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[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN202210037585.9在审
发明人： 伊东浩二;小笠原淳;村井亮太 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高耐量且易于制造的半导体装置。本发明涉及的半导体装置，包括：台面型二极管结构部(20)，依次层积有P型半导体层(11)、第一N型半导体层(12)、以及杂质浓度比所述第一N型半导体层高的第二N型半导体层(13)；以及在平面视图中配置在所述台面型二极管结构部(20)周围的侧壁的保护层(17b)，其中，在所述P型半导体层的下侧的侧面未配置所述保护层，在所述P型半导体层的上侧的侧面配置有所述保护层，在所述第一N型半导体层的侧面12a以及所述第二N型半导体层的侧面13a配置有所述保护层，所述P型半导体层与所述第一N型半导体层之间的的PN结面与所述P型半导体层的上侧的侧面11c构成的斜角(30)大于等于85度小于等于120度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201880010959.X在审
发明人：小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，具有：在包含第一金属以及第二金属的金属容器100内投入玻璃材料、或在包含第一金属的金属容器100内投入第二金属以及玻璃材料的工序；在第一期间内，通过以第一加热温度将所述玻璃材料溶融在所述金属容器100内，从而生成含有所述第一金属或含有所述第二金属的含金属玻璃组分100的工序；以及将所述含金属玻璃组分设置在半导体层的工序。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780000314.3有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780000855.6有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽120的半导体晶片W；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液12中，在将第一电极板14与第二电极板16以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜124。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及玻璃覆盖膜形成装置-CN201480075169.1有效
发明人：长濑真一;小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：玻璃覆盖膜形成工序，在第一电极板14和第二电极板16之间设置具有直径比半导体晶片W的直径小的开口的换装电极板18，同时，在环状电极板18和第二电极板16之间配置半导体晶片W，在向环状电极板18外加低于第二电极板16的电位的状态下，在玻璃覆盖膜形成预定面形成玻璃覆盖膜。根据本发明的半导体装置的制造方法，作为半导体晶片，即使使用在玻璃覆盖膜形成预定面已形成底层绝缘膜的半导体晶片来进行玻璃覆盖膜形成工序，也可以抑制在半导体晶片外周部的玻璃微粒的覆盖效率的低下，因此，能够以高的生产效率制造可靠性高的半导体装置。
半导体装置制造方法以及玻璃覆盖形成

[发明专利]树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法-CN201280050751.3有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201280002226.4有效
发明人： 伊东浩二;小笠原淳;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。
半导体接合保护玻璃复合物装置制造方法

[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201380003490.4有效
发明人： 伊东浩二;小笠原淳;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：是由一种玻璃微粒构成，且不含有填充物，所述玻璃微粒是通过将一种原料熔融而获得的熔液制造而成，所述原料至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样可以制造出高耐压的半导体装置。并且，由于实质上不含有Zn，因此可以制造出耐药品性（特别是耐氟酸性）提高、可靠度高的半导体装置。并且，由于在蚀刻去除硅氧化膜的工序等工序中，无需用防护层来保护玻璃层，因而还可以获得使工序简略化的效果。
半导体接合保护玻璃复合物装置制造方法以及

[发明专利]树脂封装型半导体装置及其制造方法-CN201380003558.9有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201380002107.3有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的半导体接合保护用玻璃复合物是一种用于形成保护pn结的玻璃层的半导体接合保护用玻璃复合物，并且是由一种玻璃微粒构成且不含填充物的半导体接合保护用玻璃复合物，所述玻璃微粒是从将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制造的，该玻璃原料以预定的含量至少含有ZnO，SiO₂，B₂O₃，Al₂O₃，以及BaO、CaO和MgO中的至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K。根据本发明，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出可信度高的半导体装置。并且，与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时相比，能够使得烧制由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层时的烧制温度降低，能够制造开关特性优良的半导体装置。
半导体接合保护玻璃复合物装置制造方法以及

[发明专利]树脂封装型半导体装置的制造方法以及树脂封装型半导体装置-CN201280033933.X有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明树脂封装型半导体装置10是一种包括台面型半导体元件100，以及封装台面型半导体元件100的铸模用树脂40的树脂封装型半导体装置10；并且，通过实施将沟道的内面氧化从而形成基底氧化层121的基底氧化层形成工序，形成通过基底氧化层覆盖沟道的内面的由铅系玻璃复合物构成的玻璃复合物层的玻璃复合物层形成工序，以及在铅系玻璃复合物的溶倒点Tf以下的温度下烧制玻璃复合物层的烧制工序，来形成铅系玻璃层124。本发明的树脂封装型半导体装置虽然与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模的结构，但是一种比以往的树脂封装型半导体装置具有更高的高温反偏压耐量的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201280050753.2有效
发明人：六鎗広野;伊东浩二;小笠原淳;伊藤一彦 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种半导体接合保护用玻璃复合物，至少含有SiO₂，B₂O₃，Al₂O₃，ZnO，以及含有CaO、MgO和BaO中至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且在50℃～550℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10^-6～4.13×10^-6的范围内。根据本发明中的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样高耐压的半导体装置。
半导体接合保护玻璃复合物装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201280005993.0有效
发明人：小笠原淳;伊东浩二;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导装置的制造方法以及半导体装置，该半导装置的制造方法依次包括第一工序，准备具有pn结露出的pn结露出部的半导体元件；第二工序，形成覆盖pn结露出部的绝缘层；以及第三工序，在绝缘层上形成由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过烧制由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层，在绝缘层上形成玻璃层。所述半导体接合保护用玻璃复合物不含有原料中的任何一种成分作为填充物，并且由玻璃微粒构成，该玻璃微粒是从原料熔化后所得的熔液制成的，所述原料至少含有SiO2、Al2O3、B2O3、ZnO、以及CaO，MgO和BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K。半导体装置使用不含铅的玻璃材料，也与以往同样高耐压。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201280002233.4有效
发明人：六鎗広野;伊东浩二;小笠原淳;伊藤一彦 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料同样的高耐压半导体装置。另外，因为至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，因此具有在50℃～550℃下的平均线膨胀系数接近硅的线膨胀系数的值，可以制造可信度高的半导体装置。
半导体接合保护玻璃复合物装置制造方法

[发明专利]半导体接合保护用玻璃合成物、半导体装置及其制造方法-CN201180004599.0有效
发明人：小笠原淳;伊藤一彦;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C03C3/066 文献下载
摘要：至少含有SiO2、Al2O3、ZnO、CaO、3mol％～10mol％的B2O3、且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K的半导体接合保护用玻璃合成物。SiO2的含有量在32mol％～48mol％的范围内，Al2O3的含有量在9mol％～13mol％的范围内，ZnO的含有量在18mol％～28mol％的范围内，CaO的含有量在15mol％～23mol％的范围内，B2O3的含有量在3mol％～10mol％的范围内。通过本发明的半导体接合保护用玻璃合成物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往使用“以硅酸铅为主要成分的玻璃”时同样的高耐压的半导体装置。
半导体接合保护玻璃合成物装置及其制造方法

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