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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学滤光膜-CN200710128064.X有效
发明人：陈健忠;康恒达 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2007-06-25 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学滤光膜，其包括凸块、第一共形半穿透膜、共形间隙层以及第二共形半穿透膜。凸块具有一表面，其表面在不同区域上分别具有不同的法向量。并且，第一共形半穿透膜配置于凸块的表面上，而共形间隙层配置于第一共形半穿透膜上。此外，第二共形半穿透膜配置于共形间隙层上。借由调整共形间隙层的膜厚，光线经过第一共形半穿透膜、共形间隙层以及第二共形半穿透膜所组成的结构作用后，可以呈现不同的色彩。上述的光学滤光膜具有高色彩饱和度以及高光线穿透率的优点。
光学滤光

[发明专利]半导体器件-CN202310064113.7在审
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极以及栅极电极。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上，并包括第一共形层以及第一导电填充物。第一共形层从高于第二氮化物半导体层的位置延伸到缓冲体。第一导电填充物设置在第一共形层上。第二源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上，并包括第二共形层以及第二导电填充物。第二共形层从高于第二氮化物半导体层的位置延伸到第二氮化物半导体层，其中第一共形层延伸至低于第二共形层的位置，使得第一共形层的厚度小于第二共形层的厚度。第二导电填充物设置在第二共形层上。
半导体器件

[发明专利]半导体自对准图案化的方法-CN201410135484.0有效
发明人：刘安雄;王雅志 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体自对准图案化的方法，其步骤包含提供包括第一层及第二层的基板，其中第一层位于第二层之上；移除第一层的一部份以形成第一图案；沉积第一共形层于第一图案上；沉积第二共形层于第一共形层上；移除第二共形层的一部分，使露出第一共形层的一部分；交替地薄化第一共形层及第二共形层，以形成第二图案。
半导体对准图案方法

[发明专利]具有共平面的凹陷型栅极层的半导体结构及其制造方法-CN201510509364.7有效
发明人： K·特雷维诺;刘源鸿;G·P·威尔斯;张兴;翁孔成;C·H·孟;T·韩;G·卡玛斯;I·欧瑞;G·乌帕德亚雅 -专利权人：格罗方德半导体公司;拉姆研究公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供一种具有共平面的凹陷型栅极层的半导体结构及其制造方法，其包括，例如，在半导体衬底上提供栅极结构，该栅极结构包括多个共形栅极层和设置在该多个共形栅极层内的栅极材料；凹入该多个共形栅极层的一部分至该栅极结构的上表面的下方，其中凹陷的多个共形栅极层的上表面为共平面；以及去除该栅极材料的一部分以利于该栅极材料的剩余部分的上表面与该凹陷的多个共形栅极层的上表面共平面。
具有平面凹陷栅极半导体结构及其制造方法

[发明专利]使用非共形牺牲层在三维存储设备中形成沟道孔的方法-CN201880001993.0有效
发明人：陈保友;程卫华;黄海辉;黄竹青;吴关平;朱宏斌;王玉岐 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：公开了使用非共形牺牲层在3D存储设备中形成沟道孔的方法的实施例。在一个示例中，在衬底上形成包括交错的第一电介质层和第二电介质层的电介质叠层。形成垂直延伸穿过电介质叠层的开口。沿着开口的侧壁形成非共形牺牲层，使得开口直径的变化减小。去除非共形牺牲层和电介质叠层邻接非共形牺牲层的部分。在去除非共形牺牲层和部分电介质叠层之后，在开口中形成沟道结构。
牺牲层共形电介质叠层开口电介质层沟道存储设备沟道结构三维存储邻接侧壁衬底减小交错穿过

[发明专利]制造共形涂覆制品的方法及由该方法制备的制品-CN201580063637.8有效
发明人： M·卡明斯;西田文人;N·谢泼德 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成共形涂覆制品的真空层合方法，所述共形涂覆制品具有共形涂覆至诸如LED阵列之类的物体或共形涂覆在所述物体上的预成型层合层。这些真空层合方法利用单个加热步骤将所述预成型层合层的中间部分加热至可流动状态，然后再将所述预成型层合层共形地涂覆在所述制品的上方，诸如设置在基座晶片的第一侧的内部部分上的发光二极管阵列。
用于形成共形涂覆制品真空方法相关

[发明专利]使用共形等离子体增强化学气相沉积(PECVD)膜来缩减关键尺寸的方法-CN200980118333.1无效
发明人：夏立群;M·巴尔塞努;谢美晔;S·李;Z·崔;M·B·奈克;M·D·阿玛柯斯特;W·H·麦克肯克尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：薄共形层形成在基板表面上，包括图案凹部的侧壁和底部上。共形层厚度缩减了图案凹部的有效宽度。利用非等向性蚀刻移除图案凹部底部的共形层而露出下面的基板。接着使用覆盖住图案凹部侧壁的共形层做为罩幕来蚀刻基板。然后使用湿蚀刻剂移除共形层。
使用等离子体增强化学沉积 pecvd 缩减关键尺寸方法

[发明专利]存储装置的制作方法-CN202110690213.1在审
发明人：郭致玮;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：各存储单元包括第一电极、第二电极与存储材料层。第二电极在垂直方向上设置在第一电极之上，且存储材料层在垂直方向上设置在第一电极与第二电极之间。在存储单元上形成共形间隙壁层。在共形间隙壁层上形成非共形间隙壁层。形成第一开口在垂直方向上贯穿非共形间隙壁层的侧壁部分以及共形间隙壁层的侧壁部分。
存储装置制作方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及实行刻蚀工艺的方法-CN202210241945.7在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置包括多硅化物结构，所述多硅化物结构包括至少两个共形硅化物层。多硅化物结构可包括源极/漏极上的第一共形硅化物层、第一共形硅化物层上的第二共形硅化物层以及第二共形硅化物层之上的顶盖层。在一些实施方案中，控制器可确定将由刻蚀工具用于对半导体装置实行原子层刻蚀(ALE)工艺的迭代的刻蚀工艺参数。
半导体装置制造方法实行刻蚀工艺

[发明专利]一种强互耦超宽带宽角扫描双极化共形相控阵天线-CN201710515792.X有效
发明人：杨仕文;肖乾树;陈益凯;鲍鸿飞;刘坤宁;屈世伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明属于天线工程技术领域，公开了一种强互耦超宽带宽角扫描双极化共形相控阵天线，包括:共形介质基板；印刷在共形介质基板上层的垂直交叉放置的共形偶极子单元；印刷在共形介质基版下层的圆形金属贴片；位于共形介质基板下方的经过挖孔处理的共形介质层；位于共形介质基板上方的共形介质阻抗匹配层；金属地匹配层；非平衡馈电结构；5个接地金属化通孔；对非平衡馈电结构进行馈电的微波同轴电缆；金属化锥台形载体。本发明新的天线的重量仅为传统相控阵的70％，对载体的载重要求有大幅度的下降；金属地匹配层的使用，摈弃了原有的复杂的匹配电路，极大的简化了加工难度，降低了此天线在工程应用上的加工成本。
一种强互耦超宽带扫描极化形相天线

[发明专利]用于二嵌段聚合物的超薄对准壁-CN200980145649.X无效
发明人：李金杨;D·S·阔;D·布切尔;K·佩霍斯 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G11B5/855 文献下载
摘要：方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
用于二嵌段聚合物超薄对准

[发明专利]氮化铝阻挡层-CN201680011676.8有效
发明人： D·帕德希;S·古格吉拉;A·T·迪莫斯;B·库玛;任河;P·达舍 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。
氮化阻挡

[发明专利]共形摩擦纳米发电机单体、共形结构及独立收集器-CN201910302693.2在审
发明人：张弛;姜冬冬;刘国旭;李文健 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：一种共形摩擦纳米发电机单体、共形结构及独立收集器，共形摩擦纳米发电机单体，包括：载体层；两个电极层，分别贴附于载体层的上、下表面，与其边缘之间存在距离，使外围部分的载体层暴露；两个摩擦层，分别对应包裹于两个电极层的外围，覆盖于暴露的载体层之上，形成一封闭的夹心结构；其中，两个摩擦层位于不同的摩擦电序列。该单体结构的结构紧凑、性能可靠、便于直接进行共形复制，由共形摩擦纳米发电机单体形成的共形结构，能够基于接触‑分离式或单电极模式同时收集包括风能、振动能以及降落的雨滴能等多种形式机械能，由多个单体或者多个共形结构分布形成的独立收集器可用于大规模
摩擦纳米发电机单体结构独立收集

[发明专利]垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法-CN201911379538.7在审
发明人：卞惠炫;金相德;权日荣;权兑烘;宾真昈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。
垂直半导体装置用于制造方法

[发明专利]无成核的钨沉积-CN202080037670.4在审
发明人：塞马·埃梅兹;邓若鹏;西冈丰;巴晓兰;桑杰·戈皮纳特;米卡尔·达内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本文提供了在不沉积成核层的情况下沉积钨(W)膜的方法。在某些实施方案中，该方法包括在衬底上沉积硼(B)和/或硅(Si)的共形还原剂层。衬底通常包括待用钨填充的特征，其中还原剂层与包括该特征的衬底的形貌共形。然后将还原剂层暴露于含氟钨前体，该前体被还原剂层还原以形成元素钨层。共形还原剂层转化为共形钨层。
成核沉积

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