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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钙钛矿太阳能电池模块-CN201680006331.3有效
发明人：金东焕;李海锡;姜允默;李承勋;金映道;朴效敃;金成卓;丁泰源 -专利权人：高丽大学校产学协力团
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种钙钛矿太阳能电池模块，包括：透明基板，其被划分为第一单元区域和第二单元区域；以及第一钙钛矿太阳能电池单元和第二钙钛矿太阳能电池单元，其被分别形成在透明基板上的第一单元区域和第二单元区域上并且分别包括：透明电极；吸收层，其由钙钛矿材料形成；金属电极，空穴从吸收层流入金属电极中；以及空穴传输层，其设置在吸收层和金属电极之间并将空穴传送到金属电极，其中，所述金属电极包括连接部，其与包括在第二钙钛矿太阳能电池单元中的透明电极连接，并且将第一钙钛矿太阳能电池单元和第二钙钛矿太阳能电池单元电连接，所述空穴传输层包括绝缘部，其设置在吸收层与连接部之间以使吸收层与连接部电绝缘。
钙钛矿太阳能电池模块

[发明专利]光电装置及其制造方法-CN201310560386.7有效
发明人： 姜允默;朴商镇;李斗烈;金亨基;牟灿滨;朴暎相;徐京真;金珉圣;洪俊基;任兴均;宋珉澈;朴省赞;金东燮 -专利权人：智基石盾科技有限责任公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。
光电装置及其制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN201410288730.6无效
发明人：李钟哲;郑灿允;姜允默;崔龙模;李胜熙;李在薰;白道铉;任钟汕;孙正昊;崔先栋;玄顺弼;金范来 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一基板和第二基板，彼此隔开；电池组件，包括第一电极并位于第一基板上；第一密封构件，位于第一基板和第二基板之间，并且包括接触第一基板和第二基板中的一个基板的第一部分和从第一部分延伸的第二部分，从而第一密封构件弹性地支撑第一基板和第二基板；以及第二密封构件，包围第一密封构件。
太阳能电池

[发明专利]光伏装置及其制造方法-CN201210452024.1无效
发明人：金太俊;宋珉澈;姜允默;任兴均 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：公开了制造光伏装置的方法以及使用该方法制造的光伏装置。该方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；在半导体基底的前表面上形成抗反射层；在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。
装置及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201010521872.4无效
发明人：李正贤;李昌洙;姜允默 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括提供包括p型层和n型层的半导体基底。包含氮氧化铝的介电层设置在半导体基底的一侧上。第一电极与半导体基底的p型层电连通。第二电极与半导体基底的n型层电连通。设置介电层的步骤包括重复地形成氮化铝层并利用氧取代氮化铝层中部分氮。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]化合物半导体图像传感器-CN200710194800.1无效
发明人： 姜允默 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种化合物半导体图像传感器包括多个并行连接的PN结层。所述PN结层具有不同的带隙能量，每一个带隙能量对应于蓝、绿和红色光的吸收。图像传感器还包括在所述PN结层之间沉积用于隔离PN结层的氧化层。
化合物半导体图像传感器

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