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[发明专利]光端机的自动控制功率电路-CN201310266327.9无效
发明人：康清华 -专利权人：成都思迈科技发展有限责任公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明公布了光端机的自动控制功率电路，包括驱动电路、光电二极管和激光二极管，所述驱动电路的调整端与激光二极管相连，驱动电路的反馈端与光电二极管相连，激光二极管和光电二极管相连，还包括与光电二极管相连的运算放大器采用的运算放大器具有宽带宽、高压摆率和充裕的稳态电流的特性，取代了光电二极管中分立所设计的驱动电路和驱动器，实现对光功率的自动控制。
光端机自动控制功率电路

[发明专利]具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素-CN201310533739.4无效
发明人：陈刚;杨大江;李津;毛杜立;戴幸志 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素。一种高动态范围图像传感器像素包含安置于半导体材料中的短积分光电二极管及长积分光电二极管。所述长积分光电二极管具有实质上大于所述短积分光电二极管的曝光区域的曝光区域。所述短积分光电二极管的所述曝光区域具有来自第一掺杂植入的第一掺杂浓度。所述长积分光电二极管的所述曝光区域包含具有来自所述第一掺杂植入的所述第一掺杂浓度的至少一个经植入部分。所述长积分光电二极管的所述曝光区域进一步包含经光掩蔽以免受所述第一掺杂植入影响的至少一个未植入部分，使得所述长积分光电二极管的所述曝光区域的所述经植入与未植入部分的经组合掺杂浓度小于所述短积分光电二极管的所述曝光区域的所述第一掺杂浓度
具有带有单一植入光电二极管动态范围像素

[实用新型]图像传感器的像素单元、图像传感器及电子设备-CN202121694727.6有效
发明人：刘坤;傅璟军;谢勇;张成强 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该图像传感器的像素单元包括透光层，透光层具有第一表面；第一表面至少设置有第一微透镜和第二微透镜；透光层的内部至少设置有第一光电二极管和第二光电二极管；第一微透镜与第一光电二极管对应，外界光线经过第一微透镜进入透光层并被第一光电二极管接收；第二微透镜与第二光电二极管对应，外界光线经过第二微透镜进入透光层并被第二光电二极管接收；透光层内设置有晶体管，晶体管位于从第一微透镜至第一光电二极管的光路中；透光层内设置有遮光部，遮光部位于从第二微透镜至第二光电二极管的光路中，以遮挡部分从第二微透镜入射至第二光电二极管的外界光线。
图像传感器像素单元电子设备

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810160662.3有效
发明人：吕相南;北村陽介;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的吸收绿光的光电二极管、吸收蓝光的光电二极管、吸收红光的光电二极管及垂直电荷转移层，吸收绿光的光电二极管、吸收红光的光电二极管和垂直电荷转移层间隔分布，吸收蓝光的光电二极管位于吸收红光的光电二极管上且延伸至覆盖垂直电荷转移层；位于半导体衬底上的平坦化层；位于平坦化层上的滤光层和微透镜，滤光层包括绿色滤光器、品红滤光器和蓝色滤光器，绿色滤光器下对应有吸收绿光的光电二极管，品红滤光器下对应有吸收红光的光电二极管，蓝色滤光器下对应有垂直电荷转移层。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]拥有具有交错光电二极管的像素单元的图像传感器-CN201510697363.X有效
发明人：伊贤敏 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明涉及一种拥有具有交错光电二极管的像素单元的图像传感器。图像传感器包含布置成行及列的阵列的多个光电二极管。所述光电二极管分组成像素单元，其中每一像素单元包含至少四个光电二极管以及耦合到所述四个光电二极管中的每一者的共享像素单元电路。在一个方面中，所述共享像素单元电路可包含共享源极跟随器晶体管。在另一方面中，所述共享像素单元电路包含共享复位晶体管。所述像素单元的所述光电二极管中的两者处于所述阵列的第一列中且所述光电二极管中的另外两者处于所述阵列的第二列中。所述第二列中的所述光电二极管中的一者处于介于所述第一列中的所述两个光电二极管的行之间的行中。
拥有具有交错光电二极管像素单元图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器制作方法-CN201110187392.3在审
发明人：吴小利;张克云 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器制作方法，其中，包括：形成常规结构的光电二极管；控制离子注入角度，对所述光电二极管设定区域进行多次离子注入，且所述多次离子注入的区域至少部分重合，从而在所述光电二极管设定区域中形成至少一条沟道，使得在所述光电二极管垂直于轴向的横向方向上，所述沟道内包含具有最大掺杂浓度的区域。本发明通过对所述光电二极管进行多次离子注入，并调节离子注入的角度，从而在光电二极管中形成掺杂浓度大于所述光电二极管其它区域掺杂浓度的沟道，且所述沟道中包含具有最大掺杂浓度的区域，从而有效地驱动光电子进行运动，减少了滞留的光电子数量，提高了光电二极管的转移效率，减少了图像延迟或信息丢失的现象。
cmos 图像传感器制作方法

[发明专利]对图像感测光电二极管与相位检测光电二极管进行模拟合并读出的图像传感器-CN202110436131.4在审
发明人：陈晴飞;彭进宝;单庆伟 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及对图像感测光电二极管与相位检测光电二极管进行模拟合并读出的图像传感器。成像装置包含第一像素电路，其具有包含相位检测自动对焦光电二极管及图像感测光电二极管的第一多个光电二极管。具有第一阈值电压的第一缓冲晶体管耦合到第一多个光电二极管以产生第一输出信号。包含第二像素电路，其具有全部都是图像感测光电二极管的第二多个光电二极管。具有第二阈值电压的第二缓冲晶体管耦合到第二多个光电二极管以产生第二输出信号。第一阈值电压小于第二阈值电压。驱动器经耦合以接收第一和第二输出信号的组合以产生总输出信号。由于第一阈值电压小于第二阈值电压，因此在总输出信号中第一输出信号的影响胜过第二输出信号。
图像测光二极管相位检测光电二极管进行模拟合并读出图像传感器

[发明专利]光电转换装置-CN201510974905.3有效
发明人：宇都宫文靖 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：光电转换装置，在被入射较多光量的情况下防止复位时间变长。光电转换装置具有：光电二极管，在该光电二极管中流过与入射光量对应的光电流；复位电路，其将光电二极管的寄生电容充电至复位电压；电压限制电路，其防止光电二极管的寄生电容的电压下降至低于规定的电压的情况；以及输出电路，其输出光电二极管的寄生电容的电压。
光电转换装置

[发明专利]用于图像传感器的沟槽隔离-CN201811201788.7有效
发明人：郑荣友;林赛·格朗;戴森·H·戴;文森特·瓦乃兹艾;郑魏 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包含多个光电二极管，所述多个光电二极管安置于半导体材料中以将图像光转换成图像电荷。浮动扩散部接近于所述多个光电二极管而安置以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。多个转移晶体管经耦合以响应于施加到所述多个转移晶体管的栅极端子的电压而将所述图像电荷从所述多个光电二极管转移到所述浮动扩散部中。第一沟槽隔离结构从所述半导体材料的前侧延伸到所述半导体材料中且环绕所述多个光电二极管。第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的后侧延伸到所述半导体材料中。所述第二沟槽隔离结构安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。
用于图像传感器沟槽隔离

[发明专利]成像系统、成像方法和非瞬时性机器可读存储介质-CN201880048761.0有效
发明人： M·加洛罗·格卢斯金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：所述像素包括共享共同微透镜的第一和第二光电二极管，所述共同微透镜被配置成将光会聚到所述第一光电二极管的第一区域和所述第二光电二极管的第二区域上。所述第一区域的有效光学中心从所述第一光电二极管的质心偏移。所述第二区域的有效光学中心从所述第二光电二极管的质心偏移。处理器被配置成：接收来自所述第一光电二极管的第一明度值；接收来自所述第二光电二极管的第二明度值；以及对包含所述第一第二明度值的多个明度值进行再取样以提供具有所述第一光电二极管的质心处的光学中心的第一再取样像素的明度和具有所述第二光电二极管的质心处的光学中心的第二再取样像素的明度
成像系统方法瞬时机器可读存储介质

[发明专利]一种新型半导体光电倍增器件-CN201710198773.9有效
发明人：徐青;王麟;N·达申佐;谢庆国 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型半导体光电倍增器件，包括位于SOI衬底之上的外延光电二极管阵列，将每一个光电二极管完全隔离的深槽介质层，与每一个光电二极管串联的高阻电阻，以及用于高阻电阻和光电二极管之间相互互连的金属互连线本发明的有益之处在于，深槽介质层与SOI衬底将每一个光电二极管与其它临近的光电二极管完全隔离开来，阻止了直接光学串扰和延迟光学串扰的产生，降低了次级光子对临近光电二极管的影响，从而可以显著降低器件的整体光学串扰
一种新型半导体光电倍增器件

[实用新型]一种光电二极管原理显示实验组件-CN201520425375.2有效
发明人：孟祥全;郭建军;姜春秀;刘长蕊 -专利权人：天津梦祥原科技有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可直观地观察光电二极管PN结内电子空穴对移动的一种光电二极管原理显示实验组件，该实验组件包括可调光、光电二极管电流测量电路、模数转化模块、控制模块和显示模块，所述光电二极管电流测量电路由电流表和光电二极管串联而成；所述可调光照在所述光电二极管上；所述模数转化模块接入连接到所述光电二极管电流测量电路中，模数转化模块的输出端连接至所述控制模块的控制信号输入端，所述控制模块的输出端连接至所述显示模块；因此本实用新型使得学生理解光电二极管的光生电流更直观，更容易记忆，为后续光电教学的其他实验奠定了基础，同时，本实验组件也可作为初级科普展示，为中小学生科普光电知识。
一种光电二极管原理显示实验组件

[发明专利]具有增加的动态范围的数字X射线检测器-CN201110306607.9有效
发明人： P·R·格兰富尔斯;J·R·兰伯蒂;R·G·克伦斯;薛平;M·谢普肯斯;A·J·库图尔;D·阿尔巴利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：每个像素区域(54)包含具有第一面积(116)的第一光电二极管(86)和具有等于或小于第一面积(116)的第二面积(122)的第二光电二极管(88)。数字X射线检测器(22)还包含屏蔽结构(94)，其盖在每个像素区域(54)的第一(86)光电二极管和第二(88)光电二极管之上，同时屏蔽结构(94)相对第二光电二极管(88)按比例更少地屏蔽第一光电二极管(86)，以提供具有第一灵敏度的第一光电二极管(86)，以及具有低于第一灵敏度的第二灵敏度的第二光电二极管(88)。
具有增加动态范围数字射线检测器

[发明专利]检测X-射线的方法及X-射线检测装置-CN200810160827.3无效
发明人：郑宽旭;秋大镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：精确地检测X-射线的装置和方法使用了光电二极管基板，其中向光电二极管施加第一反向电压，以根据入射到光电二极管上的X-射线产生光电探测电压。在响应当前帧中施加于光电二极管的X-射线输出图像信号之后，向光电二极管施加正向偏置，从而在下一帧中可以更加精确的检测X-射线。
检测射线方法装置

[发明专利]用于有机光电二极管的化合物、有机光电二极管和显示装置-CN201880063755.2在审
发明人：申昌主;金昌佑;金亨宣;柳东完;李胜载;张洧娜;姜东敏;柳银善;李韩壹;郑成显;郑胄然;郑镐国 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于有机光电二极管的化合物，一种用于有机光电二极管的组合物，该组合物包含该用于有机光电二极管的化合物，一种施用该组合物的有机光电二极管，以及一种显示装置。
用于有机光电二极管化合物显示装置