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[发明专利]半导体单元-CN200910131247.6无效
发明人：大西宏幸;长濑俊昭;石川纯;绀谷一善;深津利成 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H02M7/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体单元。所述半导体单元包括：半导体芯片；陶瓷基板，具有其上安装了所述半导体芯片的电路图案；以及温度传感器，用于检测温度。所述半导体单元还包括推压构件，所述推压构件用于通过对着陶瓷基板进行推压来保持温度传感器。
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201610741316.5在审
发明人：冯天璟;张宗正 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体单元，包含基板；位于基板上方的缓冲结构；通道层，具有第一带隙，且位缓冲结构上方，包含第一部分及第一凸起部，其中第一凸出部位于第一部分之上，且具有第一顶面和连接第一顶面的第一倾斜侧面；
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201910122809.4在审
发明人：出口昌孝 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体单元，具备半导体模块、电抗器及冷却器，公开提高对于半导体模块的冷却性能的构造。本说明书公开的半导体单元(2)具备多个半导体模块(4)、多个第一冷却器(3)、电抗器(10)、第二冷却器(8)及制冷剂排出管(7)。多个第一冷却器(3)平行地配置，在相邻的第一冷却器(3)之间夹设有半导体模块(4)。制冷剂排出管(7)设置于半导体模块(4)与第一冷却器(3)的层叠体(12)的一端的第一冷却器(3a)。制冷剂排出管(7)沿着半导体模块(4)与第一冷却器(3)的层叠方向延伸。第二冷却器(8)连接于制冷剂排出管(7)。电抗器(10)由层叠体的端部的第一冷却器(3a)和第二冷却器(8)夹住。
冷却器半导体模块制冷剂排出管半导体单元电抗器层叠体层叠方向冷却性能夹住平行延伸配置

[发明专利]半导体单元-CN201310328644.9无效
发明人：西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体单元，其包括：绝缘层；传导层，接合至绝缘层的一侧；半导体装置，安装在传导层上；冷却器，热耦合至绝缘层的另一侧；第一汇流排，具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面；以及第二汇流排，具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面。
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201310280985.3无效
发明人：西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体单元，该半导体单元包括：第一导电层、与第一导电层电绝缘的第二导电层、安装在第一导电层上的第一半导体器件、安装在第二导电层上的第二半导体器件、用于第二半导体器件与第一导电层的电连接的第一母线、以及用于第一半导体器件与电池的正端子和负端子之一的电连接的第二母线
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201310280991.9无效
发明人：西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种半导体单元。该半导体单元包括：基部，其具有布置第一绝缘层的表面；第二绝缘层，其与第一绝缘层间隔开，以在第一绝缘层和第二绝缘层之间形成区域，第二绝缘层被布置为平行于基部的布置第一绝缘层的表面；单个导电层，其被布置为跨过第一绝缘层和第二绝缘层；以及半导体器件，其结合到导电层。
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201310526888.8无效
发明人：西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种半导体单元，其包括：绝缘基片，该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一传导层，该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面；第二传导层，该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面；应力消除层，该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面；散热装置，该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至应力消除层；以及半导体器件，该半导体器件电结合至相应的第一和第二传导层。
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201310118025.7无效
发明人：西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体单元，该半导体单元包括：冷却器，其具有流体流动空间；绝缘基底，其通过金属而被接合到所述冷却器；半导体装置，其被焊接到所述绝缘基底；中间构件，其介于所述绝缘基底与所述流体流动空间之间，并且具有安装有所述绝缘基底的第一表面；以及塑模树脂，其具有与所述中间构件相比较低的线性膨胀系数，其中，通过所述塑模树脂来对所述绝缘基底、所述半导体装置以及所述冷却器进行塑模。
半导体单元

[发明专利]半导体单元-CN201110264317.2无效
发明人：守作直人;秋山泰有 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：半导体单元包括布线板、导体层和散热片。布线板跨越其厚度具有第一表面和第二表面。导体层形成于布线板的第一表面上。导体层当在布线板的厚度方向上查看时具有长度和宽度。散热片接合到布线板的第二表面。散热片具有在导体层的长度方向上延伸的弯曲边。
半导体单元

[发明专利]半导体器件安装装置-CN202011585355.3在审
发明人：崔伦华;朴廷敏 -专利权人： JMJ韩国株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件安装装置。该半导体器件安装装置包括：基板装载单元(111)，其供应排列有半导体单元(11)的基板(10)；一个或多个半导体器件装载器，其供应半导体器件；第一视觉检测单元(130)，其检测半导体单元(11)的排列状态；一个或多个半导体器件拾取器，其将半导体器件安装在半导体单元(11)上；一个或多个粘合剂固化单元(150)，其固化介于半导体单元(11)和半导体器件之间的粘合剂并进行安装；基板卸载单元(160)，其取出安装有半导体器件的基板其中，粘合剂固化单元(150)将热源仅有限地传递到一个或多个要固化的半导体单元(11)，从而在基板(10)上每个被提供热源的半导体单元(11)与没有被提供热源的半导体单元(11)产生温差。
半导体器件安装装置

[发明专利]一种半导体激光器和电子设备-CN202310542587.8在审
发明人：祝隆平;胡海;邱于珍 -专利权人：深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器和电子设备。该半导体激光器包括衬底、多个半导体激光单元、第一电极和第二电极，多个半导体激光单元、第一电极和第二电极设置于衬底上，多个半导体激光单元以串联形式电连接，多个半导体激光单元包括首端激光单元和末端激光单元，首端激光单元和末端激光单元中的一者与第一电极电连接，另一者与第二电极电连接，半导体激光单元的发光元件的数量少于标准半导体激光单元的发光元件的数量。将多个半导体激光单元以串联形式电连接，半导体激光单元的发光元件的数量少于标准半导体激光单元的发光元件的数量，在相同的出光功率下，可以减少半导体激光器的所需的整体电流，可以降低半导体激光器的开发测试难度。
一种半导体激光器电子设备

[发明专利]半导体部件以及半导体部件的制造方法-CN200710127113.8有效
发明人： A·梅瑟;W·哈特纳;H·格鲁伯;D·博纳特;T·格罗斯 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体部件以及半导体部件的制造方法。半导体部件包括半导体本体，其中形成：第一导电类型的衬底、布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层和布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层，在所述功能单元半导体层中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分，所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘。所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触，所述与衬底的接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。
半导体部件以及制造方法

[实用新型]一种半导体交流开关电路及半导体短路保护器-CN202223438501.7有效
发明人：肖全鸿 -专利权人：珠海派诺科技股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体交流开关电路，包括输入端及输出端，其特征在于，还包括第一驱动端、第一半导体开关单元和第二半导体开关单元；第一半导体开关单元为M个，其中M为大于等于1的正整数；第二半导体开关单元为N个，其中N为大于等于1的正整数；第一半导体开关单元与第二半导体开关单元连接；第一驱动端连接第一半导体开关单元，第一驱动端连接第二半导体开关单元，通过第一驱动端的驱动信号触发第一半导体开关单元和第二半导体开关单元异步进入导通或关断状态
一种半导体交流开关电路短路保护

[发明专利]半导体封装-CN201910046513.9在审
发明人：金吉洙;金容勋;金贤基;吴琼硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：半导体封装包括：封装基板；下半导体芯片，在封装基板上；散热构件，在下半导体芯片上，所述散热构件具有水平单元和与水平单元相连的竖直单元；第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠，在水平单元上；以及模制构件，其围绕所述下半导体芯片、第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠以及散热构件。竖直单元可以布置在第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠之间，并且竖直单元的上表面可以在模制构件中暴露。
半导体芯片堆叠散热构件竖直单元水平单元半导体封装封装基板模制构件上表面暴露

[发明专利]一种半导体取暖装置-CN201510693477.7在审
发明人：唐玉敏;虞红伟 -专利权人：唐玉敏;虞红伟
申请日： 2015-10-24 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： F24D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及采暖技术领域，尤其涉及一种半导体取暖装置。包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元；所述半导体发热单元包括半导体发热板，所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体；所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极；其特征在于：所述N型半导体设置石墨烯层，或者所述P型半导体设置石墨烯层，或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。提高所述半导体发热板热冷端的温度差，达到提高半导体发热板制热能力的目的。
一种半导体取暖装置

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