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[发明专利]除去化学气相沉积(CVD)腔内的表面沉积物和钝化内表面的方法-CN200680028522.6无效
发明人： H·H·萨温;B·白;J·J·安 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及用于从表面除去表面沉积物的等离子体清洗方法，例如除去用于制造电子设备的加工腔内部的沉积物。本发明还提供了具有优异的除去表面沉积物性能的气体混合物和活化的气体混合物。该方法包括活化含碳源或硫源、NF₃以及任选氧源的气体混合物，以形成活化的气体，将活化的气体混合物与表面沉积物接触而除去表面沉积物，其中，活化的气体混合物起到钝化装置内表面而降低气相物种的表面复合速率的作用
除去化学沉积 cvd 表面沉积物钝化方法

[发明专利]容器内表面化学气相沉积涂层方法-CN02145550.3无效
发明人：陈照峰;张立同;成来飞;徐永东;刘小瀛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2002-12-24 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种容器内表面化学气相沉积涂层方法，该方法可以解决只有一个开口的容器，或者单向多个开口容器，或者有两个开口但其夹角小于90°、或者两个开口未开在沿容器最长方向两端的容器内表面涂层的制备。利用容器(1)本身的开口(2)连接一进气管(3)，向容器(1)内插入一根导流管(4)，导流管内口(4a)插到容器最长方向的顶端，作为尾气排出通道，反应气体在容器内表面沉积后，尾气通过位于容器内部的导流管内口(4a)通过导流管(4)排出，导流管外口(4b)处连接真空泵，沉积过程中容器内压强始终保持一定值，可采用常压或减压化学气相沉积。采用此方法可在容器内表面连续均匀地沉积涂层，并可降低生产周期。
容器表面化学沉积涂层方法

[发明专利]一种热解石墨气相沉积装置-CN202111356454.9在审
发明人：黄日杨;向前飞;沈记球;陈萍;许仁 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种热解石墨气相沉积装置，包括依次连接的盖板、沉积室以及底座、石墨基材，其中：沉积室内部形成沉积腔，且与盖板、底座形成沿三者的排布方向延伸的气流通道；石墨基材悬置在沉积腔内，且处于气流通道内，石墨基材的外表面均与气流通道内的气体相接触；将热解石墨气相沉积装置置于化学气相沉积炉内，在化学气相沉积炉内通入碳氢化合物气体，该气体会通过底座进入热解石墨气相沉积装置，并且与悬置在沉积腔内的石墨基材发生反应并在石墨基材表面形成沉积膜；通过将石墨基材位于气流通道中，并且石墨基材外表面均与气流通道内的气体相接触，便会在石墨基材表面形成均匀的沉积膜。
一种石墨沉积装置

[发明专利]用于在容器内表面上沉积涂层的装置-CN200710137938.8有效
发明人：让－米歇尔·里于;尼古拉·肖梅尔;伊夫－阿尔邦·杜克洛 -专利权人：赛德尔参与公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：在容器(10)的内表面沉积涂层的装置，在这类装置中，沉积是通过低压等离子体进行的，等离子体是由微波类电磁波激发前体气体在容器(10)中产生。其能够接收由所述发生器(3)产生的超高频电磁波并能够传播HT点火信号，一种盘(21、23、25)形式的超高频短路(19)以这样一种方式被设置在注射管(13)上，使得在腔体一侧的所述盘(21、23、25)的表面限定了沿所述注射管
用于容器表面上沉积涂层装置

[发明专利]沉积室表面增强和最后得到的沉积室-CN200480002054.6无效
发明人： G·J·戴德里安;G·S·桑德胡;R·S·丹多;C·M·卡彭特;P·H·坎贝尔 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：揭示了在基片上沉积薄膜用的装置内的暴露面进行钝化的方法。沉积室和与之相通管道的内表面经钝化处理而阻止了在沉积工艺中反应物和反应产物在所述内表面上的吸附或化学吸附。为此目的而进行的表面钝化处理包括表面处理、衬里、温度调节或它们的组合。还揭示了一种测量温度或温度范围的方法，该温度范围使得表面上反应物和反应产物积聚的量最小。也揭示了在沉积室和气体流通管道内表面钝化的沉积装置。
沉积表面增强最后得到

[实用新型]一种用于制备掺硼金刚石薄膜的沉积工件-CN202321365534.5有效
发明人：薛军龙;郭俊;陈明靖 -专利权人：海南和风佳会电化学工程技术股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及热丝化学气相沉积技术领域，具体是一种用于制备掺硼金刚石薄膜的沉积工件，其包括沉积室，沉积室的底端固定有进气管，沉积室的顶端固定有出气管，沉积室的内腔固定有上热丝组、下热丝组，沉积室的内腔中部固定有沉积工件；沉积工件I、沉积工件II和沉积工件III均包括水平基圈，水平基圈的内部固定有沿左右分布的若干根纵向栅杆；沉积工件II中纵向栅杆的上表面向上超出水平基圈的上表面、纵向栅杆的下表面与水平基圈的下表面齐平；沉积工件III中纵向栅杆的上表面与水平基圈的上表面齐平、纵向栅杆的下表面向下超出水平基圈的下表面；解决了现有HFCVD装置在沉积大面积的掺硼金刚石薄膜时存在质量差的问题。
一种用于制备金刚石薄膜沉积工件

[发明专利]一种电解铜箔自动控制方法及装置-CN202310668850.8在审
发明人：岳双霞;谭国培;朱习录;廖天雄 -专利权人：湖南龙智新材料科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：本发明涉及电解铜箔领域，尤其涉及一种电解铜箔自动控制方法及装置，本发明通过采集阴极辊在旋转初期表面所沉积铜箔的第一表面粗糙度，判定所述铜箔的基底沉积状态，在铜箔处于第一基底沉积状态下获取阴极辊在旋转初期表面所沉积铜箔的沉积速率，基于沉积速率以及所述表面粗糙度计算基底沉积表征参量，根据基底沉积表征参量调整电解池第一区域内的温度以及第一区域内震荡电场的强度，在铜箔处于第二基底沉积状态下，获取阴极辊在完整沉积周期内表面所沉积铜箔的第二表面粗糙度，基于第二表面粗糙度调整电解池内添加剂的添加量，改善旋转初期和完整周期铜箔表面的均匀性，得到更加均匀的晶粒，提高铜箔表面的质量。
一种电解铜箔自动控制方法装置

[发明专利]超细孔结构的制成工艺-CN201711140505.8有效
发明人：王喆;王鹏程;高晶 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及超细孔结构的制成工艺，包括以下步骤：提供芯片结构；进行刻蚀，在芯片结构的顶层沉积膜内形成接触孔，使次顶层沉积膜内的钨插塞的上表面暴露在接触孔内；向接触孔内沉积二氧化硅，在接触孔的侧壁和钨插塞的上表面形成二氧化硅沉积层，进而形成超细孔；对二氧化硅沉积层进行高温退火；进行湿法清洗，除去超细孔内位于钨插塞的上表面的部分二氧化硅沉积层；向超细孔内沉积粘合材料，形成粘合层；向超细孔内沉积钨，使钨充满超细孔的剩余孔隙，形成超细孔结构本发明通过在超细孔结构的形成工艺中加入二氧化硅侧墙的高温退火步骤，降低了后续湿法清洗和粘合材料沉积步骤对侧墙厚度的影响，保证了超细孔结构的尺寸。
细孔结构制成工艺

[发明专利]一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法-CN201910571574.7在审
发明人：毕新儒;赵显伟;李文卓;马培培 -专利权人：陕西航天时代导航设备有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，将零件置于真空炉内加抽真空并加热，之后向真空炉内通入氩气对球碗零件内表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后启动靶材对刻蚀后的球碗零件内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶沉积氮化钛层，该氮化钛层由多次沉积完成，每次沉积前对上一次沉积的氮化钛层实施氩离子刻蚀处理，每次氮化钛层沉积厚度不超过5μm，每次氩离子刻蚀厚度不超过
一种 gt35 零件表面沉积 tin 工艺方法

[发明专利]一种纤维表面氮化硼涂层的制备方法-CN201110007983.8有效
发明人：李俊生;李斌;张长瑞;王思青;刘荣军;曹峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C04B35/84 文献下载
摘要：一种纤维表面氮化硼涂层的制备方法，其包括以下步骤：（1）将纤维编织体置于丙酮中超声清洗，去除表面污染物，干燥后放入沉积炉膛内；（2）对沉积炉腔抽真空，充入氮气；（3）对沉积炉膛抽真空至0.01~1Pa，升温至500~1800℃；（4）导入载气、稀释气，载气通过鼓泡的方式将硼吖嗪带入沉积炉膛内，氮化硼沉积于纤维表面，形成氮化硼涂层；（5）沉积结束之后，停止导入载气及稀释气，关闭加热系统，随炉冷却至室温。采用本发明方法，氮化硼能够较好的沉积到纤维编织体的表面、内部及交织点，纤维束丝内部的每根纤维表面均沉积有氮化硼涂层，且氮化硼涂层表面光滑均匀致密，厚度一致。
一种纤维表面氮化涂层制备方法

[发明专利]一种沉积型藻菌生物电化学装置-CN201710071065.9在审
发明人：孙健;蔡碧海;徐文静;张亚平;李冠群;文静 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C02F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积型藻菌生物电化学装置，包括设于水体沉积物内的沉积物埋入式阳极和水相漂浮生物阴极，沉积物埋入式阳极的表面附着电化学活性生物膜，水相漂浮生物阴极的表面附着藻菌生物膜；沉积物埋入式阳极和水相漂浮生物阴极之间连接有能够充电与放电的电容；有光照时，藻菌生物膜中的藻进行光合作用产生氧气，提升阴极电势，驱动沉积物埋入式阳极表面的电化学活性生物膜氧化降解水体沉积物内的HOPs，并对电容充电；无光照时，藻菌生物膜不进行光合作用，阴极电势降低，电容放电，继续驱动沉积物埋入式阳极表面的电化学活性生物膜氧化降解水体沉积物内的HOPs。上述装置，能够实现全天候持续强化降解水体沉积物中的HOPs。
一种沉积藻菌生物电化学装置

[发明专利]原子层沉积装置及具有孔状结构的基材的原子层沉积方法-CN201710561488.9有效
发明人：曹耀辉;陈建桥;刘然 -专利权人：秦皇岛博硕光电设备股份有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及ALD沉积技术领域，特别涉及用原子层沉积方法对木材、竹材等具有孔状结构的基材进行加工时用的原子层沉积装置及具有孔状结构的基材的原子层沉积方法，本原子层沉积装置，包括沉积腔（7），沉积腔的内侧表面与所沉积的基材的外侧表面的外形和尺寸相匹配，这种具有孔状结构的基材的原子层沉积方法，是将基材设置在沉积腔内，使基材的设置有孔的一端面与沉积腔的进气口相对，通过进气口向基材的孔内通入原子层沉积用的反应气体，将原子层至少沉积在基材的孔内，采用本发明原子层沉积装置及具有孔状结构的基材的原子层沉积方法使得加快了反应气体的流动速度，提高沉积的效率，反应气体用量少，成本低。
原子沉积装置具有结构基材方法

[发明专利]光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩-CN202011516646.7在审
发明人：高翌;贺遵火;张哲玮;朱佳楠 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩，涉及半导体光刻工艺技术领域，采用该光罩缺陷修复方法，在沉积修复材料之前，对遮光层的透光缺陷区域内的光罩衬底进行表面粗糙化处理，以使透光缺陷区域内的光罩衬底的表面粗糙化，利用增加沉积表面粗糙度的形式，使得沉积物与沉积表面之间的接触面增大，增加沉积物的附着性，使得沉积物不易因清洗而剥落，降低大面积透光缺陷的沉积修补的失败率。
缺陷修复方法制备

[发明专利]用于改善沉积电极的可靠性的导电PVD层叠设计-CN202010126390.2在审
发明人： J·梁;A·达斯;J·金;M·梅尔彻;S·瓦拉达拉扬;W·奥廷 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：一种电子设备，所述电子设备可包括：外壳部件，所述外壳部件可限定所述设备的内表面和外表面；金属膜，所述金属膜沉积于所述内表面上并且至少部分地延伸到所述外表面上；以及陶瓷膜，所述陶瓷膜沉积于所述外表面上并且至少部分地沉积于所述外表面上的所述金属膜的一部分上所述陶瓷膜可与沉积于所述内表面上的所述金属膜的一部分电连通，以形成从所述外表面到所述内表面的电通路。
用于改善沉积电极可靠性导电 pvd 层叠设计

[发明专利]一种在管状基底内表面沉积薄膜的方法-CN201510576694.8在审
发明人：熊玉卿;任妮;王济洲;冯煜东;马占吉 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种在管状基底内表面沉积薄膜的方法，包括下列步骤：将需镀膜的管状基底置于反应室内，将反应室抽真空；向反应室内通入第一种反应前驱体；向反应室内通入惰性气体，将未吸附的多余前第一种反应前驱体排出反应室本发明解决了现有的各种真空镀膜技术只能在平面或形状不太复杂的曲面上沉积薄膜，无法实现在管状基底内表面沉积薄膜的技术问题。
一种管状基底表面沉积薄膜方法

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