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[发明专利]可测量双侧偏置敏感栅中心轴向偏导的轴向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片-CN201510882070.9在审
发明人：张端 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种可测量双侧偏置敏感栅中心轴向偏导的轴向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片，包括基底和固定其上的六个敏感栅；各敏感栅包括敏感段和过渡段，所有敏感段的轴线呈同一平面内的平行直线，平面内沿轴线方向即轴向，与轴向垂直方向为横向；各敏感栅中心之间横向无偏差，轴向部分有偏差，各敏感栅按其中心位置沿轴向从左至右先是左三敏感栅与左一敏感栅，次为中甲敏感栅与中乙敏感栅，末为右一敏感栅与右三敏感栅，各敏感栅在相同应变下总电阻变化值呈3：1：4：4：1：3；前四个、后四个敏感栅间分别呈叉指布置，前两个敏感栅与后两个敏感栅间也可呈叉指。本发明可同时测量左三敏感栅和右三敏感栅中心处轴向一阶偏导。
可测量偏置敏感中心轴向偏差栅全桥混合金属应变

[实用新型]一种光伏组件-CN201821615376.3有效
发明人：王建;刘增胜;秦林葵;王虎;李贤;胡剑鸣 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏组件，由若干电池串封装形成，电池串包括若干由六边形电池片四等分切成的四分之一切片、连接件，四分之一切片的正面有正面主栅线、细栅线，背面设有背面主栅线，四分之一切片的正面主栅线与相邻四分之一切片的背面主栅线通过连接件连接本实用新型中四分之一切片是非常规的矩形切片等，六边形电池片减少圆形硅棒切割边角硅料的浪费；且四分之一切片按照对应互补的形状排列后形成一条长方形形状，方便电池片连接，同时增加组件的面积利用率；主栅线设计以便电池片串连连接提升了光伏组件的功率
切片主栅线光伏组件电池串电池片背面本实用新型六边形连接件串联长方形形状电池片连接面积利用率串连连接方形结构硅棒切割细栅线边角硅料封装

[发明专利]可测量双侧偏置敏感栅外侧轴向偏导的轴向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片-CN201510885651.8在审
发明人：张端 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种可测量双侧偏置敏感栅外侧轴向偏导的轴向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片，包括基底和固定其上的六个敏感栅；各敏感栅包括敏感段和过渡段，敏感段轴线均呈共面的平行直线，平面内沿轴线方向为轴向，与轴向垂直的为横向；各敏感栅中心横向无偏差，轴向部分有偏差；各敏感栅按其中心位置顺序沿轴向从左至右，先是左五敏感栅与左三敏感栅，次为中甲敏感栅与中乙敏感栅，末为右三敏感栅与右五敏感栅，各敏感栅在相同应变下总电阻变化值呈5：3：8：8：3：5；前四个、后四个敏感栅间分别互为叉指布置。本发明可同时检测左五、右五敏感栅中心左、右外侧至该中心间距等于该中心到中甲敏感栅、中乙敏感栅中心间距处的应变轴向一阶偏导。
可测量偏置敏感外侧轴向偏差栅全桥混合金属应变

[发明专利]可测量双侧偏置敏感栅外侧横向偏导的横向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片-CN201510885653.7在审
发明人：张端 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种可测量双侧偏置敏感栅外侧横向偏导的横向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片，包括基底和固定其上的六个敏感栅，各敏感栅包括敏感段和过渡段，所有敏感段的轴线呈共面平行直线，该平面内沿轴线方向即轴向，与轴向垂直的为横向；各敏感栅中心轴向无偏差，横向存在部分偏差；各敏感栅按其中心位置顺序沿横向从上至下先是上五敏感栅和上三敏感栅，次为中甲敏感栅和中乙敏感栅，末为下三敏感栅和下五敏感栅；上四个、下四个敏感栅分别互为叉指布置，各敏感栅在相同应变下总电阻变化值比例为5：3：8：8：3：5。本发明能同时测量上五敏感栅、下五敏感栅中心上、下外侧至该中心间距等于该中心到中甲、中乙敏感栅中心间距处的横向一阶偏导。
可测量偏置敏感外侧横向偏差栅全桥混合金属应变

[发明专利]一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用-CN202110251925.3有效
发明人：李京波;岳倩;高伟;张峰;张帅;郑涛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO2/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，SnS2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO2膜，利用激光直写技术获得SiO2窗口，将SnS2纳米片转移至SiC上形成SiC‑SnS2异质结，沉积金属得到源电极和漏电极，六方氮化硼作为栅极介电层，石墨烯作为顶栅电极材料，再光刻沉积金属制备栅电极，在150～250℃退火制得。该光电晶体管具有良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度、较快的响应时间和较高的比探测率。
一种碳化硅硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法-CN202111414299.1在审
发明人：晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法。该高效编程的半浮栅晶体管，包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在U型槽表面并延伸覆盖一侧的部分N阱区表面，且在另一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖半浮栅介质层并完全填充U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在控制栅和分离栅两侧，N阱区中。
一种高效编程半浮栅晶体管及其制备方法

[发明专利]一种低操作电压半浮栅存储器及其制备方法-CN202010346656.4有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种低操作电压半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，具有第二掺杂类型；U型槽，贯穿半浮栅阱区，底部处于半浮栅阱区的下边界；第一栅介质层，覆盖U型槽的表面；第一金属栅覆盖第一栅介质层；第二栅介质层覆盖第一金属栅表面和部分半浮栅阱区表面，第二金属栅覆盖第二栅介质层，且第二栅介质层和第二金属栅在U型槽内部均有覆盖；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源电极和漏电极，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧。本发明半浮栅晶体管的开关速度增加，操作电压降低；控制栅对U型槽附近的沟道的控制能力有极大增加。
一种操作电压半浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法-CN202010346220.5有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，为第一掺杂类型；半导体衬底表面的半浮栅阱区，为第二掺杂类型；贯穿半浮栅阱区的U型槽；覆盖U型槽表面的第一栅介质层，在半浮栅阱区形成开口；覆盖第一栅介质层的第一金属栅，在开口处与半浮栅阱区接触；覆盖第一金属栅的浮栅；覆盖浮栅表面和部分半浮栅阱区表面的第二栅介质层，覆盖第二栅介质层的第二金属栅；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的源极和漏极；浮栅为缺陷俘获材料。
一种基于缺陷俘获材料半浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法-CN201110279346.6有效
发明人：乔虹桥;郭志球;顾斌峰;刘强;张斌;邢国强 -专利权人：江阴鑫辉太阳能有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片一或电池片二，电池片一正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤四、制作封装后电池片试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线本发明提供了一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。
测试组件光谱响应反射率方法

[实用新型]用于无线保真系统级封装芯片的基板、WIFI装置和家用电器-CN201720189190.5有效
发明人：梁海浪 -专利权人：美的智慧家居科技有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于无线保真系统级封装芯片的基板、WIFI装置和家用电器，其中，基板包括：在顶层阻焊剂层的下方设置第一金属层；在第一金属层的下方设置第一半固化片层；在第一半固化片层的下方设置第二金属层；在第二金属层的下方设置第二半固化片层；在第二半固化片层的下方设置第三金属层；在第三金属层的下方设置芯层；在芯层的下方设置第四金属层；在第四金属层的下方设置第三半固化片层；在第三半固化片层的下方设置第五金属层；在第五金属层的下方设置第四半固化片层；在第四半固化片层的下方设置第六金属层；在第六金属层的下方设置底层阻焊剂层。
用于无线保真系统封装芯片 wifi 装置家用电器

[实用新型]一种带有梯型焊带的主栅电池片-CN202220446395.8有效
发明人：钮嘉玺;徐婷;钮阿兴;李艳;朱鑫宁;闵浩煜 -专利权人：宜兴锦尚太阳能科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有梯型焊带的主栅电池片，具体涉及主栅电池片技术领域，包括主栅电池片主体，所述主栅电池片主体的两端设有侧框，所述侧框的内端设有滑动槽，所述滑动槽的内端设有滑动板，所述滑动板的下端设有弧形槽本实用新型利用六角槽带动连接杆转动，使得位于连接杆外端的转动块沿着滑动板下端的弧形槽滑动，从而使得滑动板沿着滑动槽上移，从而保证了主栅电池片主体的上端外表面与侧框的上端内表面相接触，避免了主栅电池片主体在流水线上运输和操作的过程中表面磨损
一种带有梯型焊带电池

[发明专利]一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构-CN201910742833.8有效
发明人：徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构，包含一个半浮栅器件MSFG，六个开关管和两个电容；先对半浮栅MSFG复位，然后曝光
一种基于半浮栅全局快门像素结构

[发明专利]一种太阳能电池片的主栅线结构-CN201510661008.7在审
发明人：赵桂梅 -专利权人：浙江鸿禧能源股份有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片的主栅线结构，由四根及以上的主栅线组成；每根主栅线由两根及以上的小主栅线并列组成；每根小主栅线是由若干镂空段和实心段相间排列或者由实心直通形状或者由上述二者组合组成；每根小主栅线的实心段的图形为长方形、椭圆形、六边形或不规则形状；每根小主栅线的两端为方形、椭圆形、三角形或者不规则形状。本发明的有益效果是降低主栅线的浆料使用量，降低组件焊接漏蓝率，提高主栅线的拉力，从而提高电池片的光电转换效率。
一种太阳能电池主栅线结构

[发明专利]一种高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法-CN202111437261.6在审
发明人：晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。该高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管的衬底中形成有U形沟槽，半浮栅和控制栅均嵌入在该U形沟槽中，分离栅形成在半浮栅和控制栅上方，并且控制栅和分离栅均采用金属。
一种高速漏电分栅型半浮栅晶体管及其制备方法

[实用新型]复合铜厚基板-CN201921302195.X有效
发明人：李成;王一雄;张仁德 -专利权人：深圳市迅捷兴科技股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种复合铜厚基板，包括由上至下依次设置的第一铜层、第一半固化片、第二半固化片、第三半固化片、基层、第四半固化片、第五半固化片和第六半固化片和第二铜层，复合铜厚基板包括仅贯穿第一铜层及第一半固化片的第一通孔、仅贯穿第六半固化片及第二铜层的第二通孔、仅贯穿第三半固化片的第三通孔、和仅贯穿第四半固化片的第四通孔，第一通孔内设置有第一导电图形，第二通孔内设置有第二导电图形，第三通孔内设置有第三导电图形，第四通孔内设置有第四导电图形
复合铜厚基板