[发明专利]非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用无效

申请号：	94112118.6	申请日：	1994-04-12
公开（公告）号：	CN1110432A	公开（公告）日：	1995-10-18
发明（设计）人：	吴道怀;俞大畏;陈慧婷;周章;王永令	申请（专利权）人：	中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号：	H01L31/02	分类号：	H01L31/02;H01L31/04;H01L31/20;C04B35/00;G02B1/00
代理公司：	中国科学院上海专利事务所	代理人：	潘振苏
地址：	200050***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明涉及的是具有光电转换功能的非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜、制备及其应用，属于微电子学和光电子学领域。本发明提供的复合薄膜是由衬底i，掺杂PZT铁电陶瓷薄膜或BaSrTiO3陶瓷薄膜2、非晶硅薄膜3以及电极4、5、6组成.其独特之处在于利用非晶硅良好的光电导性，在光照后电阻下降4个数量级，给铁电薄膜提供光控偏置电场，从而实现光电转换。用本发明提供的复合薄膜可制成多种光电集成器件，如光电开关、光存储器、光电传感器，并可与硅集成电路组合成多功能光电集成电路。
搜索关键词：	非晶硅陶瓷复合薄膜及其应用
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【主权项】：

1、一种具有光电转换功能的非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜，其特征在于(1)结构上复合薄膜是由衬底1、掺杂PZT或BaSrTiO3铁电陶瓷薄膜2、非晶硅薄膜3以及电极4、5、6组成；(2)掺杂PZT铁电薄膜2为Pb(ZrxTi1-x)O3，X可由0.4-0.6范围内变化，厚度为0.2-1μm，或BaSrTiO3；(3)非晶硅薄膜3为a-Si∶H，其厚度控制在其电阻与PZT或BaSrTiO3匹配范围内；(4)电极4、5、是金属电极，如Pt，Au，Al，Ni，Cr，Ni-Cr合金；(5)电极6由透明导电玻璃ITO；(6)衬底1是由Si/SiO2组成。

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申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：公开一种太阳能电池网版、太阳能电池片及光伏组件，太阳能电池网版包括行排布的多个副栅线，每一所述副栅线包括多个断开部；多个加强栅，每一所述加强栅位于每一所述断开部，所述加强栅平行于所述副栅线，所述加强栅的两端分别与所述副栅线除所述断开部以外的区域电接触，所述加强栅用于与所述焊带电接触；其中，所述加强栅的印刷浆料与所述副栅线的印刷浆料不同。

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申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：本发明提供一种太阳能电池前驱体、制备方法、太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池前驱体包括：半导体基体和接电点；半导体基体的向光面和/或背光面上具有主栅待镀区域和细栅待镀区域，主栅待镀区域与细栅待镀区域相交；接电点位于在主栅待镀区域内。本申请中，可以利用太阳能电池前驱体电镀制备得到太阳能电池，太阳能电池前驱体包括半导体基体以及半导体基体中主栅待镀区域中的接电点，因此，在进行电镀之前，仅需要在主栅待镀区域中制备用于与电镀设备电连接的接电点，就可以完成后续电镀制备主栅电极和细栅电极的过程，从而无需通过复杂的工艺制备电镀种子层，简化了工艺流程，进而提高了太阳能电池的制备效率。

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申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：本发明公开了一种平面双微腔热电子光探测器及其制备方法，包括从下至上依次设置的基底、第一金属层、第一半导体介质层、第二金属层、第二半导体中间层和第三金属层；所述第二金属层与第三金属层的膜厚相同，所述第二金属层与第三金属层的材料和结构皆一致；所述第一半导体介质层与第二半导体介质层的膜厚相同，所述第二半导体介质层和第二半导体介质层的材料和结构皆一致。其具有很高的光响应度，降低金属层的厚度，提高热电子输运效率的同时不损失光学吸收，结构简单，价格低廉，便于大规模制备。

工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器及制造方法-202010524061.3
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申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明涉及一种工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器及制造方法,包括基底、第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜，且所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜依次叠加设置所述基底上，所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层以及分布式布拉格反射镜组成光学微腔。本发明有效光学吸收强且工作波长随入射光角度变化而不会发生变化。

适用于光电探测器的颜色均一性调节方法-202110920656.5
发明人：陈全胜;贺琪;王涛;陈慧蓉;张明 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：本发明涉及一种适用于光电探测器的颜色均一性调节方法。其包括如下步骤：步骤1、确定光敏面区域内器件第一材料层、器件第二材料层相对应的光敏条件参数；步骤2、计算得到第一观察角度下光敏面RGB值以及第一观察角度下非光敏面RGB值；步骤3、确定非光敏面区域内器件第一材料层的第一观察角度下的厚度取值范围；步骤4、计算得到第二观察角度光敏面RGB值以及第二观察角度下非光敏面RGB值；步骤5、确定非光敏面区域内器件第一材料层的第二观察角度下的厚度取值范围；步骤6、选定非光敏面区域内器件第一材料层的厚度值。本发明在不同角度观察下，能使得光电探测器表面颜色一致，提高光电探测器的观测时的一致性。

一种背接触电池及其制作方法-202111118365.0
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申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池，包括：基底，基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，以及介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三区域。依次形成于第一掺杂区上的第一掺杂层以及第二掺杂层，第一掺杂层与所述第二掺杂层的导电类型相反；形成于第二掺杂区的第三掺杂层，第三掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反；以及第一电极和第二电极，第一电极与第二掺杂层电接触，第二电极与第三掺杂层电接触。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。

一种背接触电池及其制作方法-202111162148.1
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申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池包括：基底，基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，和介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的叠层区和第三区域，叠层区靠近第一掺杂区；形成于第一掺杂区和叠层区上的第一掺杂层；形成于第一掺杂层上且位于叠层区上方的第二掺杂层，形成于第二掺杂区上的第三掺杂层，第三掺杂层和第二掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反；以及与第一掺杂层电接触的第一电极和与第三掺杂层电接触的第二电极。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。

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摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底第一表面且在远离基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层至少包括：多个间隔排布的主体部；多个间隔排布的第一电极，第一电极沿第一方向延伸，第一电极设置于主体部远离基底的一侧，并与主体部电连接；传输层，传输层位于相邻的主体部之间，并与主体部侧面接触；扩散区，部分扩散区位于传输层中，且扩散区还延伸至隧穿介质层以及基底中，扩散区的掺杂离子浓度大于基底的掺杂离子浓度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

一种光电子封装组件-202111015566.8
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摘要：本发明适用于光电子封装设备领域，提供了一种光电子封装组件，包括底座和外壳，还包括：固定机构，所述外壳和底座滑动连接，所述底座固定连接有限位座，所述固定机构通过竖向运动的方式与限位座滑动插接，从而对底座与外壳进行固定限位；定位机构，与外壳固定连接，所述定位机构包括能够进行竖向运动的驱动组件，所述驱动组件连接有第一弹性导热片，所述驱动组件的两端固定连接有第二弹性导热片，所述外壳的内端面转动连接有两个导向轮，每个导向轮均与一个第二弹性导热片滑动连接；散热机构，与底座固定连接，所述外壳中相对的两个侧端面均设置有气孔，所述散热机构用于通过循环水冷的方式对光电子芯片进行降温处理。

一种晶硅异质结太阳电池结构及其制备方法-202210578784.0
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申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种高效晶硅异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的晶硅异质结太阳电池通过减小载流子选择性接触层在电池迎光面上的面积占比，使更多太阳光进入到晶硅衬底中，从而提升电池短路电流密度。同时，所述的制备方法不影响电池表面的钝化效果，可确保电池保持高开路电压和高填充因子，也不显著增加电池制备过程的复杂性，便捷易实施。

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摘要：本发明公开了一种抗过载光接收组件，它属于光通信领域，其解决了现有技术中不能从根本上控制入射光量，无法控制输入光功率的问题。它主要包括管座，管座上设有探测器芯片，所述的管座上设有电引线，电引线连接电压致动器，所述的电压致动器包括衬底，衬底上设有P极输入端和N极输入端，P极输入端滑动连接挡片，N极输入端连接固定片。本发明主要采用移动齿与固定齿相互配合的方式，将通过调节电压致动器P极、N极之间的电压，控制移动齿与固定齿位置，进而控制挡片位置，调节入射到PD探测器芯片上的光功率值，从输入光功率上解决探测器芯片光过载的问题，减少误码的产生，更好的保护光电探测器芯片。

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摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一边缘以及第二边缘，第一边缘为基底沿第一方向的边缘，第二边缘为基底沿第二方向的边缘；两条第一主电极，第一主电极靠近第一边缘，第一主电极包括：多个第一连接垫；第一连接线，第一连接线与至少一个第一连接垫靠近第一边缘的一侧接触；至少两条第二主电极，第二主电极位于相邻的第一主电极之间，第二主电极包括：多个第二连接垫；第二连接线，第二连接线与至少一个第二连接垫接触；第一主电极与相邻的第二主电极之间的第一间距不等于相邻的第二主电极之间的第二间距。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件至少可以提升光电转换效率。

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摘要：本发明提供一种太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底、第一氮化钛层、第一载流子选择传输层和第一电极；第一氮化钛层设置在硅基底的第一表面，第一载流子选择传输层设置在第一氮化钛层的一面，第一电极设置在第一载流子选择传输层的一面；第一载流子选择传输层为电子选择传输材料或空穴选择传输材料中的一种；第一氮化钛层为电子传输材料或空穴传输材料中的一种；第一氮化钛层和第一载流子选择传输层的多数载流子类型相同。本申请中，在第一载流子选择传输层和硅基底之间设置了第一氮化钛层，避免了第一载流子选择传输层与硅基底直接接触而发生表面反应，从而提高了太阳能电池的效率。

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摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括硅基底；隧穿氧化层设于硅基底的表面；第一掺杂多晶硅层设于隧穿氧化层的表面；第一掺杂多晶硅层的表面包括金属接触区域和非金属接触区域；激光吸收层设于第一掺杂多晶硅层表面的金属接触区域；激光吸收层能够吸收设定波长的激光而气化蒸发；第二掺杂多晶硅层设于激光吸收层的表面。太阳能电池通过仅在金属接触区域设置第二掺杂多晶硅层，既能实现钝化接触功能，又能减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，提升电池效率；通过设置激光吸收层，可利用激光去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，有效简化制备的工序流程，工艺成本低，易于规模推广。

温控抗过载光组件-202211513506.3
发明人：曲业飞;邱振龙;郭靖宇;邹小雪 -专利权人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0203
摘要：本发明公开了一种温控抗过载光组件，它属于光组件领域，即可以解决接收端，PD芯片的输入光功率过载，即入射到PD芯片的光功率大于过载光功率问题，又可以解决发射端，在不改变LD芯片工作参数与不增加光衰减器的条件下，调节LD芯片光功率的问题。它主要包括管座，管座上设有管帽和芯片，管帽上设有光窗，所述管座上设有P极电引线和N极电引线，P极电引线和N极电引线之间电性连接有温控模块，温控模块上设有光孔，温控模块的光孔上方设有温控光学部件，光孔和温控光学部件位于芯片上方。本发明主要用于为PD芯片或LD芯片调节透光率。

太阳能电池和太阳能电池的制备方法-202310741576.2
发明人：刘成法;陈红;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本申请提供一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括衬底，具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面；隧穿氧化层，设置于第一表面和/或第二表面；掺杂多晶硅层，设置于隧穿氧化层远离衬底的表面；阻挡层，设置于太阳能电池的电极区，且与掺杂多晶硅层接触，阻挡层的掺杂类型与掺杂多晶硅层相同；以及电极，与阻挡层接触。本申请上述实施中的太阳能电池在电极区设置与掺杂多晶硅层接触的阻挡层，降低了电极烧穿掺杂多晶硅层的风险；在此基础上，可进一步减小掺杂多晶硅层的厚度，从而降低掺杂多晶硅层对入射光的吸收，提高了太阳能电池对入射光的利用率。

基于完美吸收超材料的热电子光探测器及其制备方法-202010327903.6
发明人：邵伟佳;张程;李孝峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：本发明公开了一种基于完美吸收超材料的热电子光探测器及其制备方法，包括基底，在所述基底上由下向上依次设置有第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、超材料介质层和周期性介质点阵；所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材质一致；所述第一金属薄膜作为底电极，所述第二金属薄膜作为顶电极；其中，所述第一金属薄膜为光学阻挡层和电学输运层。其光学吸收好，电学输运效率高，光探测器的响应度好。

太阳能电池及其制作方法、光伏组件-202111040162.4
发明人：柴嘉磊;余丁;赵世杰;张晓雯;李文琪;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：具有相对前表面和后表面的基底；位于前表面上的钝化叠层包括依次设置的含氧电介质层、第一钝化层和以及第二钝化层，含氧电介质层包含金属氧化物材料，第一钝化层包含氮化硅材料，第二钝化层包括氮氧化硅材料；其中，第一钝化层具有靠近含氧电介质层的第一界面和靠近第二钝化层的第二界面，第二钝化层具有远离第二界面的第三界面，氮元素和硅元素在第二界面处的含量分别大于在第一界面处和第三界面处的含量，氧元素在第二界面处的含量小于在第一界面处和第三界面处的含量；位于后表面上的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例至少有利于提升太阳电池的光吸收效率。

一种背接触电池、电池组件和光伏系统-202321248013.1
发明人：谭理想;王永谦;张宁;宋易;陈刚 -专利权人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/02
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统。背接触电池包括电池基片、第一绝缘件、第二绝缘件和第三绝缘件，电池基片的背面形成有交错分布的两种极性的副栅，背面包括交错分布的汇流区域和非汇流区域；第一绝缘件在非汇流区域覆盖第一极性的副栅，第二绝缘件在第一极性的汇流区域覆盖第二极性的副栅，第三绝缘件在第二极性的汇流区域覆盖第一极性的副栅。如此，可以避免相邻两个极性相反的副栅通过锡渣等导电异物导通，也可以避免极性相反的副栅在汇流区域与汇流件导通，从而可以保证背接触电池的正常工作，降低背接触电池短路的风险。

具有绒面结构的硅片和太阳能电池-202221917177.4
发明人：童洪波;丁超;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，公开了一种具有绒面结构的硅片和太阳能电池，所述硅片的绒面结构包括复数个类金字塔结构，所述类金字塔结构为棱台形或棱锥形；所述类金字塔结构的塔高和所述类金字塔结构的塔底边长之间的高宽比0.6～0.85：1；或者，所述类金字塔结构的斜面与所述类金字塔结构的塔底之间夹角为55～60°；所述类金字塔结构的斜面为类金字塔结构的塔尖与所述类金字塔结构的塔底底边构成的平面。本实用新型的硅片的类金字塔结构绒面结构具有较大的高宽比，或者具有较大的斜面与塔底夹角，使得硅片具有更为陡峭的绒面结构，可以降低硅片表面的反射率，从而增大太阳能电池的短路电流，提升太阳能电池的光转换效率。

一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统-202223437469.0
发明人：唐远昭;邱开富;王永谦;林文杰;杨新强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统。太阳能电池的晶格钝化接触结构包括：硅基底；依次设置在所述硅基底上的第一氧化硅层、掺杂层、第二氧化硅层和钝化层；所述掺杂层的物质在穿透区穿透所述第一氧化硅层与所述硅基底接触。如此，穿透区可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，可进一步提高掺杂层的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用无效

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