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[发明专利]抛光半导体衬底的方法-CN201610087216.5有效
发明人： Y·郭;D·莫斯利 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：提供一种用于具有暴露的二氧化硅特征的衬底的化学机械抛光的工艺，包括：提供化学机械抛光组合物，其含有以下各者作为初始组分：水、胶态二氧化硅研磨剂和氧锆化合物；其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6；给化学机械抛光衬垫提供抛光表面；将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上；和在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触；其中所述衬底经抛光。
抛光半导体衬底方法

[发明专利]蓝宝石化学机械抛光加工工艺智能决策方法、系统及终端-CN202210816729.0有效
发明人：李重阳;邓朝晖;葛吉民;刘涛 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06N20/20 文献下载
摘要：本发明属于蓝宝石化学机械抛光加工控制技术领域，公开了一种蓝宝石化学机械抛光加工工艺智能决策方法、系统及终端，基于7R模型建立蓝宝石化学机械抛光智能工艺决策系统框架；基于数据库结构建立完善的化学机械抛光数据库；结合三支决策理论、层次分析法以及最近邻算法计算的全局相似度、置信度与活性度的综合置信因子开展实例优选；建立结合决策树与深度神经网络的异质集成学习与粒子群算法优化的预测模型获得最优抛光工艺方案输出；基于Qt 4.8.7和SQLite 3开发蓝宝石化学机械抛光加工工艺决策系统并应用于国产数控抛光机床。本发明为蓝宝石化学机械抛光加工工艺智能决策提供工业应用范式，实现蓝宝石化学机械抛光智能化。
蓝宝石化学机械抛光加工工艺智能决策方法系统终端

[发明专利]用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法-CN201710713502.2有效
发明人：李弘恺;路新春;雒建斌;沈攀 -专利权人：清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法，该系统包括：数据获取模块，数据获取模块与抛光盘的电机驱动器相连，用于在化学机械抛光设备抛光晶圆的过程中，获取电机驱动器中的电机功率信号；终点判断模块，用于判断电机功率信号的变化是否满足抛光工艺终点的条件，并在判断出电机功率信号的变化满足抛光工艺终点的条件时，控制化学机械抛光设备停止抛光晶圆。该实施例提出一种基于电机功率信号确定化学机械抛光工艺终点的控制系统及方法，准确判断化学机械抛光工艺终点，控制晶圆抛光过程，避免过抛光或者欠抛光情况的发生，保证了抛光工艺质量。
化学机械抛光工艺电机功率信号控制系统抛光工艺化学机械抛光设备数据获取模块电机驱动器抛光晶圆终点检测晶圆抛光终点判断过抛光抛光盘抛光保证

[发明专利]一种化学机械抛光方法及其专用设备以及该设备制备方法-CN200710171569.4无效
发明人：宋鹰;杨凯平;宋伟红;顾元;朱杰 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法，该方法为将晶圆切割成小块晶圆，进行化学机械抛光。本发明还公开了实现该方法的专用设备，以及由现有的化学机械抛光设备改造成该专用设备的方法。本发明的化学机械抛光方法使用方形晶圆小块取代传统的整块圆形晶圆进行化学机械抛光，大大降低了实验设备和耗材的成本，并节省时间，提高了效率，为半导体工业晶圆抛光工艺及抛光液、抛光垫等产品的研究和开发，以及化学机械抛光材料、设备、工艺认证提供一个更加灵活，成本更低的方法。
一种化学机械抛光方法及其专用设备以及设备制备

[发明专利]表面平坦化方法及半导体多层互连结构-CN201810281915.2有效
发明人：闵源;李大鹏;蒋阳波;李道光;刘慧超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种表面平坦化方法，用于半导体多层互连结构中的化学机械抛光，包括：第一化学机械抛光工序，对半导体多层互连结构中沉积于深孔的金属进行化学机械抛光；第二介质层形成工序，在半导体多层互连结构中阻挡层的表面形成第二介质层；以及第二化学机械抛光工序，对第二介质层及阻挡层进行化学机械抛光。通过使用本发明的该表面平坦化方法，能够修复形成半导体多层互连结构的工艺中铜制程的化学机械抛光工序产生的碟形凹陷，进而为后续工艺提供足够大的工艺窗口，确保后续制程的稳定性。
化学机械抛光多层互连结构半导体表面平坦化介质层阻挡层表面形成碟形凹陷工艺窗口后续工艺形成工序铜制程沉积深孔制程金属修复

[发明专利]化学机械抛光水性组合物及钛基片化学机械抛光工艺方法-CN201210248460.7有效
发明人：路新春;戴媛静;潘国顺;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光水性组合物及钛基片化学机械抛光工艺方法。其中，化学机械抛光水性组合物包含：1-20重量%，优选4-6重量%的磨料；0.5-10重量%，优选0.9-3重量%的氧化剂；0.01-10重量%，优选0.1-2重量%的络合剂；以及0.1-10重量％，优选1-5重量%的缓蚀成膜剂，其中，所述化学机械抛光水性组合物的pH值为1.0-7.0，优选1.5-4.0。本发明的化学机械抛光水性组合物能够有效地应用于钛基片的化学机械抛光工艺，从而能够有效地获得高抛光速率、高表面质量的抛光钛金属层。
化学机械抛光水性组合钛基片工艺方法

[发明专利]化学机械抛光终点检测装置-CN201710245274.0在审
发明人：王军星;郭振宇;沈攀;雷殿波;路新春 -专利权人：天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光终点检测装置，包括装置与化学机械抛光平台配合使用，化学机械抛光平台的抛光盘上设置有窗口，装置包括平面反射镜；搭载平面反射镜的转轴，转轴用于调整平面反射镜的角度；光发射模块，用于发出激光线，激光线经由平面反射镜通过窗口照射到抛光盘上的晶圆表面；光检测模块，用于接收经由窗口接收晶圆的反射光线，以根据反射光线确定化学机械抛光工艺的终点。该实施例的化学机械抛光终点检测装置通过转轴可调节激光线射向化学机械抛光平台的抛光盘上窗口的角度，由此，提高了该装置的可调节性，容错性，可适用于不同厂家的化学机械抛光平台。
化学机械抛光终点检测装置

[实用新型]化学机械抛光终点检测装置-CN201720391740.1有效
发明人：王军星;郭振宇;沈攀;雷殿波;路新春 -专利权人：天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学机械抛光终点检测装置，包括装置与化学机械抛光平台配合使用，化学机械抛光平台的抛光盘上设置有窗口，装置包括平面反射镜；搭载平面反射镜的转轴，转轴用于调整平面反射镜的角度；光发射模块，用于发出激光线，激光线经由平面反射镜通过窗口照射到抛光盘上的晶圆表面；光检测模块，用于接收经由窗口接收晶圆的反射光线，以根据反射光线确定化学机械抛光工艺的终点。该实施例的化学机械抛光终点检测装置通过转轴可调节激光线射向化学机械抛光平台的抛光盘上窗口的角度，由此，提高了该装置的可调节性，容错性，可适用于不同厂家的化学机械抛光平台。
化学机械抛光终点检测装置

[发明专利]一种抛光头、化学机械抛光装置和方法-CN202011413321.6有效
发明人：沙酉鹤 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光头、化学机械抛光装置和方法。所述抛光头包括主体部，用以夹持晶圆并使所述晶圆的待抛光表面朝下以进行化学机械抛光；其中，在所述主体部上设置有边缘供液回路，所述边缘供液回路用以在化学机械抛光过程中向所述晶圆的边缘提供液体以改变所述晶圆的边缘处的抛光液的浓度根据本发明的抛光头和化学机械抛光方法，通过在抛光过程中从晶圆的边缘处引入液体，改变晶圆边缘的抛光液浓度，从而控制晶圆边缘的化学机械抛光速率，改善了晶圆在化学机械抛光工艺中的抛光均匀性。
一种抛光化学机械抛光装置方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法-CN200710184908.2无效
发明人：庄子仪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：其后，进行第一化学机械抛光工艺，以移除部分介电层，接着，进行第二化学机械抛光工艺，以移除部分介电层及掩模层，使介电层的表面低于掩模层的表面。前述第二化学机械抛光工艺的研磨速率低于第一化学机械抛光工艺的研磨速率，且第二化学机械抛光工艺的介电层与掩模层之间的研磨选择比高于第一化学机械抛光工艺的介电层与掩模层之间的研磨选择比。
沟槽隔离结构形成方法半导体研磨

[发明专利]化学机械抛光水性组合物及其用途-CN201310144352.X有效
发明人：戴媛静;雒建斌;路新春;潘国顺 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了化学机械抛光水性组合物及集成电路银互连银层的化学机械抛光工艺方法。其中，该化学机械抛光水性组合物包含：1-20重量%，优选4-8重量%的磨料；0.1-10重量%，优选0.5-5重量%的络合剂；以及0.1-10重量%，优选1-3重量%的润滑剂，其中，该化学机械抛光水性组合物的该化学机械抛光水性组合物能够有效地应用于集成电路银互连银层的化学机械抛光工艺，能够有效实现高平整度的高速初抛光和优化表面粗糙度的低速终抛光，从而能够得到极低表面缺陷的纳米级抛光银层表面。
化学机械抛光水性组合及其用途

[发明专利]在集成电路生产中的使用铜大马士革后道工艺的制造方法-CN200510025214.5有效
发明人：朱骏;方精询;缪炳有 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司;上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明依靠光敏材料平坦表面和使用反刻工艺，对物理气相淀积后的氮化钽/钽金属层进行选择性刻蚀，随后完成铜化学电镀后，仅采用一次金属铜化学机械抛光，替代原先铜化学机械抛光和氮化钽/钽金属层化学机械抛光的两次抛光工艺，降低由于多次化学机械抛光以及过研磨(over－polishing)而产生的金属导线凹陷(Dishing)和金属/绝缘介质被腐蚀(Erosion)的不良反应，提高产品良率。
集成电路生产中的使用大马士革工艺制造方法

[发明专利]一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法-CN202110198261.9在审
发明人：卞鹏程;崔晓坤;王庆伟 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。
一种化学机械抛光及其应用方法

[发明专利]一种基于迁移学习的化学机械抛光芯片表面高度预测模型建模方法-CN202111104690.1在审
发明人：李永福;张晴;黄华杰;王国兴;连勇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G06F30/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于迁移学习的化学机械抛光芯片表面高度预测模型建模方法，包括化学机械抛光仿真数据采集，对数据进行数据预处理，建立源域数据集；利用设计的神经网络模型基于源域数据集进行模型训练，建立源域化学机械抛光芯片表面高度预测模型；然后基于不同的化学机械抛光工艺参数或者不同类型的电路建立目标域数据集，并利用迁移学习的方法，生成目标域化学机械抛光芯片表面高度预测模型。有益效果是适应工艺参数变化以及电路种类差异、通用性强。
一种基于迁移学习化学机械抛光芯片表面高度预测模型建模方法

[发明专利]用来对基板进行化学机械抛光的方法-CN201010184693.6有效
发明人：刘振东;郭毅 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用来对基板进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供一种基板，所述基板包含二氧化硅；提供一种化学机械抛光组合物，该化学机械抛光组合物包含：水，磨料；式(I)所示的双季阳离子；以及任选的季烷基铵化合物；提供化学机械抛光垫；在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触；以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上；所述化学机械抛光组合物的pH为2-6；所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500/分钟。
用来进行化学机械抛光方法

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