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[发明专利]半导体器件及其制作方法、终端设备-CN202180089289.7在审
发明人：申健;张浩东 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、终端设备，能够提高半导体器件中在硅衬底表面形成的氮化物膜层的质量；该半导体器件包括硅衬底，该硅衬底包括基底以及位于基底表面分散设置的多个纳米凸起结构，其中该纳米凸起结构的侧壁具有多种不同的倾斜角；在此基础上，该半导体器件还包括形核层和外延层；且形核层和外延层依次层叠设置于硅衬底具有纳米凸起结构一侧的表面，并且形成形核层和外延层的材料包括氮化物材料。
半导体器件及其制作方法终端设备

[发明专利]一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体层的方法-CN201811482535.1有效
发明人：顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体层的方法，包括如下步骤：步骤S1、硅衬底的表面清洁；步骤S2、碳化硅中间层的生长；步骤S3、氮极性III族氮化物半导体层的生长，其中：所述硅衬底的上表面为（111）晶面、（100）晶面或（110）晶面的一种，所述硅衬底的表面清洁包括硅衬底的表面清洗，以及在≥1000oC下通入H2进行的表面处理。本发明的优点在于：在硅衬底上生长晶格常数匹配III族氮化物半导体层的碳化硅中间层，且通过控制生长条件可在碳化硅中间层的表面形成碳悬挂键，并搭配后续III族氮化物半导体层的生长调控，在氮气氛富集的环境下进行生长，从而可以同时实现III族氮化物半导体层的高晶体质量和氮极性。
一种衬底生长极性 iii 氮化物半导体方法

[发明专利]半导体封装结构和封装方法-CN202010950254.5有效
发明人：何正鸿;钟磊;李利 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该半导体封装结构包括基板、第一硅板、第二硅板和电子器件。第一硅板包括相对设置的第一表面和第二表面，第二硅板包括相对设置的第三表面和第四表面，第一表面与基板连接，第二硅板的第三表面连接于第二表面；第二硅板在第二表面上的投影面积小于第二表面的面积。第一硅板和第二硅板的双面分别设有线路层，四个线路层通过导电柱连通，电子器件设于第二表面和/或第四表面，以增加电子器件的集成度和功能多样化。
半导体封装结构方法

[发明专利]半导体器件上形成场氧化层的制备方法-CN201510214320.1在审
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件上形成场氧化层的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底的表面上形成垫氧化层之后，在垫氧化层的表面上沉积氮化硅，形成氮化硅层；在氮化硅层的表面上涂覆光阻，形成光阻层；对光阻层、氮化硅层和垫氧化层进行光刻和刻蚀；利用各向同性的干法刻蚀对硅基底进行处理，形成弧形硅槽，并去除光阻层，其中，弧形硅槽延伸至垫氧化层的下方；在弧形硅槽的表面上形成场氧化层。从而在场氧化层的表面不会形成场氧化层凹槽，后续步骤中的多晶硅不会残留在场氧化层的表面，半导体器件不产生短路，提高了半导体器件的性能的稳定性。
半导体器件形成氧化制备方法

[发明专利]垂直滤色检测器组及其制造方法-CN200610169334.7无效
发明人：金钟玟 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种垂直滤色检测器组及其制造方法，其通过减少形成将绿和红感光层与形成于硅衬底表面上的有源像素传感器电路连接的路径所用的离子注入和掩模数目来简化制造工艺。该垂直滤色检测器组包括：半导体，包括上面叠置有第一导电类型硅层和第二导电类型硅层的第一导电类型衬底并具有与半导体表面相距不同深度的至少两个第二导电类型硅层；沟槽，其底部低于第二导电类型硅层中距半导体表面最远的第一硅层，以设定用于单位像素的检测器组的外围边界区域；绝缘层，形成在沟槽中并与半导体和沟槽之间的分界面接触；沟道区，形成在第一硅层与第二导电类型硅层中的其它硅层之间的有源区中，并不与半导体和沟槽之间的分界面接触
垂直检测器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201610486009.7有效
发明人：陈永;董天化;吴亮;金岚;包小燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底上形成有层叠设置的第一多晶硅层和介质层，以及围绕所述第一多晶硅层和所述介质层的侧墙；形成复合多晶硅层，所述复合多晶硅层覆盖所述介质层、所述侧墙以及剩余的部分所述半导体衬底，所述侧墙上的所述复合多晶硅层具有至少一个台阶；在所述复合多晶硅层表面形成金属硅化物，本发明中，在半导体衬底上形成复合多晶硅层，侧墙上的复合多晶硅层具有至少一个台阶，使得复合多晶硅层在侧墙处的坡度降低，形成的金属层可以完整的覆盖复合多晶硅层，从而形成完整的金属硅化物，降低复合多晶硅层的电阻，从而提高半导体器件的性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]硅刻蚀液和半导体结构的刻蚀方法-CN202010574549.7有效
发明人：宁勇;张丝柳;郑晓芬;夏余平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅刻蚀液以及一种半导体结构的刻蚀方法。该硅刻蚀液包括以体积分数计的1‑2份氟化氢、1‑3.3份过氧化氢和94.7‑98份去离子水。该半导体结构的刻蚀方法，包括：制备本发明的该硅刻蚀液；提供半导体结构，所述半导体结构的表面上覆盖待刻蚀硅层；以及将所述半导体结构浸泡在所述硅刻蚀液中，至少使所述待刻蚀硅层与所述硅刻蚀液接触。本发明的硅刻蚀液刻蚀速率稳定，具有较好的润湿性能，有利于具有高深宽比的孔状结构中的硅层刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。
刻蚀半导体结构方法

[发明专利]半导体封装件以及制造半导体封装件的方法-CN201911070673.3在审
发明人：元东勳;柳在炅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装件及制造半导体封装件的方法。半导体封装件包含：基底，具有硅晶体结构；以及至少一个半导体芯片，设置于基底上且具有上表面、下表面以及多个侧表面，其中多个侧表面不同于基底的解理面。
半导体封装以及制造方法

[发明专利]NMOS形成方法、CMOS形成方法-CN201110338452.7有效
发明人：鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种NMOS形成方法及CMOS形成方法，其中NMOS形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层和栅多晶硅层；所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧形成有侧墙；在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖侧墙、栅多晶硅层；在所述金属层表面形成覆盖层；采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层；去除覆盖层、未反应的金属层；对所述金属硅化物层进行退火。
nmos 形成方法 cmos

[发明专利]沟槽式萧基二极管及其制作方法-CN201210001792.5有效
发明人：陈自雄 -专利权人：陈自雄
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：该方法包含：提供半导体基板；在该半导体基板上形成第一氧化层；根据第一氧化层对半导体基板进行蚀刻，以在半导体基板中形成多沟槽结构；在多沟槽结构的表面上形成栅极氧化层；在栅极氧化层上与第一氧化层上形成多晶硅结构；对多晶硅结构进行蚀刻，以将第一氧化层的顶面与部分侧面加以露出；形成第二氧化层覆盖于多晶硅结构上与第一氧化层上，并以光刻及蚀刻制作工艺将半导体基板、多晶硅结构和栅极氧化层的部分表面加以露出；在第二氧化层上与半导体基板、多晶硅结构和栅极氧化层的部分表面上形成金属溅镀层；及对金属溅镀层进行蚀刻，以将第二氧化层的部分表面加以露出。
沟槽式萧基二极管及其制作方法

[发明专利]高频半导体装置及其制造方法-CN201380007741.6有效
发明人：垣见大树;山县秀夫;永井宪次;指宿勇二 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高频半导体装置，其中，在半导体基板的一个表面上，从该一个表面侧开始顺序形成第一绝缘层、柱状结晶状态的未掺杂外延多晶硅层、第二绝缘层和半导体层，并且高频晶体管形成在半导体层面对未掺杂外延多晶硅层的位置
高频半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的衬底及其形成方法-CN200610149442.8无效
发明人：多米尼克·J·谢皮斯;李准东;德文德拉·K·桑德纳;格万姆·G·沙希蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的衬底及其制备方法，在一个实施例中，该衬底包括在单个叠层中彼此结合的多个绝缘体上半导体(SOI)晶片。该叠层的末端包括具有第一半导体层的第一SOI区，第一半导体层具有厚度和第一表面取向。该单个叠层的表面还可以包括非SOI区和/或至少一个第二SOI区。该非SOI区可以包括延伸通过单个叠层的所有绝缘层的体硅，且具有与第一硅层不同的厚度。每个第二SOI区具有第二半导体层，第二半导体层具有与第一半导体层不同的厚度和/或与第一表面取向不同的表面取向。由此衬底允许在可以包括不同的表面取向和/或不同的厚度和/或不同的体硅或SOI结构的最佳衬底区域上形成不同的器件。
半导体器件衬底及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111230500.0在审
发明人：马慧琳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面；金属隔离结构，位于所述半导体衬底中且贯穿所述半导体衬底；至少一层介质层，位于所述半导体衬底的第一表面；金属连接结构，位于所述至少一层介质层中且电连接所述金属隔离结构；其中，所述金属连接结构和所述金属隔离结构位于预先设计好的硅通孔结构的两侧。本申请实施例所述的一种半导体结构及其形成方法，在硅通孔结构的两侧形成金属隔离结构和金属连接结构，可以在不影响器件性能的情况下降低硅通孔结构之间的串扰和耦合噪声，提高器件可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201010022567.0无效
发明人：徐友锋;宁超;保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法，其中自对准金属硅化物的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；采用等离子体处理所述半导体基底边缘区域；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。
对准金属硅形成方法

[发明专利]处理半导体器件的方法及半导体器件-CN201110285746.8有效
发明人：马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域技术，尤其涉及处理半导体器件的方法及半导体器件，该方法包括：在衬底的外延层上表面形成初始氧化层后，对外延层进行刻蚀形成沟槽；沟槽内表面形成栅极氧化层后，对外延层进行多晶硅生长；回刻多晶硅后，沟槽内的多晶硅顶端平面低于沟槽的顶端平面；进行介质层淀积，初始氧化层表面覆盖的介质层与沟槽内的多晶硅表面覆盖的介质层在垂直方向具有高度差；去除外延层表面的介质层和初始氧化层后，进行金属层生长。使用本发明实施例提供的处理半导体器件的方法及半导体器件，由于省略了源区光刻和接触孔光刻过程，从而节约了成本，而且缩小了相邻沟槽之间的距离，缩小了元胞的尺寸，进而提高芯片导通电流的能力。
处理半导体器件方法