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[发明专利]结构化的磁性材料-CN201810309521.3有效
发明人：马丁·霍谢克;斯里帕蒂·沙赫 -专利权人：佩西蒙技术公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01F1/24 文献下载
摘要：一种形成在表面上的整体材料，所述整体材料包含：金属材料的多个粘附区域，金属材料的所述多个区域的基本上全部区域由高电阻率绝缘材料的预定层分隔。所述多个区域的第一部分形成表面。所述多个区域的第二部分包括从所述第一部分前进的金属材料的继续区域。所述继续区域中的基本上全部区域各自包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相反，所述第二表面符合已前进的区域的形状，并且所述第二部分中的所述继续区域中的大部分区域具有包含基本上凸形表面的第一表面和包含一个或多个基本上凹形表面的第二表面
结构磁性材料

[发明专利]包含结晶性材料的单元的加工方法和形成绝缘体上半导体构造的方法-CN201280048429.7无效
发明人：舒·秦;张明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一些实施例包括含有结晶性材料的单元的加工方法。可在所述结晶性材料内形成损坏区域，且所述单元的一部分可位于所述损坏区域上方。可使用卡盘使所述单元弯曲且由此诱发沿所述损坏区域分裂，从而从所述单元的位于所述损坏区域上方的所述部分形成结构。一些实施例包括形成绝缘体上半导体构造的方法。可形成具有在单晶半导体材料上方的电介质材料的单元。可在所述单晶半导体材料内形成损坏区域，且所述单晶半导体材料的一部分可位于所述损坏区域与所述电介质材料之间。可将所述单元纳入具有手柄组件的组合件中，且可使用卡盘扭曲所述组合件且由此诱发沿所述损坏区域分裂。
包含结晶材料单元加工方法形成绝缘体上半导体构造

[发明专利]用于制造具有埋腔的MEMS器件的方法以及由此获得的MEMS器件-CN201080045056.9有效
发明人： P·科罗纳;S·洛萨;I·格尔米;R·卡姆佩德利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18
用于制造具有 mems 器件方法以及由此获得

[发明专利]用于制冷装置内的温控容器系统-CN201480070445.5有效
发明人：菲利普·安德鲁·埃克霍夫;劳伦斯·摩根·福勒;威廉·盖茨;詹妮弗·逸如·胡;穆里尔·Y·伊什克瓦;内森·P·米佛德;内尔斯·R·彼得森;克拉伦斯·T·特格林;毛里西奥·维琪奥尼;小洛厄尔·L·伍德;维多利亚·Y·H·伍德 -专利权人：脱其泰有限责任公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： F25D23/06 文献下载
摘要：在一些实施方案中，用于制冷装置内的温控容器包括：绝热材料的一个或多个部分，其实质上限定温控容器的一个或多个壁，所述温控容器包括内部区域；绝热分区，其分隔所述内部区域以形成所述容器内的储存区域和相变材料区域，所述绝热分区包括介于所述储存区域和所述相变材料区域之间的导管；在所述导管内的热控装置；在实质上限定所述容器的绝热材料的一部分内的孔，所述孔介于容器内的相变材料区域和容器的外表面之间；以及定位在所述孔内的单向导热体，所述单向导热体被构造成在从所述相变材料区域到所述容器的外表面的方向上传递热。
用于制冷装置温控容器系统

[实用新型]一种手术衣-CN201320395178.1有效
发明人：李建全;郑多姿 -专利权人：稳健实业(深圳)有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： A41D13/12 文献下载
摘要：一种手术衣，包括衣服主体，所述衣服主体具有缝合区域，在所述缝合区域，第一侧材料与第二侧材料的缝合边沿在缝合区域重叠缝合后，第一侧材料与第二侧材料的自然延伸方向相反。该手术衣可以避免凸出的缝合区域在使用手术衣时造成安全隐患，同时也可以增大缝合区域的缝合强度。
一种手术

[实用新型]一种电吹风及其热功能材料出风结构-CN201920241648.6有效
发明人：徐欣怡 -专利权人：浙江诗杭电器有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： F24H9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电吹风及其热功能材料出风结构。包括出风区域和结构区域，出风区域(1)用于空气流通，结构区域(2)用于支撑出风区域(1)并提高电吹风的整体强度，出风区域(1)的面积为S1，结构区域(2)的面积为S2，A＝S1/(S1+S2)；其特征在于：A的取值范围为大于等于0.41，和/或小于等于0.74；出风结构的材料选自热功能材料，所述热功能材料为受热后能够释放远红外的材料。本实用新型通过设计出风结构的出风区域和功能区域的比例，可实现控制热转化效率、提高远红外辐射效率的功能。
一种电吹风及其功能材料结构

[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT-CN201610115701.9在审
发明人：谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：具体，本发明公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。
双重对准金属氧化物 tft

[发明专利]一种面向大型结构件热源辅助激光冲击强化方法-CN202110641183.5有效
发明人：胡耀武;刘胜;张臣;张啸寒;赵哲;姜飞龙;谢琦 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种面向大型结构件热源辅助激光冲击强化方法，其包括：向工件待强化区域喷涂吸收层材料，使得吸收层材料均匀覆盖待强化区域；开启低波段连续激光器，对工件待强化区域进行持续加热作业；向工件待强化区域喷射水约束层材料，使得水层均匀覆盖待强化区域；开启脉冲激光器，对工件待强化区域进行激光冲击强化作业；向工件强化区域喷射高压气流，去除残留水层；重复上述步骤，完成对工件不同区域的激光冲击强化。本发明中通过实时喷涂吸收层材料确保激光冲击作业过程中脉冲激光束与吸收层材料的有效作用，以避免传统方法因脉冲激光束与吸收层材料的过作用致使吸收层材料剥离而降低连续激光冲击作业的可靠性。
一种面向大型结构件热源辅助激光冲击强化方法

[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法-CN202111045921.6有效
发明人：耿金鹏;刘洋;杨渝书 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层；在所述基底上形成第二鳍片材料层，所述第二鳍片材料层保形地覆盖所述NMOS区域的基底及所述第一鳍片材料层；在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层；研磨以去除部分厚度的所述掩模层；刻蚀以去除所述掩模层、所述PMOS区域的第二鳍片材料层及所述NMOS区域的部分厚度的第二鳍片材料层；在所述NMOS区域形成所述NMOS管的鳍片及在所述PMOS区域形成所述PMOS管的鳍片；本发明减小了NMOS管的鳍片与PMOS管的鳍片的高度差。
半导体器件制备方法

[实用新型]一种显示面板和显示装置-CN201621089949.4有效
发明人：宋艳芹;张婷婷;胡思明;王志祥;杨楠 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种显示面板和显示装置，所述显示面板包括发光区域和非发光区域，其中，所述非发光区域的衬底基板采用的材料为柔性材料；所述非发光区域与所述发光区域的不发光的一侧贴合。由于所述非发光区域的衬底基板采用的材料为柔性材料，将所述非发光区域弯折以贴合所述发光区域的不发光的一侧，使得所述非发光区域不占用所述显示面板的显示屏幕的面积，解决显示面板的非发光区域面积较大的问题，实现显示面板的无边框显示
一种显示面板显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110651854.6在审
发明人：林琨祐;林恩平;葛育菱;廖志腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包括：提供具有第一半导体材料的衬底；创建覆盖衬底的nFET区域的掩模；蚀刻衬底的pFET区域以形成沟槽；在沟槽中外延生长第二半导体材料，其中，第二半导体材料与第一半导体材料不同；以及图案化nFET区域和pFET区域，以在nFET区域中产生第一鳍，并且在pFET区域中产生第二鳍，其中，第一鳍包括第一半导体材料，并且第二鳍包括位于底部上方的顶部，其中，顶部包括第二半导体材料，并且底部包括第一半导体材料。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电极及电极的制造方法-CN202180063987.X在审
发明人：加藤大辅;泉礼子;神拓弥;近藤真一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：电极是在芯材的表面层叠有电极复合材料的电极，所述电极复合材料包含：活性物质的表面附着有导电材料的被覆活性物质、和PTFE粉末，被覆活性物质的表面上的所述导电材料的覆盖率为10％～60％，电极复合材料的复合材料电阻为20Ωcm以下，将电极复合材料沿厚度方向3等分且从芯材侧起设为第1区域、第2区域和第3区域时，第1区域中的PTFE粉末的含量(a)、第2区域中的PTFE粉末的含量(b)、第3区域中的PTFE粉末的含量(
电极制造方法

[发明专利]制造热保护复合材料的方法-CN201680023803.6有效
发明人：斯蒂芬·桑斯;伊登·夸克;迈克尔·邓巴·西尔科克;阿龙·布赖顿;阿什利·詹姆斯·登米德;内森·琼斯;胡戈·豪斯 -专利权人：碳革命有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：一种制造具有热保护层(24)的复合材料部件(10)的方法包括以下步骤：提供复合材料部件(10)，复合材料部件具有主纤维材料(12)，并且具有在复合材料部件的用于高热暴露的区域处覆盖在主纤维材料(12)上的替代纤维材料的底漆层(16)，所述区域限定热暴露区域(18)；将金属粘合层(22)施加到热暴露区域(18)的底漆层(16)，以在热暴露区域(18)处产生粘合表面；以及将陶瓷热保护层(24)施加到粘合表面，以使热暴露区域(18
制造保护复合材料方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN201510010132.7有效
发明人： G·库拉托拉 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和位于第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料，第一化合物半导体材料包括第一掺杂浓度，第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料。该半导体器件进一步包括控制电极和至少一个掩埋半导体材料区域，该至少一个掩埋半导体材料区域包括不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。该至少一个掩埋半导体材料区域被设置在第一化合物半导体材料中的除了第一化合物半导体材料被控制电极覆盖的区域之外的区域中。
半导体器件方法

[发明专利]一种材料位置变化的图示方法-CN201210339974.3有效
发明人：杨平;张书云;朱锋;吴秋灵;杨天智;张军廷;张宏伟;尤宝旺 -专利权人：北京佰能电气技术有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G05B19/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料位置变化的图示方法，包括：划分材料跟踪区域；在划分好的材料跟踪区域设置光感检测元件；通过光感检测元件对材料头和材料尾位置移动的过程进行跟踪，并根据所述跟踪过程判断材料头和材料尾的移动轨迹；根据光感检测元件及跟踪区域上设置的元件所发出的信号对所述移动材料头部和尾部进行相应的编号并记录；根据所述记录判断移动材料头部和尾部在跟踪区域所处的位置。本发明通过采用跟踪材料头尾的方法可以大大削减跟踪设计的复杂程度。通过数字编号简单地描述任何材料的移动轨迹，对于跟踪范围广阔、跟踪区域多样、移送路径复杂的情况非常适用。能够满足材料水平和垂直移动的要求。
一种材料位置变化图示方法