩膜，刻蚀半导体硅晶片可以在半导体硅晶片上得到更小和更深的沟槽。
一种深沟形成方法半导体结构

[发明专利]一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法-CN202110203812.6在审
发明人：严立巍;符德荣;文锺;陈政勋;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法，包括以下步骤：S1、将硅基载板和化合物半导体基板清洗干净并去除自然氧化层，通过电浆对硅基载板表面处理，激发硅基载板原子活性键；S2、将化合物半导体基板键合在硅基载板表面；S3、将放置好化合物半导体基板的硅基载板放入高温炉管中进行高温回火，使化合物半导体基板与硅基载板形成永久键合结构；S4、将与硅基载板键合后的化合物半导体基板进行后续晶圆制程本发明将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。
一种化合物半导体硅基载板永久方法

[发明专利]光电装置及其制造方法-CN201310560386.7有效
发明人：姜允默;朴商镇;李斗烈;金亨基;牟灿滨;朴暎相;徐京真;金珉圣;洪俊基;任兴均;宋珉澈;朴省赞;金东燮 -专利权人：智基石盾科技有限责任公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：该光电装置包括半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。
光电装置及其制造方法

[发明专利]改善表面的方法-CN200710186828.0有效
发明人： W·林 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及改善半导体衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅。本发明的目的是提供改善半导体硅衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅，其中用该方法使半导体衬底表面或其内部的缺陷能得以真正修复，以提供具有高表面性能的半导体衬底。本发明的目的用上述类型的方法能够达成，其中该方法包括沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底表面的至少一个孔中进行选择性外延沉积。
改善表面方法

[发明专利]半导体光电组件及其切割方法-CN200710000100.4有效
发明人：程志青;蔡棋 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽劈裂，形成半导体光电组件晶粒。本发明的半导体光电组件是具有一基板与一外延硅层，外延硅层是形成于基板的一表面，基板的侧面设有粗糙表面，该粗糙表面是为于半导体光电组件芯片表面进行镭射划线而产生导引沟槽，再于导引沟槽内进行钻石刀切割所形成
半导体光电组件及其切割方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910349746.6有效
发明人：丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一半导体基底、一抑制层、多个接触插塞以及多个穿硅通孔。该抑制层设置在该半导体基底的上方；该接触插塞插入该抑制层内；该穿硅通孔从该半导体基底的一背表面延伸到一前表面，该前表面与该背表面相对，其中该穿硅通孔分别与该接触插塞接触。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010079681.0在审
发明人：梁玲;谢海波;张志雄;彭绍扬;李刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；所述栅极结构的表面以及所述半导体衬底的未被所述栅极结构覆盖的表面具有硅区域，在所述硅区域形成金属硅化合物；确定所述半导体器件的接触区和非接触区，刻蚀以去除位于所述非接触区内的金属硅化合物，保留位于所述接触区内的金属硅化合物作为金属接触结构。
一种半导体器件制造方法