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[发明专利]利用高磁场强度的电磁波预处理多相材料-CN03812755.5有效
发明人：塞缪尔·金曼 -专利权人：诺丁汉大学
申请日： 2003-04-01 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： C22B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种后续处理材料(200)以前微波预处理多相材料(200)的方法。材料(200)含有第一相材料和第二相材料。该方法包括在连续过程中以至少10⁹Wm^－3功率密度电磁加热材料，优选的是使用微波(202)，在此连续过程中材料(200)进入并穿过电磁处理区域(212)，优选的是微波处理区域为了后续处理，在穿过处理区域(212)以前，材料(200)在处理区域(212)中经受了1/2秒或更短的微波辐射。
利用磁场强度电磁波预处理多相材料

[发明专利]晶体管源极/漏极接触件及其形成方法-CN202210739677.1在审
发明人：吴佩雯;黄俊贤;林威戎;张志维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括：在源极/漏极区域之上沉积层间电介质(ILD)；形成贯通ILD的接触开口，其中，接触开口暴露源极/漏极区域；在被暴露的源极/漏极区域上形成金属‑半导体合金区域；在金属‑半导体合金区域上沉积第一导电材料层；沿着接触开口的侧壁以及在所述第一导电材料层之上沉积隔离材料；蚀刻隔离材料以暴露第一导电材料层，其中，在蚀刻隔离材料之后，隔离材料沿着接触开口的侧壁延伸；以及在被暴露的第一导电材料层上沉积第二导电材料层
晶体管接触及其形成方法

[发明专利]用于制造部件的设备和方法以及飞机结构部件-CN201110264625.5有效
发明人：伊克万·苏阿迪;皮埃尔·萨伦德;克莱门斯·博肯海默;阿克塞尔·赫曼 -专利权人：空中客车作业有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B29C70/48 文献下载
摘要：一种用于制造部件的设备和方法以及飞机结构部件，包括用于容纳液态材料的材料储箱、其中形成有待被来自材料储箱的材料填充的填充区域的模制工具和将所述材料储箱连接到所述模制工具的所述填充区域的材料供应管线。在所述材料供应管线和/或所述模制工具的所述填充区域的区域中布置有光学纤维，至少一个纤维布拉格光栅传感器被集成在所述光学纤维中，所述至少一个纤维布拉格光栅传感器用于检测作为材料通过所述材料供应管线和/或所述模制工具的所述填充区域的流动特性的参数
用于制造部件设备方法以及飞机结构

[发明专利]存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法-CN201880077048.9在审
发明人：金昌汉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有导电栅极，并且具有邻近于所述导电栅极的电荷阻挡区域。所述电荷阻挡区域包含氮氧化硅和二氧化硅。电荷存储区域邻近于所述电荷阻挡区域。隧穿材料邻近于所述电荷存储区域。沟道材料邻近于所述隧穿材料。所述隧穿材料位于所述沟道材料与所述电荷存储区域之间。一些实施例包含存储器阵列。一些实施例包含形成组合件(例如，存储器阵列)的方法。
存储器单元阵列以及形成方法

[实用新型]光电电脑卡-CN98200262.9无效
发明人：姚卡玲 -专利权人：姚卡玲
申请日： 1998-01-09 - 公布日： 1999-04-14 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光电电脑卡,包括卡体和设置于卡体的多个编码区域,上述多个编码区域是具有吸收红外光材料层的区域;上述吸收红外光材料层区域设置在上述卡体内部;以及至少具有一层透红外线的阻视材料层覆盖于上述多个吸收红外光材料层区域的外部本实用新型将编码用红外光吸收材料层区域设于卡体内部,外覆阻视层,因而难以制造伪卡,并具有高卡体强度和使用寿命。
光电电脑

[发明专利]通过焊接更换设备中的腐蚀的流体传导部件的方法和由此获得的部件-CN200580028772.5有效
发明人：理查德·C·萨瑟林;布雷特·J·赫布;罗纳德·A·格雷厄姆 -专利权人： ATI资产公司
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：一种装置部件，包括含耐腐蚀第一材料的流体传导第一区域，以及含有第二材料的流体传导第二区域。第一区域与第二区域通过固态焊接进行直接或间接结合，以形成整体流体传导部件。公开了一种用于更换装置制品的至少一个流体传导部件的方法，其中，提供的置换部件包括一种含一种耐腐蚀第一材料的流体传导第一区域，以及一种含有第二材料的流体传导第二区域。第二材料基本上相同于安装置换部件的装置内一个区域的材料。第一与第二区域通过固态焊接既可直接地也可间接地结合，以形成整体的流体传导置换部件。该置换部件固定到该装置上，其通过把置换部件的第二区域的第二材料熔焊至装置的装配区域的基本相同的材料上。
通过焊接更换设备中的腐蚀流体传导部件方法由此获得

[发明专利]存储器单元、制造方法及半导体装置-CN201480051728.5有效
发明人：曼札拉·西迪克;安迪·莱尔;维托·库拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明揭示一种磁性单元，其包含接近于磁性区域(例如，自由区域)的吸子材料。与磁性材料的可扩散物质与至少另一物质之间的化学亲和力相比，所述吸子材料经调配以具有对于所述磁性材料的所述可扩散物质的较高化学亲和力，所述磁性区域是由所述磁性材料形成。因此，所述可扩散物质从所述磁性材料移除到所述吸子材料。所述移除供应贫化磁性材料的结晶。所述结晶、贫化磁性材料实现高隧道磁阻、高能量势垒及高能量势垒比。所述磁性区域可形成为连续磁性材料，因此实现高交换劲度，且将所述磁性区域定位于两个感应磁各向异性的氧化物区域之间实现高磁各向异性强度。本发明还揭示制造方法及半导体装置。
存储器单元制造方法半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210115771.6在审
发明人：李圣权;宣俊劦;金寿永;方钟植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以在用于形成具有大的高宽比的开放区域的工艺期间防止衬底不暴露以及弓形轮廓的产生。所述半导体器件包括：第一材料层，所述第一材料层形成在衬底之上；开放区域，所述开放区域形成在所述第一材料层中，暴露出所述第一材料层；第二材料层，所述第二材料层是通过对所述第一材料层执行表面处理而在所述开放区域的侧壁上形成的；以及导电层，所述导电层形成在所述开放区域的内部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN200980144908.7无效
发明人：川西浩之;永田尚志;近藤直人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：具备：彼此相对地配置的第1基板和第2基板；框状的密封材料，其设于第1基板与第2基板之间，将第1基板和第2基板相互粘接；以及液晶层，其是在密封材料的内侧封入液晶材料而成的，具有在密封材料的内侧规定的进行图像显示的显示区域和在显示区域的外侧规定的非显示区域，非显示区域还设于密封材料的内周部，在第1基板上，在设于密封材料的内周部的非显示区域以沿着密封材料延伸并且相互分离的方式设有多个壁状部。
液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN202010587602.7在审
发明人：金载益;金在植;李娟和;李濬九;郑知泳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示设备包括：第一基板；和显示单元，其中显示单元包括显示区域和透射区域，显示单元包括设置为对应于透射区域的辅助层，和设置为仅对应于显示区域的第二电极，辅助层包括第一材料和第三材料，第二电极包括第二材料，第一材料和第二材料满足下面公式1，辅助层包括第一区域以及在第一区域与第一基板之间的第二区域，并且第一材料在第一区域中的浓度不同于第一材料在第二区域中的浓度：公式1ST2‑ST10mJ/m2其中在公式1中，ST1为所述第一材料在25℃下的表面能，并且ST2为第二材料在25℃下的表面能。根据本公开的实施方式，由于公共电极基本上不形成在透射区域中，因此可提供具有相对高的透射率的显示设备。
显示设备及其制造方法

[发明专利]一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法-CN201810648920.2在审
发明人：王韶平 -专利权人：安徽舟港新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法，包括：将硅材料传送至检测区域；检测检测区域内的硅材料的类型和电阻率，所述类型包括P型、N型；将检测区域内的硅材料的电阻率与电阻率阈值进行比较，根据比较结果及检测区域内的硅材料的类型为P型或N型，将检测区域的硅材料传送至预设出口。如此，同时获取硅材料的类型和电阻率，并按照预设型号和电阻率的要求，将硅材料输送到不同出口进行区别分拣，提高硅材料的分拣效率，同时，提高分拣的自动化，避免人为失误造成的误差。
硅材料检测区域电阻率分拣预设传送测试分拣效率人为失误出口自动化检测

[发明专利]用于电解保护的二极管器件-CN201710763750.8有效
发明人：何飞 -专利权人：常州银河世纪微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电解保护的二极管器件结构，包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，从下到上依次设置有的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；第一区域为在P型基底材料的背面进行的大面积的浓磷掺杂区域，该第一区域的方块电阻为0.2‑20Ω/m2，结深为3‑20μm；第二区域为P型基底材料无掺杂的本征区域；所述第三区域为在P型基底材料的上半部进行的淡磷掺杂区域，该第三区域的方块电阻为20‑100Ω/m2，结深10‑40μm；第四区域为在P型基底材料的上表面进行的浓硼掺杂区域；本发明提供一种用于电解保护的二极管器件结构，该结构具有过压保护功能，当两端电压达到一定程度后器件呈低阻状态。
用于电解保护二极管器件

[发明专利]海空雷达天线-CN201110125312.1有效
发明人：刘若鹏;季春霖;岳玉涛;张凌飞 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01Q19/06 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种海空雷达天线，包括：多个超材料面板构成的超材料腔体和设置于超材料腔体内部的全向多点辐射源，超材料面板包括至少一个超材料片层，超材料片层包括基板和多个附着在基板上的人造微结构，超材料面板分成多个带状区域，在每个带状区域内超材料面板的折射率连续变化且每个带状区域内的折射率从超材料面板中心向两侧方向连续变大，且多个带状区域中至少存在两个相邻的第一区域及第二区域，第一区域的折射率从D1连续增大到D2，第二区域的折射率从
雷达天线

[发明专利]用导电材料填充开口的方法以及具有经垂直堆叠导电结构的组合件-CN201811562413.3在审
发明人：乔丹·D·格林利;约翰·马克·梅尔德里姆;埃弗里特·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及用导电材料填充开口的方法以及具有经垂直堆叠导电结构的组合件。一些实施例包含一种方法，在所述方法中，将组合件形成为在堆叠内具有空隙且具有邻近空隙的狭缝。空隙的外围边界具有接近狭缝的近端区域以及邻近近端区域的远端区域。在致使材料沿着远端区域比沿着近端区域形成为更大厚度的条件下将材料沉积在空隙内。第二层级包含导电材料。面板结构延伸穿过堆叠。第二层级内的导电材料具有外边缘，外边缘具有接近面板结构的近端区域以及邻近近端区域的远端区域。界面材料是沿着导电材料的外边缘，且沿着近端区域具有与沿着远端区域不同的组合物。
近端区域组合件远端区域层级导电材料外边缘堆叠导电材料填充垂直堆叠导电结构面板结构邻近狭缝开口材料沉积界面材料外围边界延伸穿过交替的申请案

[发明专利]基板结构及其制作方法与封装载板及其制作方法-CN201910566604.5有效
发明人：何崇文 -专利权人：何崇文
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：基板结构包括不锈钢板、第一绝缘材料层与第二绝缘材料层。不锈钢板具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。上表面具有上中央区域及围绕上中央区域的上周围区域。下表面具有下中央区域及围绕下中央区域的下周围区域。第一绝缘材料层覆盖不锈钢板的上周围区域、下周围区域以及侧表面并暴露出上中央区域及下中央区域。第二绝缘材料层连接第一绝缘材料层且覆盖不锈钢板的上中央区域以及下中央区域。第二绝缘材料层具有多个第一盲孔与多个第二盲孔。第一盲孔暴露出不锈钢板的部分上表面，而第二盲孔暴露出不锈钢板的部分下表面。
板结及其制作方法装载