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[发明专利]热电器件和用于形成热电器件的方法-CN201811301386.4在审
发明人： C.卡斯特兰;A.布雷梅泽;M.门格尔;A.尼德霍费尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：该热电器件包括多个第一半导体台面结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构被串联电连接。热电器件进一步包括玻璃结构，其横向位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。所述玻璃结构将多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构横向地电绝缘。
半导体台面热电器件导电性类型玻璃结构串联电连接结构横向地电绝缘

[发明专利]半导体器件台面防护方法及装置-CN200710035712.7有效
发明人：张明;李继鲁;舒丽辉;蒋谊 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起并与半导体元件台面成为相互导体。
半导体器件台面防护方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210852451.2在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹;梁顺鑫;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：示例性形成半导体结构的方法包括在半导体台面上方形成具有半导体层堆叠件的半导体鳍。半导体堆叠件包括第一半导体层、第二半导体层，并且第一半导体层位于半导体台面和第二半导体层之间。该方法还包括形成与半导体台面相邻的隔离部件以及沿着半导体层堆叠件的侧壁形成半导体保护层。半导体保护层在半导体台面的顶表面之下延伸，并且隔离部件的部分位于半导体保护层和半导体台面的侧壁之间。该方法还包括在沟道区域中，用栅极堆叠件替换半导体鳍的第一半导体层和半导体保护层。隔离部件的部分位于栅极堆叠件和半导体台面的侧壁之间。本发明的实施例还提供了半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法-CN201280050751.3有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置以及制造方法

[发明专利]场效应半导体构件及其制造方法-CN201711433835.6有效
发明人： M·聪德尔;K-H·巴赫;A·伍德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧，其中，半导体主体在竖直的横截面中还包括：漂移区，其至少在边缘区域中延伸至表面并且部分地安置在半导体台面之中；以及至少部分地安置在半导体台面之中的主体区，其与漂移区形成第一pn结，第一pn结在半导体台面的两个侧壁之间延伸，其中，第一pn结在水平方向上离半导体台面顶侧的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁隔开的中央区域中采用最大的值(d
场效应半导体构件及其制造方法

[发明专利]窄半导体台面器件-CN202011102264.X在审
发明人： A·卡莫斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了窄半导体台面器件。在半导体本体中提供第一沟槽和第二沟槽。台面分隔结构被提供在第一沟槽和第二沟槽之间并且包括非半导体材料。第一半导体台面被提供在第一沟槽和台面分隔结构的非半导体材料之间。第一半导体台面包括发射极区、本体区和漂移区。第一沟槽和第二沟槽是通过掩模蚀刻技术形成的，具有最小沟槽分离距离，并且第一半导体台面被提供为具有小于最小沟槽分离距离的横向宽度。
半导体台面器件

[发明专利]制造半导体器件的方法和采用此方法获得的半导体器件-CN200680042627.7无效
发明人：维贾亚哈万·马达卡塞拉 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件(10)的方法，该半导体器件具有衬底(11)和至少具有一个半导体元件(E)的半导体主体(12)，其中在半导体主体(12)的表面上形成了台面状半导体区域(1)，在台面状半导体区域(1)上沉积了绝缘层(2)，台面状半导体区域(1)顶部的绝缘层厚度小于与半导体区域(1)邻接的区域(3)中的绝缘层厚度，随后去除绝缘层(2)在台面状半导体区域(1)上的部分，以露出台面状半导体区域(1)的上面，并且随后在得到的结构上沉积与台面状半导体区域(1)接触的导电层(4)。这种工艺尤其适于制造具有例如纳米线形式的小台面状区域(1)的器件。优选地，在沉积绝缘层(2)前，采用另外的保形沉积工艺来沉积另一薄的绝缘层(5)。
制造半导体器件方法采用获得

[发明专利]树脂封装型半导体装置及其制造方法-CN201380003558.9有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201310757138.1在审
发明人： F·布劳恩;M·黑勒;D·凯泽;M·莱姆克;A·毛德;I·莫伊泽尔;D·沙莱特;K·佐沙格;H·施特拉克 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成延伸至上面的多个半导体台面使得相邻半导体台面彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被相对于半导体台面可选择刻蚀的牺牲层填充的沟槽之一间隔开；形成机械地连接彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被牺牲层填充的沟槽之一间隔开的半导体台面的支撑结构；以及从所述上面处理半导体衬底而半导体台面通过该支撑结构被机械地连接。
制造半导体器件方法

[发明专利]包括电极沟槽结构和隔离沟槽结构的半导体器件及其制造方法-CN202010201971.8在审
发明人： H-J.特厄斯;A.毛德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及包括电极沟槽结构和隔离沟槽结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件（500）的实施例在有源器件区域中包括半导体台面（160）。半导体台面（160）包括沿半导体台面（160）的纵向方向布置并沿纵向方向彼此分离的源极区（110）。半导体器件（500）还包括电极沟槽结构（150、180），该电极沟槽结构包括电介质（151、181）和电极（155、185）。电极沟槽结构（150、180）邻接半导体台面（160）的侧面。半导体器件（500）还包括填充有一种或多种绝缘材料的隔离沟槽结构（421）。隔离沟槽结构（421）沿第一横向方向延伸穿过半导体台面（160）并进入或穿过电极沟槽结构（150、180）。
包括电极沟槽结构隔离半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管-CN201910187341.7在审
发明人： R.巴布尔斯克;M.戴内塞;J.G.拉文;P.莱希纳;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。
半导体台面源区半导体器件绝缘栅双极晶体管电极结构半导体电荷载流子分离区域漂移区栅电极收缩延伸配置

[发明专利]半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管-CN201510469220.3有效
发明人： R·巴布尔斯克;M·戴内塞;J·G·拉文;P·莱希纳;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。
半导体器件形成半导体台面绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体光学元件-CN200680044080.4无效
发明人：渡边泽木;芝和宏;中田武志 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种光接收元件(1)，包括：半导体衬底(101)；第一台面(11)，具有形成在所述半导体衬底(101)之上的有源区和形成在所述有源区之上的第一电极(p侧电极(111))；第二台面(12)，设置在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层和形成在所述半导体层之上的第二电极(n侧电极(121))；以及第三台面(13)，形成在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层。所述第三台面(13)布置为包围所述第一台面(11)。
半导体光学元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710722945.8在审
发明人：长谷川一也;冈彻;田中成明 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体单元具备台面部；台面部上的肖特基电极；绝缘膜，形成在接近台面部的上表面的一端的肖特基电极的一部分、台面部的侧面以及半导体层的表面上；以及形成在肖特基电极和绝缘膜上的布线电极。台面部的侧面与半导体层的表面所成的角为90度。布线电极位于台面部上的相对的绝缘膜之间。绝缘膜在半导体层的表面上相互连接，并将布线电极和半导体层隔开。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体台面及制作方法-CN201410613928.7有效
发明人：张弦;陈芳林;颜骥;邱凯兵;高建宁;王政英 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。
一种半导体台面制作方法

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