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[发明专利]一种调制方式的确定方法、装置、设备、存储介质-CN202111624475.4有效
发明人： 张红广;肖希;王磊 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04B10/516 文献下载
摘要：本申请公开了一种调制方式的确定方法、装置、设备、存储介质，其中，所述方法包括：接收N个子载波信号和N+1个噪声测试点的噪声信号；其中，每一子载波的频率介于与所述每一子载波相邻的两个噪声测试点的频率之间；N为大于1的整数；确定所述每一子载波的信号强度和所述与每一子载波相邻的两个噪声测试点的噪声强度；基于所述与所述每一子载波相邻的两个噪声测试点的噪声强度，确定所述每一子载波的噪声强度；基于所述每一子载波的信号强度和噪声强度，确定所述每一子载波的信噪比；基于所述每一子载波的信噪比和预设的调制方式的切换门限，确定所述每一子载波对应的调制方式；其中，所述切换门限为预设的信噪比阈值。
一种调制方式确定方法装置设备存储介质

[发明专利]光耦合结构及其制备方法、包括光耦合结构的硅基芯片-CN202111531175.1有效
发明人：胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请实施例提供了光耦合结构及其制备方法，包括光耦合结构的硅基芯片，所述光耦合结构用于传输连续光，所述光耦合结构包括：衬底以及位于所述衬底上方的多个光耦合层；多个所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向间隔设置，远离所述衬底的所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向上的厚度大于靠近所述衬底的所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向上的厚度；且任意相邻两个所述光耦合层在所述衬底上的投影部分重叠；其中，所述连续光由远离所述衬底的所述光耦合层向靠近所述衬底的所述光耦合层传输。
耦合结构及其制备方法包括芯片

[发明专利]一种光耦合结构以及包括光耦合结构的硅基芯片-CN202111531015.7有效
发明人：胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光耦合结构以及包括光耦合结构的硅基芯片，所述光耦合结构用于传输连续光，所述光耦合结构包括：衬底以及位于所述衬底上方的光耦合层；所述光耦合层包括连接的第一光耦合区和第二光耦合区，所述连续光沿所述第一光耦合区传输至所述第二光耦合区；所述第一光耦合区平行于所述衬底；所述第二光耦合区和所述衬底的夹角小于90度。
一种耦合结构以及包括芯片

[发明专利]光调制器及其形成方法-CN202310003328.8在审
发明人：陈代高;肖希;刘敏;刘佳;刘晔;周佩奇;刘阳;胡晓;张红广 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种光调制器及其形成方法，所述方法包括：在介质层上形成初始掺杂层；刻蚀所述初始掺杂层的第一预设区形成初始第一波导，并刻蚀所述初始掺杂层的第二预设区至预设高度形成刻蚀后的所述第二预设区；基于刻蚀后的所述第二预设区，形成初始第二波导；分别对所述初始第一波导和刻蚀后的所述第一预设区进行P型掺杂，对应形成第一波导和P型掺杂区；分别对所述初始第二波导和刻蚀后的所述第二预设区进行N型掺杂，对应形成第二波导和N型掺杂区；其中，所述第一波导和所述第二波导形成脊波导，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区形成掺杂层；在所述掺杂层上形成包覆所述脊波导的覆盖层。
调制器及其形成方法

[发明专利]一种微环谐振腔的硅基电光调制器-CN202211720740.3在审
发明人：王乾圣;胡晓;肖希;王磊;刘阳;徐路;陈代高;张红广 -专利权人：鹏城实验室;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其包括：微环谐振腔以及直波导，微环谐振腔包括内环和外环，所述内环与所述外环均为封闭的圆环，且所述内环与所述外环的圆心位于同一点，所述内环与所述外环上均设有掺杂区，掺杂区包括P型掺杂区与N型掺杂区；所述直波导沿所述外环的径向设置于所述外环的一侧，且所述直波导与所述外环耦合，以在所述直波导的两端形成输入端和直通端。改变掺杂区的掺杂浓度，可以改变波导的折射率与吸收系数，从而实现微环的调谐与调制。并且在仿真及设计过程中，通过选取合适的同心圆内环与外环的参数，可以实现双环互耦合，以调节谐振腔由于工艺技术限制等原因造成的后向散射带来的谐振分裂情况。
一种谐振腔电光调制器

[发明专利]一种电光调制器自动化测试系统-CN202211584235.0在审
发明人：吴定益;胡晓;肖希;张红广;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04B10/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电光调制器自动化测试系统，涉及通信用电光调制器测试领域，包括第一层级测试组件、第二层级测试组件和第三层级测试组件，所述第一层级测试组件包括依次连接的可调谐激光器和偏振控制器，所述偏振控制器的后端用于连接第一光功率计和待测电光调制器，且待测电光调制器的后端连接有1×2光开关和第二光功率计，所述第一层级测试组件还包括用于与待测电光调制器相连的电流源表；第二层级测试组件包括依次连接的光电探测器和第二高频切换开关，以及依次连接的波形发生器、射频放大器和第一高频切换开关。本发明能够极大提升测试效率及良率，有助于降低电光调制器量产筛选成本，增加成品良率。
一种电光调制器自动化测试系统

[发明专利]一种基于硅光集成技术的单偏振相干光接收机-CN202211514304.0在审
发明人： 张红广;肖希;陈代高 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04B10/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅光集成技术的单偏振相干光接收机，涉及光通信领域，包括用于处理信号光的偏振态的偏振分束器和偏振旋转器，以及用于接收并处理相干调制光信号的混频器，所述偏振分束器和混频器之间设有合波器，所述偏振分束器和合波器之间设有并列的光延时器和偏振旋转器，所述混频器的后端设有光探测器。所述偏振分束器的前端设有信号光波导。所述混频器的前端设有本振光波导。本发明整体结构复杂度低，有效降低成本和功耗，实现对单偏振相干光信号的有效接收。
一种基于集成技术偏振相干光接收机

[发明专利]铌酸锂光发射器及其形成方法-CN202211550428.4在审
发明人：胡晓;刘阳;刘佳;张红广;徐路;陈代高;王栋;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种铌酸锂光发射器及其形成方法，其中，铌酸锂调制器芯片、倒装在所述铌酸锂调制器芯片上的激光器芯片和电驱动芯片；其中，所述电驱动芯片与所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极通过倒装实现互连，所述电驱动芯片用于向所述调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对所述激光器芯片产生的光信号进行调制。
铌酸锂光发射器及其形成方法

[发明专利]一种激光器-CN202211459315.3在审
发明人：陈代高;肖希;刘敏;刘佳;刘晔;周佩奇;刘阳;胡晓;张红广 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01S3/082 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种激光器，该激光器包括：光学装置，至少包括半导体光放大器和光输出端口；第一分束器，至少包括第一端口、第二端口以及第三端口，第一端口与所述光学装置连接；第一微环谐振器，至少包括两个第一弯曲波导，第一微环谐振器具有第一自由光谱程；第二微环谐振器，至少包括两个第二弯曲波导，第二微环谐振器具有第二自由光谱程，第二自由光谱程与所述第一自由光谱程不同；第一微环谐振器与第二端口耦合，第一微环谐振器与第二微环谐振器通过连接波导连接，第二微环谐振器与第三端口耦合。
一种激光器

[发明专利]一种光电探测器自动化测试系统-CN202211586349.9在审
发明人：吴定益;胡晓;肖希;张红广;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器自动化测试系统，涉及通信用光电探测器测试领域，包括第一层级测试组件、第二层级测试组件和第三层级测试组件，所述第一层级测试组件包括用于与待测光电探测器连接的偏置器，以及与偏置器相连的电流源表；所述第二层级测试组件包括依次连接的可调谐光源、1×2光开关、光放大器、光衰减器、偏振控制器和光功率计，且所述偏振控制器还用于与待测光电探测器连接；所述第三层级测试组件包括与所述可调谐光源、1×2光开关和偏置器均相连的光波元件分析仪。本发明可在只搭建一套测试系统的情况下，一步完成部分或所有光电探测器在不同测试条件下关键性能的测试。
一种光电探测器自动化测试系统

[发明专利]电压设置方法、装置、设备及可读存储介质-CN202211460545.1在审
发明人： 张红广;肖希;陈代高 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种电压设置方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：从第一预设电压值开始，按照预设步长，逐步增加调节元件的电压值，直至调节元件的电压值达到第二预设电压值，并记录每一电压值下，微环调制器输入端的光信号强度对应的第一监测值以及微环调制器输出端的光信号强度对应的第二监测值，其中，第二监测值随着调节元件的电压值变化而变化；基于记录的信息判断微环调制器的谐振滤波谱是否存在畸变；根据判断结果对应的选择策略从记录的第二监测值中选择目标第二监测值，设置调节元件的电压值为所述目标第二监测值对应的电压值。通过本发明，实现了使入射光信号的波长处于微环调制器滤波谱特定的位置。
电压设置方法装置设备可读存储介质

[发明专利]光电集成结构及其形成方法-CN202211550442.4在审
发明人：胡晓;刘阳;刘佳;张红广;徐路;陈代高;王栋;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种光电集成结构及其形成方法，其中，光电集成结构包括铌酸锂调制器芯片和倒装在所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极上的电驱动芯片；其中，所述电驱动芯片用于向所述调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对光信号进行调制。
光电集成结构及其形成方法

[发明专利]铌酸锂光收发器及其形成方法-CN202211550149.8在审
发明人：胡晓;刘阳;刘佳;张红广;徐路;陈代高;王栋;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种铌酸锂光收发器及其形成方法，其中，铌酸锂光收发器包括铌酸锂调制器芯片，以及倒装堆叠在所述铌酸锂调制器芯片上的探测器芯片、激光器芯片、电驱动芯片和跨阻放大器芯片；其中：所述电驱动芯片用于向所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对所述激光器芯片产生的光信号进行调制；所述探测器芯片，用于对调制后的光信号进行探测并转换为电信号；所述跨阻放大器电芯片，用于对所述电信号进行放大。
铌酸锂光收发及其形成方法

[发明专利]一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法-CN202211338089.3在审
发明人：王乾圣;胡晓;张红广;陈代高;王磊;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本申请涉及一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法，其包括铌酸锂双脊波导、硅晶体层、P型掺杂区和N型掺杂区，铌酸锂双脊波导包括两个间隔设置的脊部，硅晶体层设于两个所述脊部之间，P型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于其中一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述P型掺杂区与所述硅晶体层接触，N型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于另外一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述N型掺杂区与所述硅晶体层接触。本申请为可见光通信提供了新的光电探测器类型，使得铌酸锂波导的光电探测器在可见光通信中成为可能。
一种可见光波段铌酸锂波导光电探测器制备方法

[发明专利]一种调整方法、装置及计算机存储介质-CN201911151194.4有效
发明人： 张红广;肖希;王磊;李维忠 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H04B10/60 文献下载
摘要：本发明公开一种调整方法、装置及计算机存储介质，所述方法包括：获得跨阻放大器的第一输出信号；对所述第一输出信号进行变换处理，获得第一频域信号；比较所述第一频域信号与参考频域信号，获得第一比较结果；基于所述第一比较结果和预先存储的第二比较结果，生成反馈信号；所述反馈信号用于指示所述跨阻放大器是否调整自身增益峰值。
一种调整方法装置计算机存储介质

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