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[发明专利]半导体光刻工艺-CN201010227584.8有效
发明人：黄沛霖;黄浚彦;王逸铭 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种半导体光刻工艺包含：提供基材；于基材上形成光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；将光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；于烘烤之后，对光致抗蚀剂层进行显影工艺。
半导体光刻工艺

[发明专利]光刻胶质量检测方法-CN201611008674.1在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶质量检测方法，包括提供形成有膜层结构的监控半导体衬底，所述膜层结构与当前工艺的半导体衬底的膜层结构相对应；利用所述监控半导体衬底进行光刻工艺，所述光刻工艺利用待检测的光刻胶进行；利用刻蚀工艺去除所述待待检测的光刻胶；在刻蚀工艺后，在所述监控半导体衬底上进行半导体薄膜沉积工艺，在所述监控半导体衬底上形成半导体膜层；对所述半导体膜层进行检测，基于检测结果判断光刻胶质量。本发明的方法能够检测光刻胶的质量缺陷，避免光刻胶质量缺陷引起后续的薄膜沉积空洞缺陷。
光刻胶质检测方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210225965.1有效
发明人：宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底；利用光刻工艺定义沟槽，刻蚀所述半导体衬底形成沟槽；形成覆盖所述半导体衬底的氧化硅层；移除所述沟槽内的部分氧化硅层，暴露出部分半导体衬底；在露出的半导体衬底上形成半导体层其中，利用光刻工艺所定义的沟槽，其截面宽度大于后续形成的隔离结构的截面宽度，由此降低了对光刻工艺的要求。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法-CN201811632069.0有效
发明人：李润领;张彦伟;孟晓莹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法包括首先采用含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体进行半导体器件表面处理，然后进行光刻工艺，其中，采用含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体进行半导体器件表面处理时，表面处理时间为5S～120S，含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体的等离子体温度为100℃～1000℃，以解决光阻(PR)底部缺角(Undercut)问题，增强离子注入光刻工艺窗口，优化器件性能。
增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口方法

[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法-CN201210119036.2有效
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明在所述制造方法中，仅通过三次光刻工艺，即可形成所需要的图案，其中，通过一次光刻工艺就形成了包括半导体层图案和刻蚀阻挡层图案，相比于现有技术采用两次光刻工艺分别形成半导体层图案和刻蚀阻挡层图案的方法，能够减少一次光刻工艺，从而可以大大降低成本并提高生产效率。
显示装置阵列及其制造方法

[发明专利]一种制造半导体器件的光刻工艺方法-CN201110455246.4无效
发明人：胡华勇;丁丽华;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的光刻工艺方法，包括下列步骤：a)在要制作半导体器件的硅片表面涂覆光刻胶；b)对所述硅片实施对准工艺；c)对所述涂覆光刻胶的硅片进行曝光和显影；和d)用含有增塑剂的溶液对所述硅片的表面进行冲洗根据本发明的光刻工艺方法能够降低光刻工艺过程中引起的高线宽粗糙度，保证器件的性能和一致性。
一种制造半导体器件光刻工艺方法

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911013984.6在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使栅金属层形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使第一半导体层和第二半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。
阵列基板次光半导体层漏极制作透明导电层源漏金属层导电过孔像素电极栅金属层沉积沉积栅极绝缘层沉积钝化层衬底基板钝化层源岛源极连通

[发明专利]形成半导体结构的方法和处理系统-CN202110060982.3在审
发明人：林勇志;李静宜;邱德洋;陈思帆;胡翰叡;王景宏;李汝谅;喻中一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的各种实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在半导体晶圆上形成多个上部对准标记。多个下部对准标记在操作晶圆上形成并且对应于上部对准标记。半导体晶圆接合至操作晶圆，使得上部对准标记的中心与相应的下部对准标记的中心横向偏移。通过检测多个上部对准标记和下部对准标记，测量操作晶圆与半导体晶圆之间的重叠(OVL)偏移。通过光刻工具执行光刻工艺以在半导体晶圆的上方部分地形成集成电路(IC)结构。在光刻工艺期间，光刻工具根据OVL偏移执行补偿对准。根据本申请的其他实施例，还提供了一种处理系统。
形成半导体结构方法处理系统

[发明专利]一种光刻对准标记的制备方法-CN201510535381.8有效
发明人：陈辉;宋里千;程银华;郭可;刘鹏飞;岳金亮 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记
一种光刻对准标记制备方法

[发明专利]一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法-CN201210244717.1有效
发明人：陈刚;李理;王泉慧;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜；五、进行钝化介质生长；六、过刻蚀钝化介质及对准标记区域；七、使用酸性溶液处理经过过刻蚀工艺的半导体材料及耐刻蚀金属膜；八、进行去胶；九、进行光刻工艺优点：解决了对准标记损坏而不能被光刻系统识别或者由于对准标记分辨率太低导致光刻精度降低的问题；保持了良好的表面形貌，保证了半导体器件的光刻工艺精度。
一种半导体器件接触引线工艺保护对准标记方法

[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板-CN202011003320.4有效
发明人：向舟翊;朱成顺;蒋雷 -专利权人：成都京东方显示科技有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供的阵列基板的制造方法包括在衬底基板上沉积栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极，在栅极上方沉积缓冲层，在缓冲层上形成半导体层，在半导体层上沉积并通过光刻工艺形成蚀刻阻挡层，通过离子注入方式将半导体层的部分区域导体化，以形成导体化区域，在半导体层的上方沉积源漏极金属层，并通过光刻工艺对源漏极金属层和半导体层进行蚀刻，形成源极和漏极，源极和漏极均与导体化区域相连，缩短了生产周期，降低了生产成本。
阵列制造方法显示面板

[发明专利]一种形成光刻对准标记的方法和半导体器件-CN202310626493.9在审
发明人：张弓玉帛 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成光刻对准标记的方法和半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括对准标记区和有效器件区；执行第一光刻工艺，在半导体衬底的对准标记区中形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极结构；形成覆盖半导体衬底和栅极结构的层间介质层；执行第二光刻工艺，在层间介质层中形成连接栅极结构的接触孔；形成填充接触孔的接触孔金属层，接触孔金属层表面形成有位于接触孔上方的第一凹槽；沉积覆盖接触孔金属层的顶部金属层，顶部金属层表面形成有位于第一凹槽上方的第二凹槽；以第二凹槽作为光刻对准标记，对顶部金属层执行第三光刻工艺。本发明能够在顶部金属层中产生深度足够识别的凹槽作为光刻对准标记，提高套刻精度。
一种形成光刻对准标记方法半导体器件

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911013106.4在审
发明人：刘翔;孙学军;李广圣;马群 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使栅金属层形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使第一半导体层和第二半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。
阵列基板次光半导体层漏极制作透明导电层源漏金属层导电过孔像素电极栅金属层阻挡层沉积沉积栅极绝缘层沉积钝化层衬底基板钝化层源岛源极连通

[发明专利]对位标记和半导体结构的形成方法、组合掩膜版-CN201911066595.X在审
发明人：巫奉伦;王嘉鸿;夏忠平;黄建维 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种对位标记和半导体结构的形成方法、组合掩模版。通过组合使用第一掩模版和第二掩模版，以界定出对位标记的图形，从而使得所形成的对位标记的结构更为复杂且精度更高，进而基于该对位标记执行光刻工艺时，即有利于提高光刻工艺的对准精度，减小光刻工艺的对位偏差。以及，在将该对位标记结合至半导体器件的制备过程中，则相应的能够提高所形成的半导体器件的性能。
对位标记半导体结构形成方法组合掩膜版

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911013988.4在审
发明人：刘翔;孙学军;李广圣;马群 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，形成有源岛，源极、漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区内的第二半导体层转化成硅的氧化物；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。
阵列基板次光漏极半导体层制作透明导电层导电过孔像素电极沉积源极沉积栅极绝缘层沉积钝化层源漏金属层衬底基板栅金属层钝化层沟道区氧化物沟道源岛连通转化

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