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[发明专利]一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置-CN202210455845.4在审
发明人：夏钰坤;江训振 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C02F9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种废水处理装置，尤其涉及一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置。要解决的技术问题为：提供一种能够便于人们加入絮凝剂，并且能够对废水杂质进行吸附处理的铌酸锂晶圆加工废水处理装置。一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置，包括有支撑底座和污水处理框等，支撑底座上侧连接有污水处理框。本发明通过将絮凝剂和铌酸锂晶圆加工废水加入到污水处理框右上部分，如此能够便于人们对铌酸锂晶圆加工废水进行处理，同时活性炭板能够对铌酸锂晶圆加工废水内的杂质进行吸附，能够实现铌酸锂晶圆加工废水的絮凝处理和吸附处理同时进行
一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置

[发明专利]一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法-CN202211656714.9在审
发明人：胡志刚;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N15/10 文献下载
摘要：本公开实施例提供的一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法，包括：在清洗后的铌酸锂晶圆的第一表面上形成覆盖所述第一表面的第一导电层；在所述铌酸锂晶圆的第二表面上形成覆盖所述第二表面的第二导电层，所述第二表面和所述第一表面为所述铌酸锂晶圆上相对设置的两表面本公开方法通过使铌酸锂晶圆的等效正负极短路，以中和温度变化过程中在铌酸锂晶圆表面产生的电荷，使得产生的电荷不会累积，从而有效避免铌酸锂晶圆在光刻过程的光刻胶烘烤环节产生炸胶的情况，保证光刻效果。
一种减弱铌酸锂热释电光刻影响方法

[实用新型]一种光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器-CN201820912562.7有效
发明人：史云玲;杨旭;魏喜雯;褚洪波;郑毅;张凤环;李萍 -专利权人：黑龙江工业学院;天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本实用新型针对基于铌酸锂退火质子交换波导的波导起偏器存在的插入损耗较高、光功率阈值较低的问题，并进一步提升此类器件的偏振消光比，本实用新型提出了一种光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器，通过采用掺氧化镁铌酸锂晶体或近化学计量比铌酸锂晶体实现器件光功率阈值的提升，并采用在掺氧化镁铌酸锂晶体或近化学计量比铌酸锂晶体中制备反质子交换光学波导，实现波导插入损耗的降低。此外，本实用新型采用在掺氧化镁铌酸锂晶体或近化学计量比铌酸锂晶体的背面开槽并涂覆光吸收物质的方法，达到进一步提升波导起偏器偏振消光比的目的。
波导起偏器近化学计量比铌酸锂晶体掺氧化镁铌酸锂晶体本实用新型偏振消光比插入损耗光纤耦合高偏振光功率消光比退火光吸收物质光学波导质子交换铌酸锂开槽涂覆制备背面交换

[发明专利]一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法-CN202111096026.7在审
发明人：富松;张洪波;华勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，包括在铌酸锂基片表面形成一层具有导电性能的导电薄膜；利用光刻工艺在所述导电薄膜的表面形成一第一钛条沉积窗口和光刻胶波导掩膜结构；对导电薄膜进行第一次腐蚀，在导电薄膜上对应于所述第一钛条沉积窗口的位置处形成第二钛条沉积窗口，所述第二钛条沉积窗口使得铌酸锂基片的表面显露于外；在铌酸锂基片显露于外的表面形成一层钛膜；将铌酸锂基片上的光刻胶波导掩膜结构剥离；对导电薄膜进行第二次腐蚀，得到具有钛条扩散源的铌酸锂基片；将得到的铌酸锂基片在预设的扩散温度及扩散时间下进行钛扩散，完成铌酸锂光波导的制备，光波导的成品质量成品率高。
一种扩散铌酸锂光波导制备方法

[发明专利]掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料-CN201110064158.1有效
发明人：张心正;石凡;孔勇发;许京军;陈绍林;王丕东;张玲;孙骞 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性
掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其

[发明专利]一种基于铌酸锂的PM-QPSK集成光调制器及其工作方法-CN201610269999.9有效
发明人：季伟;尹锐;王军宝;公姿苏 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸锂的PM‑QPSK集成光调制器及其工作方法。所述集成光调制器，包括上电极、下电极、衬底和铌酸锂晶体；铌酸锂晶体上按光路方向依次刻有偏振解复用器、两路并联的IQ调制器和偏振复用器；上电极和下电极分别设置在铌酸锂晶体上表面和衬底下面；所述偏振解复用器和偏振复用器分别为基于MZI的铌酸锂偏振解复用器和基于MZI的铌酸锂偏振复用器。本发明所述集成光调制器，基于铌酸锂的双折射效应制成铌酸锂偏振解复用器和偏振复用器，改变以往基于硅基制作偏振复用器的传统，将基于硅基的偏振解复用器和偏振复用器与IQ调制器集成于同一块晶体上；工艺容差远小于硅基工艺
一种基于铌酸锂 pm qpsk 集成调制器及其工作方法

[发明专利]一种铌酸锂传感器的声波信号优化方法、传感器及其应用-CN202310714941.0在审
发明人：曾晓梅;佩列诺维奇•瓦西里•奥列戈维奇;杨兵;雷燕;许畅;王晨阳;张俊;黄家辉 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂传感器的声波信号优化方法、传感器及其应用，所述制备方法包括使用溅射法，调控运动路程、射频功率、环境温度、腔内气压、Ar/O2的流量比、沉积时间、衬底摆放位置，将溅射靶材中的元素溅射到衬底上，在衬底上形成铌酸锂涂层；在铌酸锂涂层上制备导电电极得到铌酸锂传感器。本发明的铌酸锂传感器的制备方法通过调控运动路程、射频功率、环境温度、腔内气压、Ar/O2的流量比、沉积时间、衬底摆放位置等，提高到达衬底表面的Li粒子数量，促进柱状晶形成；本发明的铌酸锂传感器的制备方法削弱了缺锂相形成，利于超声信号激发；本发明制备的铌酸锂传感器具有高温稳定性，高温下无电极元素扩散现象。
一种铌酸锂传感器声波信号优化方法及其应用

[发明专利]一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法-CN201810932998.7有效
发明人：沈丽明;郭国标;吉成;王一峰;何大方;暴宁钟 -专利权人：江南石墨烯研究院
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶体材料后处理领域，特别涉及一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法。本发明采用强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定质量比机械球磨，均匀混合后得到复合还原剂；将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中并填充复合还原剂；然后将其置于气氛炉中，在保护气体气氛中，以8~12℃/min升温速率将晶片加热至300~380℃并恒温保持0.5~1.2 h；自然冷却后取出即得铌酸锂或钽酸锂黑片。通过本发明制备的铌酸锂或钽酸锂黑片，在不影响压电性能的前提下，电阻率下降了2~3个数量级，热释电效应明显减弱。本发明采用的铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法时间短、温度低、效率高，适合于工业化生产。
一种铌酸锂钽酸锂晶片方法

[发明专利]一种基于纵声表面波的高性能声学器件-CN202211591699.4在审
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：所述声学器件包括依次叠加的衬底、温度补偿层、压电薄膜和叉指换能器，其中，所述衬底采用碳化硅单晶衬底或金刚石衬底，所述压电薄膜采用X‑Y切铌酸锂单晶压电薄膜，且所述X‑Y切铌酸锂单晶压电薄膜的旋切角为φ，
一种基于纵声表面波性能声学器件

[发明专利]一种基于y切铌酸锂夹层结构芯片的运动微液滴连续分离方法-CN201910427611.7有效
发明人：阎文博;张雄;高作轩;高开放;陈洪建;昝知韬 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于y切铌酸锂夹层结构芯片的运动微液滴连续分离方法，该方法以y切铌酸锂晶片组成的夹层结构为核心，利用激光间断照射形成的叠加的电场实现夹层中微液滴的连续分离，解决了微液滴经过极化不易继续分离的问题
一种基于切铌酸锂夹层结构芯片运动微液滴连续分离方法

[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器-CN202210728605.7在审
发明人：孙雪芮;吴忆南;刘时杰;郑远林;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器，其特征在于，包括依次连接的第一单模光纤、输入光耦合器、电光调制移相区、输出双波导垂直接收耦合器，以及第二单模光纤，待调制光从第一单模光纤进入，经过输入光耦合器被耦合进入电光调制相移区本申请基于X切或Y切薄膜铌酸锂，电光调制区电场沿Z轴方向，有效利用铌酸锂材料优异的电光效应，使所述电光偏振调制器具有响应速度快、驱动电压低、功耗低等优势。
一种基于薄膜铌酸锂电光偏振调制器

[发明专利]一种横向振幅切趾的光栅型铌酸锂光学滤波器-CN202210556074.8在审
发明人：戴道锌;贺江豪;张明;刘大建;朱明愚 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向振幅切趾的光栅型多通道薄膜铌酸锂光学滤波器。包括薄膜铌酸锂平台上的输入波导、N个滤波单元、N个滤模器和输出波导；每个滤波单元均由模式解复用器、横向振幅切趾的多模波导光栅和直通波导连接；相邻滤波单元之间由一个滤模器连接，输入波导连接第一滤波单元模式复用本发明在铌酸锂平台上的滤波器容差大，易于加工，带宽可自由调节，边带抑制比大，消光比大，长波不受FSR限制并且滤波形状呈现方谱，根据具体通信协议需求，可以实现各种不同带宽，不同通道数的滤波器。
一种横向振幅光栅型铌酸锂光学滤波器

[发明专利]一种可实现自发准相位匹配频率转换的跑道型微环腔-CN202210658213.8有效
发明人：陈玉萍;袁汀格;刘一岸;颜雄硕;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现自发准相位匹配频率转换的跑道型微环腔，涉及光学技术领域，该跑道型微环腔包括由上至下依次设置的空气覆盖层、X切铌酸锂薄膜层、二氧化硅绝缘层和硅衬底层，该跑道型微环腔由X切铌酸锂薄膜层刻蚀而成，包括两个直波导，两个半圆环波导和滑轮型耦合波导，两个直波导设置完全相同，两个半圆环波导设置为以铌酸锂晶体的Y轴镜像对称。
一种实现自发相位匹配频率转换跑道型微环腔

[发明专利]铌酸锂光收发器及其形成方法-CN202211550149.8在审
发明人：胡晓;刘阳;刘佳;张红广;徐路;陈代高;王栋;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种铌酸锂光收发器及其形成方法，其中，铌酸锂光收发器包括铌酸锂调制器芯片，以及倒装堆叠在所述铌酸锂调制器芯片上的探测器芯片、激光器芯片、电驱动芯片和跨阻放大器芯片；其中：所述电驱动芯片用于向所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对所述激光器芯片产生的光信号进行调制；所述探测器芯片，用于对调制后的光信号进行探测并转换为电信号；所述跨阻放大器电芯片，用于对所述电信号进行放大。
铌酸锂光收发及其形成方法

[发明专利]一种观察周期性极化铌酸锂晶体畴结构的方法-CN201610122081.1有效
发明人：卢明辉;盛致远;韩旭;祝名伟;张善涛;刘晓平 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种观察周期性极化铌酸锂晶体畴结构的方法，目的在于简便观察铌酸锂晶体的畴结构。具体步骤为：(1)在铌酸锂晶体表面均匀涂布厚度500纳米‑10微米的S1805、SU‑8或AZ5214光刻胶，或LOR聚合物，获得铌酸锂‑聚合物双层结构的样品；(2)将步骤(1)所制备得到的样品在80‑200摄氏度下加热1分钟‑60分钟；然后直接置于显微镜下观察，能够获得良好表现的铌酸锂晶体畴结构的图像。本方法与其他传统方法相比，具有成本低、对铌酸锂晶体无破坏等特点。
铌酸锂晶体畴结构周期性极化铌酸锂晶体观察表面均匀涂布聚合物双层聚合物光刻胶铌酸锂显微镜制备加热图像表现