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[发明专利]用于化学机械抛光的复合垫-CN202310409770.0在审
发明人：刘崭;邱南荣;M·E·米尔斯 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：一种化学机械抛光垫，其包含基本上无孔的抛光层，该抛光层包括包含聚合物基质和包埋在该聚合物基质中的聚合物颗粒的团聚物，其中这些聚合物颗粒以基于该抛光层重量5至35重量百分比的量存在，这些团聚物具有大于1μm的尺寸，这些聚合物颗粒具有比该聚合物基质的拉伸模量更高的拉伸模量。该抛光层是粘弹性的并且具有大于1000Pa‑1的GEL。用此种垫抛光金属/绝缘体复合物可导致金属特征少量的碟形凹陷。
用于化学机械抛光复合

[发明专利]用于钴的化学机械抛光方法-CN201810954807.7有效
发明人： M·G·瑟瓦纳亚格姆;H·王;M·万哈尼赫姆 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于化学机械抛光含有钴和TiN的衬底以使表面平坦化并且至少改善所述衬底的表面形貌的方法。所述方法包括提供含有钴和TiN的衬底；提供抛光组合物，其含有以下各物作为初始组分：水、氧化剂、天冬氨酸或其盐，和直径≤25nm的胶态二氧化硅研磨剂；并提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述衬底之间的界面处建立动态接触；并将所述抛光组合物分配到在所述抛光垫与所述衬底之间界面处或附近的所述抛光表面上；其中一些钴被抛光去除以使衬底平坦化，由此提供改善的钴:TiN去除速率选择性。
用于化学机械抛光方法

[发明专利]制造具有改进均匀性的化学机械抛光层的方法-CN201810392321.9有效
发明人： B·钱;G·C·雅各布;A·旺克;D·士德那;K-A·K·雷迪;D·M·奥尔登;M·W·格鲁特 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明提供了制造用于抛光衬底如半导体晶片的化学机械抛光(CMP抛光)层的方法，包含提供具有聚合物壳的多个充液微元件的组合物；通过离心空气分级对所述组合物分级以除去细粒和粗颗粒并产生密度为800克/升到1500克/升的充液微元件；以及，通过以下方式形成所述CMP抛光层：(i)将所述分级的充液微元件通过加热转化成充气微元件，然后将它们与液态聚合物基质形成材料混合并浇注或模制所得混合物以形成聚合物垫基质或(ii)将所述分级的充液微元件直接与所述液体聚合物基质形成材料组合，并浇注或模制。
制造具有改进均匀化学机械抛光方法

[发明专利]用于浅沟槽隔离的水性二氧化硅浆料组合物和其使用方法-CN201810558055.2有效
发明人： J·考兹休克;D·莫斯利;N·K·彭塔;M·万哈尼赫姆;K-A·K·雷迪 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供水性CMP抛光组合物，所述组合物按所述组合物的总重量计包含0.5到30重量％的多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体，以及0.001到0.5重量％、优选10到500ppm的二烯丙基二甲基铵盐，如二烯丙基二甲基卤化铵的阳离子共聚物，其中所述组合物的pH为1到4.5。优选地，二烯丙基二甲基铵盐的所述阳离子共聚物包含二烯丙基二甲基氯化铵(DADMAC)和二氧化硫的共聚物。所述浆料组合物在具有氮化物和硅图案的图案晶片的CMP抛光中表现出良好的氧化物选择性。
用于沟槽隔离水性二氧化硅浆料组合使用方法

[发明专利]低磨损二氧化硅颗粒的水性组合物-CN201710977476.4有效
发明人：郭毅;D·莫斯利;M·万哈尼赫姆 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了化学机械平坦化(CMP)抛光水性组合物，其具有2.5到5.3范围内的pH且包含球形胶态二氧化硅颗粒和按所述CMP抛光水性组合物中的二氧化硅固体总重量计30到99wt.％的细长、弯曲或结节状二氧化硅颗粒的混合物，其中所述胶态二氧化硅颗粒和细长、弯曲或结节状二氧化硅颗粒的重量平均粒度(CPS)彼此相差小于20nm，其中所述球形胶态二氧化硅颗粒和所述细长、弯曲或结节状二氧化硅颗粒中的至少一种含有一个或多个阳离子型氮原子。本发明进一步提供在高下压力CMP抛光应用中使用所述组合物的方法。
磨损二氧化硅颗粒水性组合

[发明专利]化学机械抛光垫及其制备-CN202211241561.1在审
发明人：钱百年;R·M·布洛姆奎斯特;L·M·埃尔赛德;M·E·米尔斯;K-A·雷迪;B·K·泰勒;S·夏 -专利权人：杜邦电子公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有抛光层的化学机械抛光垫。该抛光层含有挤出片材。该挤出片材是含有嵌段共聚物、可UV固化丙烯酸酯和光引发剂的可光聚合组合物。
化学机械抛光及其制备

[发明专利]化学机械抛光垫及其制备-CN202211243575.7在审
发明人：钱百年;R·M·布洛姆奎斯特;L·M·艾尔-赛义德;M·E·米尔斯;K-A·雷迪;B·K·泰勒;S·夏 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;杜邦电子公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有抛光层的化学机械抛光垫。该抛光层含有挤出片材。该挤出片材通过挤出混配的可光聚合组合物然后暴露于UV光来制备。
化学机械抛光及其制备

[发明专利]非均相氟化聚合物混合物抛光垫-CN202211105931.9在审
发明人： M·R·加丁科;J·索 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于对半导体、光学、磁性或机电衬底中的至少一种进行抛光的抛光垫。所述抛光垫包含聚脲抛光层和聚脲基质。所述聚脲基质具有软相和硬相。所述软相是由软链段形成的，并且所述硬相是由二异氰酸酯硬链段和固化剂形成的。所述软链段是脂肪族无氟聚合物基团和具有至少六个碳的长度的碳氟化合物的共聚物。所述聚脲基质通过固化剂固化并且包含气体或液体填充的聚合物微元件。所述软链段在抛光期间形成聚集在邻近所述聚合物微元件和抛光层处的富氟相。所述抛光层在剪切条件下在抛光期间仍然是亲水的。
均相氟化聚合物混合物抛光

[发明专利]提高多晶硅的移除速率的方法-CN202211173665.3在审
发明人：郭毅 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种提高多晶硅从衬底的移除速率的方法，包括将含有水、有机酸和磨料的酸性化学机械抛光浆料与含有水、磨料、低级烷基胺化合物的碱性溶液混合；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在抛光垫与衬底之间的界面处产生动态接触；以及将化学机械抛光浆料和碱性溶液的混合物在抛光垫与衬底之间的界面处或附近分配到抛光表面上，其中将多晶硅中的一些从衬底抛光掉。
提高多晶速率方法

[发明专利]化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法-CN202010405646.3有效
发明人： N·K·彭塔;K·E·特泰;M·范汉尼赫姆 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种酸性化学机械抛光组合物，其优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对所述二氧化硅的损伤。所述酸性化学机械抛光组合物包括聚乙烯吡咯烷酮聚合物、阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒以及胺羧酸。所述酸性化学机械抛光组合物的pH为5或更小。
化学机械抛光组合以及优先二氧化硅抛光氮化同时抑制损伤方法

[发明专利]形成杠杆式多孔抛光垫的方法-CN202110416563.9有效
发明人：蔡薇雯;川端克昌;黄辉彬;A·上原;武居阳祐 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成多孔聚氨酯抛光垫的方法，该方法包括用刮刀片将液态聚氨酯进料到幅材片材上，同时将该幅材反张紧。将液态聚氨酯凝固到幅材片材上以形成两层衬底。两层衬底具有多孔基体，其中，多孔基体具有从基表面向上延伸并向上表面开口的大孔。弹簧臂区段连接大孔的下区段和上区段。
形成杠杆多孔抛光方法

[发明专利]可压缩非网状聚脲抛光垫-CN202211099172.X在审
发明人： M·R·加丁科;J·索 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于对半导体、光学、磁性或机电衬底中的至少一种进行抛光的抛光垫。所述抛光垫包含聚脲抛光层和聚脲基质。所述聚脲基质具有软链段，所述软链段是脂肪族无氟聚合物基团和具有至少六个碳的长度的碳氟化合物的共聚物。所述聚脲基质是通过固化剂固化的并且包含气体或液体填充的聚合物微元件。所述聚脲基质具有本体区域和与所述本体区域相邻延伸至所述抛光层的过渡区域。所述过渡区域中的聚合物微元件随着其接近所述抛光层而厚度减小，其中与所述抛光层相邻的压缩微元件的厚度小于所述本体区域中的聚合物微元件的直径的百分之五十。所述抛光层在剪切条件下在抛光期间仍然是亲水的。
可压缩网状抛光

[发明专利]氟化聚脲共聚物垫-CN202211099624.4在审
发明人： M·R·加丁科;J·索 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于对半导体、光学、磁性或机电衬底中的至少一种进行抛光的抛光垫。所述垫包含含聚脲的抛光层，所述抛光层具有含聚脲的基质。所述含聚脲的基质包含软相，所述软相是由两个或更多个脂肪族无氟聚合物基团形成的，所述基团封端至少一个脂肪族氟化聚合物基团的两端。所述含聚脲的基质还包含硬相，所述硬相含有由封端所述脂肪族无氟聚合物基团的外端的异氰酸酯基团与含胺的固化剂反应形成的脲基团。缩二脲交联基团将所述软链段中的一些与硬链段连接。所述抛光层在剪切条件下在抛光期间是亲水的。
氟化共聚物

[发明专利]CMP抛光垫-CN202210717887.0在审
发明人：钱百年;D·M·奥尔登;M·西莫奇;邱南荣;曾圣桓 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：一种抛光垫，其具有包含聚合物基质和不含氯的微元件的抛光层，该聚合物基质包含异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物与不含氯的芳香族多胺固化剂的反应产物。这些微元件可以是膨胀的中空微元件。这些微元件可以具有测量为0.01至0.2的比重。这些微元件可以具有1至120或15至30微米的体积平均粒度。该抛光层不含氯。
cmp 抛光

[发明专利]包含复合二氧化硅颗粒的化学机械抛光组合物、制造所述颗粒的方法以及抛光衬底的方法-CN202110398366.9有效
发明人：郭毅 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种化学机械抛光组合物包含水，具有含有氮物质的二氧化硅芯、包含氧化铈、氢氧化铈或其混合物的铈化合物涂层和正ζ电位的胶体二氧化硅磨料颗粒，任选地氧化剂，任选地pH调节剂，任选地杀生物剂以及任选地表面活性剂。所述化学机械抛光组合物具有小于7的pH。还描述了一种对含有二氧化硅的衬底进行抛光的方法以及一种制造具有氧化铈、氢氧化铈或其混合物的涂层的复合胶体二氧化硅颗粒的方法。所述化学机械抛光组合物能够用于在酸性环境中提高二氧化硅从衬底的移除速率。
包含复合二氧化硅颗粒化学机械抛光组合制造方法以及抛光衬底

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