“制备半导体装置”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15781289个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于制备半导体发光装置的支撑衬底和使用支撑衬底的半导体发光装置-CN200980130052.8有效
发明人：成泰连 -专利权人：高丽大学校
申请日： 2009-06-02 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备采用多层发光结构薄膜的半导体发光装置的支撑衬底，以及采用用于制备半导体发光装置的支撑衬底制备半导体发光装置的方法。所述用于制备半导体发光装置的支撑衬底通过在选定支撑衬底上相继层叠牺牲层、散热层和粘结层形成。一种采用用于制备半导体发光装置的支撑衬底制备半导体发光装置的方法包括：制备第一晶片，其中在初始衬底的上方部分上层叠/生长半导体多层发光结构；制备第二晶片，它是用于制备半导体发光装置的支撑衬底；将第二晶片粘结在第一晶片的上方部分上；从粘结产物上分离第一晶片的初始衬底；在与初始衬底分离的第一晶片的上方部分上形成第一欧姆接触电极后，执行钝化；并通过切割钝化产物制备单个芯片。
用于制备半导体发光装置支撑衬底使用

[发明专利]半导体装置封装及其封装方法-CN200880016717.8无效
发明人：金德勋;曹永尙;李焕哲 -专利权人：艾普特佩克股份有限公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置封装及其方法无需利用助焊剂便能够将半导体装置可靠地封装到衬底上。该半导体装置封装包括半导体装置和与半导体装置相对设置的衬底，其中衬底包括与半导体装置相对的一侧，在该侧上形成多个突出部，这多个突出部环绕将用于设置半导体装置的容纳区域。该封装半导体装置的方法包括：制备半导体装置；制备衬底；形成多个突出部，以环绕衬底上将用于设置半导体装置的容纳区域；将半导体装置下落在容纳区域内；以及将半导体装置封装在衬底上。
半导体装置封装及其方法

[发明专利]用于生产半导体模块的方法-CN202010135581.5在审
发明人： E.菲尔古特;B.戈勒;M.莱杜特克;D.迈尔;C.冯韦希特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产半导体模块的方法。所述方法包括：制备包括多个半导体装置的半导体板；制备包括多个盖的盖板；将盖板接合到半导体板上，使得所述盖中的每个都覆盖所述半导体装置中的一个或多个；以及将所接合的板单片化成多个半导体模块。
用于生产半导体模块方法

[发明专利]用于生产半导体模块的方法-CN201710595464.5有效
发明人： E.菲尔古特;B.戈勒;M.莱杜特克;D.迈尔;C.冯韦希特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产半导体模块的方法。所述方法包括：制备包括多个半导体装置的半导体板；制备包括多个盖的盖板；将盖板接合到半导体板上，使得所述盖中的每个都覆盖所述半导体装置中的一个或多个；以及将所接合的板单片化成多个半导体模块。
用于生产半导体模块方法

[发明专利]制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件-CN202210694215.2有效
发明人：杨国文;惠利省 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件。制备半导体结构的方法包括S100，获取晶体外延结构，包括含铝外延层及设置于含铝外延层上的限制层；S200，在限制层上开设多个开口；靠近含铝外延层中心线的开口的口径大于远离含铝外延层中心线的开口的口径；S300，将晶体外延结构置入湿法氧化装置，使在含铝外延层两侧形成氧化介质层，中央形成电流通道。该半导体结构使用制备半导体结构的方法制备。该半导体器件包括半导体结构。本发明的制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件，缓解了现有技术中存在的外延结构氧化后绝缘体分布不均匀的技术问题。
制备半导体结构方法半导体器件

[发明专利]沟槽制备方法及半导体装置制备方法-CN201610959001.8有效
发明人：易金凤;华强;周耀辉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽制备方法，包括提供半导体器件；在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理。上述沟槽制备方法，在传统的刻蚀形成沟槽结构的步骤后还增加了激光熔融处理步骤，激光熔融处理过程结合半导体器件的旋转从而最终制备得到底角圆润且侧壁光滑的沟槽，极大的改善半导体装置的漏电问题。本发明还提供一种半导体装置制备方法。
沟槽制备方法半导体装置

[发明专利]半导体层、半导体器件、阵列基板和显示装置的制备方法-CN201510023283.6有效
发明人：李延钊;李重君;周莉;王龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体层、半导体器件、阵列基板和显示装置的制备方法，所述半导体层的制备方法包括形成渗碳层，所述渗碳层包括空白区域和溶解区域，所述空白区域对应于形成半导体层的图形区域，所述溶解区域对应于所述图形区域之外的其它区域，在所述渗碳层之上形成半导体层薄膜，所述半导体层薄膜的构成材料包括碳基半导体材料，以使位于所述空白区域之上的半导体层薄膜形成半导体层。上述制备方法保证了半导体层的完整性，提高了前后工艺的兼容性，从而实现半导体层的大规模产业化应用。
半导体半导体器件阵列显示装置制备方法

[发明专利]一种含有金属的半导体装置及其制备方法-CN201210028179.2有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2012-01-14 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明了一种含有金属的半导体装置，通过金属改变半导体材料原有的能级分布，从而改变半导体材料电特性；本发明还涉及含有金属的半导体装置的制备方法；本发明的半导体装置是制造半导体器件和集成电路的基本结构。
一种含有金属半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种半导体制备系统-CN202310989838.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：国镓芯科（成都）半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术，具体公开了一种半导体制备系统，包括生产单元和中控单元，生产单元用于半导体的制备生产，中控单元用于对生产单元在进行制备生产半导体时，对其工作状况进行精确控制，其中，生产单元包括：外机体和半导体制备室，半导体制备室位于外机体内部，且其自上而下设有半导体制备腔和半导体成型腔，在半导体制备腔和半导体成型腔之间还设有流通管，半导体制备腔为一密闭腔室，在其内部蓄有镓液，半导体制备腔的侧部还安装有第一加热组件，在半导体制备腔的顶部贯穿设有延伸至外机体外部的第一输入管，第一输入管的底端通过伸缩件连接有分流件，提升整个系统的智能化和便捷化，并确保最终生成的半导体成品质量更好。
一种半导体制备系统

[发明专利]改良式太阳能发电装置及其制造方法-CN201710952617.7在审
发明人：陈柏颕;陈俋瑾;陈俋锡;王韡勋;王*頥 -专利权人：陈柏颕
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种改良式太阳能发电装置的制造方法，包含一半导体材料制备步骤，及一模组结合步骤。首先执行该半导体材料制备步骤，制备一N型半导体材料模组，及一P型半导体材料模组。接着执行该模组结合步骤，将该N型半导体材料模组及该P型半导体材料模组组合在一起，并于N型半导体材料模组之表面制造多个孔洞结构，每一孔洞结构内填入具有导电与催化效果的填充体，接着再制作一N电极及一P电极，最后在N型半导体材料模组表面覆加聚光材料，如此可以形成改良式太阳能发电装置。
模组太阳能发电装置改良式制备半导体材料孔洞结构模组结合制造催化效果模组表面模组组合光材料填充体导电加聚填入制作

[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法-CN201110098224.7无效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽MOS结构半导体装置，沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电半导体材料体区；在第一导电半导体材料体区下部为第二导电半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电半导体材料无源区；本发明还提供一种沟槽MOS结构半导体装置的制备方法，应用本发明的半导体装置的制备方法制造超级势垒整流器，可以优化器件的电参数。
一种沟槽 mos 结构半导体装置及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及制备装置-CN202011098039.3在审
发明人：邱宇渊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法及制备装置。半导体器件的制备方法包括：提供独立设置的刻蚀腔室与加热腔室；将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀；将刻蚀后的所述半导体器件输送至所述加热腔室内进行加热。本发明解决了在半导体器件刻蚀结束后，通过加热模块对刻蚀腔室进行升温，而升温过程将会浪费大量的时间，导致半导体器件的生产效率较低的技术问题。
半导体器件制备方法装置

[发明专利]化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置-CN202110675444.5在审
发明人：李勇 -专利权人：格芯致显（杭州）科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置，主要包括：在衬底上整面制备第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层；从第二导电类型半导体层一侧进行图形化刻蚀，形成暴露至第一导电类型半导体层的第一图形化刻蚀结构；在第二导电类型半导体层的表面和第一图形化刻蚀结构底部的第一导电类型半导体层的表面分别制备第二接触电极和第一接触电极；在第一图形化刻蚀结构中制备绝缘钝化层；将第二接触电极与驱动触点电气连接；形成从第一导电类型半导体层一侧暴露部分第一接触电极的第二图形化刻蚀结构本发明不存在选区生长所带来的材料层的缺陷，并且能够避免器件之间的信号串扰，能够整体上提升化合物半导体装置的性能。
化合物半导体装置制备方法

[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置-CN201811061849.4有效
发明人：市川周平 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本公开涉及一种制造半导体装置的方法和半导体装置。制造半导体装置的方法包括：制备半导体基板；和形成肖特基电极，所述肖特基电极与所述半导体基板的表面肖特基接触。
制造半导体装置方法

[发明专利]一种具有导体的半导体装置及其制备方法-CN201210007802.6无效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：朱江;盛况
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明将导体材料作为半导体器件基本单元提出一种具有导体的半导体装置及其制备方法。将导体与半导体材料形成的肖特基势垒结和欧姆接触应用在器件结构内，形成新颖的半导体装置，本发明的半导体装置是制造功率器件和集成电路的基本结构。
一种具有导体半导体装置及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条