“光电子学”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1562919个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法-CN202010619045.2在审
发明人：郑海务;张远征;蒋俊华;丁震宇;张亚菊;种榉 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法，涉及铁电半导体异质结器件领域，通过对BLFO/ZnO异质结器件施加脉冲偏压，调用BLFO铁电性，BLFO/ZnO异质结器件调用BLFO的铁电性后，对BLFO/ZnO异质结器件施加压应变引入压电光电子学效应，达到同时调用铁电性和压电光电子学效应的目的，以增强载流子的总驱动力，本发明采用溶胶‑凝胶法和水热法制备了BLFO/ZnO异质结器件，研究了压电光电子学效应和铁电效应对其光伏特性的影响，利用压电光电子学效应调制载流子输运行为，显著改善了BLFO/ZnO异质结器件的开路电压和短路电流，在压应变的基础上引入外电场极化，调用压电光电子学效应和铁电性，调制异质结能带结构和载流子的总驱动力，从而提高了异质结的光电性能。
一种利用铁电性压电电子学效应提高 blfo zno 异质结光电性能方法

[发明专利]一种第二型异质结的压电光电子学效应的仿真方法-CN202310795140.1在审
发明人：谢万里;彭文博;朱权喆;李阳善 -专利权人：西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种第二型异质结的压电光电子学效应的仿真方法，实现定量模拟第二型异质结的压电光电子学效应。本发明方法包括步骤：(1)构建第二型异质结的一维模型，结构包括p区和n区半导体。2)当对所属异质结施加压力和光照，获取光生载流子分布和压电电荷分布；(3)依据所述的电荷分布，求解泊松方程和连续性方程计算出耗尽区长度与少数载流子分布；(4)依据分布情况，进行计算得到受压电电荷调控的光电流本发明一种第二型异质结的压电光电子学效应的仿真方法，简化了压电光电子学效应的仿真过程，并为压电效应在光电电子器件中的调控提供了一种灵活、可控的新途径。
一种第二型异质结压电电子学效应仿真方法

[发明专利]一种用于调控p-Si/n-ZnO薄膜异质结电学性能和光电输出的方法-CN202010650152.1有效
发明人：郑海务;丁震宇;李新营;张远征;周炎;李明清 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种用于调控p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结电学性能和光电输出的方法，涉及半导体异质结器件领域，包括悬臂梁式的应变机构，应变机构包括夹片结构和运动结构，p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件作为悬臂梁，运动结构包括压片器和运动电机造成悬臂梁的弯曲，悬臂梁的弯曲形变会等效一部分在p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件的厚度方向上，从而造成纵向压应变的产生，随着运动电机行程的变化，本发明制备高质量的p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件，并提供在压电电子学和压电光电子学框架内调控器件的电子学和光电子学性能方案，这在一定程度上拓宽了压电电子学和压电光电子学的应用范围。
一种用于调控 si zno 薄膜异质结电学性能光电输出方法

[发明专利]具有光学功能的印刷电路板的形成方法-CN200710306247.6有效
发明人： E·安朱德斯;P·D·肯德森 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明发现尤其适用于电子学和光电子学产业。
具有光学功能印刷电路板形成方法

[发明专利]基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层和基于前者的半导体元件-CN201080052615.9无效
发明人： A.达德加;A.克罗斯特;R.拉瓦什 -专利权人：阿祖罗半导体股份公司
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：第III族氮化物层在电子学和光电子学中的应用广泛。这种层的生长一般在如蓝宝石、SiC以及最近的Si(111)等表面上进行。此时所得到的层一般在生长方向上为极化的，或者具有c-轴取向。对于光电子学领域中的许多应用以及在SAW中的声学应用而言，非极化或半极化第III族氮化物的层的生长是受到关注或者必要的。
基于极化锌矿 iii 氮化物半导体前者元件

[发明专利]半导体结构-CN200980151949.9有效
发明人： A·斯特拉伯尼 -专利权人：斯泰翁公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明可以用于光伏工业和各种领域，例如，电子学、微电子学、光学和光电子学领域。
半导体结构

[发明专利]一种制备同质外延衬底的方法-CN201010504222.9有效
发明人：于彤军;方浩;陶岳彬;李兴斌;陈志忠;杨志坚;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。
一种制备同质外延衬底方法

[发明专利]核壳型Mn:ZnO/Mn:ZnS稀磁半导体异质纳米材料及其制备方法-CN201210250130.1有效
发明人：刘晓芳;于荣海 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C01G9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳型Mn:ZnO/Mn:ZnS稀磁半导体异质纳米材料及其制备方法，属于自旋电子学和光电子学交叉领域。然后将其分散于硫代乙酰胺溶液，在水浴锅中进行硫化反应，将反应沉淀洗涤、干燥即得到本发明的稀磁半导体异质纳米材料；该材料在室温下具有铁磁性，居里温度高于300K，且具有明显的紫外和可见光发光特性，在自旋电子学和光电子学领域具有重要的研究意义和良好的应用前景
核壳型 mn zno zns 半导体纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种锁频深紫外超快激光器-CN202211542363.9有效
发明人：黄志华;李超;徐强坤 -专利权人：武汉光至科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种锁频深紫外超快激光器，属于激光技术领域，锁模振荡器输出锁模脉冲激光，锁模脉冲激光被光纤功率放大器放大后输出功率放大激光；还包括固体放大器、倍频模块和锁频电子学模块；功率放大激光依次经过固体放大器和倍频模块后输出目标激光；所述锁频电子学模块调节光纤功率放大器和锁模振荡器；第一光电探测器用于检测分光隔离器输出的锁模脉冲激光，第一光电探测器将检测到的锁模脉冲激光结果传输给锁频电子学模块；第二光电探测器测得重频信号，并且将重频信号传输到锁频电子学模块，光电子稳频系统驱动压电陶瓷位置变化以实现对重频的稳定补偿和锁定。
一种深紫外超快激光器

[发明专利]光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法-CN201510554660.9有效
发明人：钟文武;李志刚;刘彦平;詹白勺 -专利权人：台州学院;钟文武;詹白勺
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法，包括有清洗衬底、ZnO种子层制备、ZnO纳米棒有序阵列薄膜制备、ZnO/ZnS异质结构纳米阵列制备步骤，本发明具有工艺简单
光电子器件 zno zns 异质结纳米阵列制备方法

[发明专利]包括抗化学处理保护层的结构的制造-CN200480022339.6有效
发明人： B·吉斯兰;O·雷萨克 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造包括埋入层的多层结构并用于电学、光学和光电子学设计的方法，包括a)形成包括埋入层得结构的层，和b)使用用于充分蚀刻埋入层材料的化学种类化学处理所述的结构。也公开了用于制造电学、光学和光电子学设计的结构的所述方法的使用。
包括化学处理保护层结构制造

[发明专利]摩擦电子学光电晶体管及应用其的复合能源收集器-CN201510953821.1有效
发明人：张弛;王中林;张兆华;周桃;韩昌报 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种摩擦电子学光电晶体管及应用其的复合能源收集器。在摩擦电子学晶体管中，将接触‑分离式摩擦纳米发电机与场效应光电晶体管耦合，能够利用接触起电产生的静电势来调控场效应光电晶体管中的光电转换特性，取代传统的门电压，实现对器件光电转换特性的调控，成为一种新型的摩擦光电子学器件在复合能源收集器中，通过耦合场效应光电晶体管和风力驱动的摩擦纳米发电机，将风力摩擦纳米发电机的输出电压作为调控光能收集器性能的内部门电压，实现了对光能和风能的同时收集，同时提高了复合能源收集器的输出性能
摩擦电子学光电晶体管应用复合能源收集

[发明专利]一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片-CN01820799.5有效
发明人： B·吉斯内;F·勒泰特 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2001-11-26 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。
一种特别适用于光学电子学器件加工方法获得

[发明专利]一种连续可调带隙层状MoS_2xSe_2(1-x)合金薄片及其制备方法-CN201410072086.9有效
发明人：潘安练;李洪来 -专利权人：湖南大学
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：二维原子层级别超薄材料在纳米电子学、光电子学和光子学应用的关键是其带隙的调节。这种带隙设计的二维结构在基本物理研究和纳米级功能性光电子器件的潜在性应用上将会令人关注。
一种连续可调层状 mos sub se 合金薄片及其制备方法

[发明专利]非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用-CN94112118.6无效
发明人：吴道怀;俞大畏;陈慧婷;周章;王永令 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1994-04-12 - 公布日： 1995-10-18 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及的是具有光电转换功能的非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜、制备及其应用，属于微电子学和光电子学领域。本发明提供的复合薄膜是由衬底i，掺杂PZT铁电陶瓷薄膜或BaSrTiO3陶瓷薄膜2、非晶硅薄膜3以及电极4、5、6组成.其独特之处在于利用非晶硅良好的光电导性，在光照后电阻下降4个数量级，给铁电薄膜提供光控偏置电场，从而实现光电转换。用本发明提供的复合薄膜可制成多种光电集成器件，如光电开关、光存储器、光电传感器，并可与硅集成电路组合成多功能光电集成电路。
非晶硅陶瓷复合薄膜及其应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条