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[发明专利]图像传感器及成像系统-CN201610318754.0有效
发明人：杨大江;陈刚;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;傅振宏;陆震伟;毛杜利;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包含安置在半导体材料中的光电二极管。所述光电二极管中的每一者经相同地定大小且使用相同半导体处理条件制造在所述半导体材料中。所述光电二极管被组织成包含第一光电二极管和第二光电二极管的虚拟大‑小群组。微透镜安置在所述半导体材料上方，其中微透镜中的每一者安置在相应光电二极管上方。第一微透镜安置在所述第一光电二极管上方，且第二微透镜安置在所述第二光电二极管上方。掩模安置在所述第一微透镜与所述第一光电二极管之间。所述掩模包含开口，被引导通过所述第一微透镜的入射光的第一部分通过所述开口引导到所述第一光电二极管。被引导通过所述第一微透镜的所述入射光的第二部分被所述掩模阻挡而无法到达所述第一光电二极管。在所述第二微透镜与所述第二光电二极管之间不存在掩模。
图像传感器成像系统

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201811015597.1有效
发明人：王国强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板的制备方法，该阵列基板的制备方法包括形成保护层，并在所述保护层上形成过孔；在所述过孔内形成光电二极管。光电二极管直接沉积在保护层的过孔内，光电二极管的侧壁与过孔的内壁贴合，在光电二极管的刻蚀过程中，刻蚀气体不会对光电二极管的侧壁造成损伤，光电二极管的暗电流降低了，信噪比也提高了。保护层能够实现对光电二极管的保护，而且能够起到平坦化的作用。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]光电二极管的击穿电压测试-CN201910788935.3有效
发明人：王陈銮;向少卿 -专利权人：上海禾赛科技股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种能够测试光电二极管的击穿电压的模拟前端电路、一种测试光电二极管的击穿电压的方法以及一种用于激光雷达的接收电路。根据本公开，在控制器的控制下，通过电压型DAC调节光电二极管的阳极处的电压，和/或通过调节光电二极管的阴极处的供电电压，来独立地调节各个通道的光电二极管的反向偏置电压，从而可以完成对光电二极管的击穿电压的测试，并且能够将光电二极管调节到最佳工作电压。
光电二极管击穿电压测试

[发明专利]光电二极管的击穿电压测试-CN202110388922.4有效
发明人：王陈銮;向少卿 -专利权人：上海禾赛科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种能够测试光电二极管的击穿电压的模拟前端电路、一种测试光电二极管的击穿电压的方法以及一种用于激光雷达的接收电路。根据本公开，在控制器的控制下，通过电压型DAC调节光电二极管的阳极处的电压，和/或通过调节光电二极管的阴极处的供电电压，来独立地调节各个通道的光电二极管的反向偏置电压，从而可以完成对光电二极管的击穿电压的测试，并且能够将光电二极管调节到最佳工作电压。
光电二极管击穿电压测试

[发明专利]堆叠图像传感器及其制备方法-CN201910606181.5在审
发明人：高翔;熊望明 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠图像传感器及其制备方法，堆叠图像传感器包括：光电二极管晶圆，光电二极管晶圆内形成有光电二极管；逻辑晶圆，键合于光电二极管晶圆上，逻辑晶圆内形成有图像传感器电路结构；硅通孔互连结构，位于光电二极管晶圆及所述逻辑晶圆内，且将光电二极管与图像传感器电路结构电连接。本发明的堆叠图像传感器通过将光电二极管与图像传感器电路结构分别形成于不同的晶圆中，可以增大光电二极管的受光面积，同时可以避免光电二极管产生的电子对图像传感器电路结构的信号产生干扰，还可以避免对堆叠图像传感器的满阱容量造成影响
光电二极管晶圆堆叠图像传感器图像传感器电路制备互连结构信号产生电连接硅通孔串扰键合受光图像滞后

[发明专利]光电二极管阵列、制备方法、传感器、摄像头、电子设备-CN202210763731.6在审
发明人：祁春超;李玉鹏;刘艳丽 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请实施例提供光电二极管阵列、制备方法、传感器、摄像头、电子设备。该光电二极管阵列，包括半导体衬底、多个光电二极管以及多个散光件。多个光电二极管设置于半导体衬底内呈阵列分布，光电二极管具有感光面和背光面。多个散光件设置于半导体衬底内靠近感光面一侧，每个散光件包括至少一个散射透镜，散射透镜具有凸面，凸面朝向散射透镜对应的光电二极管的感光面，散射透镜用于将透过散射透镜的光进行散射。上述光电二极管阵列，光经过散射透镜的凸面发生散射，分散成多个方向向光电二极管的感光面传播，可减少从半导体衬底透出的光量，延长光的传播路径，有利于光电二极管对光的吸收从而提高量子效率。
光电二极管阵列制备方法传感器摄像头电子设备

[发明专利]半导体光电探测器元件和半导体装置-CN201010267198.1有效
发明人：夏秋和弘 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。
半导体光电探测器元件装置

[发明专利]具有暗电流校正的光电探测器-CN200810088075.4有效
发明人：陈范显;陈吉恩;陈文杰 -专利权人：安华高科技ECBUIP（新加坡）私人有限公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了光电探测器以及用于制造该光电探测器的方法。该光电探测器包括具有第一、第二和第三光电二极管的衬底以及第一和第二颜料滤波器层。第一、第二和第三光电二极管分别产生第一、第二和第三光电二极管输出信号，每个光电二极管输出信号表示入射到相应光电二极管上的光强度以及独立于所述光强度的暗电流。第一和第二颜料滤波器层覆盖第一和第二光电二极管，而包括第一和第二颜料滤波器层的层覆盖第三光电二极管。输出电路将第一和第三光电二极管输出信号结合来提供第一校正输出信号，并且将第二和第三光电二极管输出信号结合来提供第二校正输出信号。
具有电流校正光电探测器

[发明专利]像素、相关联的图像传感器和方法-CN202010947311.4在审
发明人：臧辉;王勤;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素包括半导体衬底、光电二极管区域、浮动扩散区域和介电层。衬底具有形成沟槽的顶表面，沟槽由介电层做衬里，并且具有相对于顶表面的平面区域的沟槽深度。光电二极管区域在衬底中，并且包括在沟槽下方的底部光电二极管部分和与沟槽相邻的顶部光电二极管部分，顶部光电二极管部分邻接底部光电二极管部分，并且朝向平面区域延伸到小于沟槽深度的光电二极管深度。介电层的底部区域在光电二极管深度和沟槽深度之间，并且比顶部区域厚。
像素相关图像传感器方法

[发明专利]像素、相关的图像传感器和方法-CN202010947336.4在审
发明人：臧辉;杨存宇;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素，包括半导体衬底、低κ电介质和半导体衬底中的光电二极管区域。半导体衬底具有形成沟槽的衬底顶表面。沟槽延伸到半导体衬底中并且具有相对于围绕沟槽的衬底顶表面的平面区域的沟槽深度。光电二极管区域在半导体衬底中并且包括(i)在沟槽下方的底部光电二极管部分和(ii)与沟槽相邻的顶部光电二极管部分。顶部光电二极管部分在相对于平面区域小于低κ深度的光电二极管深度处开始，并且朝向底部光电二极管部分延伸并且邻接底部光电二极管部分。
像素相关图像传感器方法

[发明专利]用于图像传感器的大‑小像素方案及其使用-CN201410074543.8有效
发明人：陈刚;毛杜立;杨大江;熊智斌;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素包含第一光电二极管、多个光电二极管、共享浮动扩散区、第一转移栅极及第二转移栅极。所述第一光电二极管安置于半导体材料中。所述第一光电二极管具有第一曝光面积及第一掺杂浓度。所述多个光电二极管也安置于所述半导体材料中。所述多个光电二极管中的每一光电二极管具有所述第一曝光面积及所述第一掺杂浓度。所述第一转移栅极经耦合以将第一图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。所述第二转移栅极经耦合以将分布式图像电荷从所述多个光电二极管中的每一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。
用于图像传感器像素方案及其使用

[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子设备-CN201880045056.5有效
发明人：盛一也;高柳功;田中俊介;大高俊德;安田直人 -专利权人：普里露尼库斯新加坡私人有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：像素PXL的结构包含饱和电容比及灵敏度比不同的第一光电二极管PDSL及第二光电二极管PSLS、将各光电二极管的积累电荷传输至浮置扩散层FD的传输晶体管TGSL‑Tr、TGLS‑Tr、以及可根据电容变更信号而变更浮置扩散层的电容的电容可变部第一光电二极管PDSL的第一饱和电容小于第二光电二极管PDLS的第二饱和电容，第一光电二极管PDSL的第一灵敏度大于第二光电二极管PDLS的第二灵敏度。
固态摄像装置驱动方法以及电子设备

[实用新型]一种激光测沉降系统-CN201821965525.9有效
发明人：庄志发;李标俊;冉学彬;王林;褚海洋;龙英云;毛臻炫;关宇洋 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司天生桥局
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光测沉降系统，用于测量地基的沉降偏移，包括十字线激光发射器、集成光电二极管、巡检电路以及单片机；所述集成光电二极管由多个光电二极管集成并成矩形状，十字线激光发射器用于照射集成光电二极管的四个边，单片机通过巡检电路和集成光电二极管相连接，以实时检测比较集成光电二极管各位置的电平状态，获得地基的沉降偏移数据。当地基发生沉降偏移时，激光发射器照射在集成光电二极管上的位置会发生变化，被激光照射到的光电二极管的电平会发生变化，单片机控制巡检电路实时检测比较光电二极管各位置的电平状态，从而实现沉降位置检测，获取沉降偏移数据
集成光电二极管沉降光电二极管激光发射器巡检电路沉降系统电平状态偏移数据实时检测单片机十字线偏移地基照射激光本实用新型单片机控制沉降位置激光照射成矩测量检测

[发明专利]一种CMOS影像传感器-CN201510765705.7在审
发明人：王佳;何晓锋;黄建冬 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS影像传感器，包括衬底层和位于衬底层上方的微透镜层和光过滤层；微透镜层包括若干个阵列分布的聚光透镜；光过滤层包括若干个阵列分布的透射光栅；衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组，光电二极管组包括依次排列的红色光电二极管、绿色光电二极管和蓝色光电二极管；透射光栅的出射面的下方均设置有一列光电二极管组，且其红色光电二极管对应于透射光栅的红光出射区，绿色光电二极管对应于透射光栅的绿光出射区，蓝色光电二极管对应于透射光栅的蓝光出射区本发明用透射光栅取代彩色滤光片，波长范围宽，不存在光过滤损失，增加进入光电二极管的光强；提高CMOS影像传感器分辨率和色彩还原性，扩大其环境使用范围和应用领域。
一种 cmos 影像传感器

[发明专利]像素单元和形成像素单元的方法及数字相机的成像系统组件-CN201810099871.1有效
发明人：徐辰;高秉强;邵泽旭 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元，包含第一基底，光电二极管，读出电路，传输晶体管及反射结构。所述光电二极管设置在第一半导体芯片的第一基底内，累积电荷以响应入射到其上的光。所述读出电路设置在第二半导体芯片的第二基底内。所述传输晶体管连接至所述光电二极管和所述读出电路之间，将电荷从光电二极管传输至读出电路。所述反射结构设置于所述读出电路和所述光电二极管之间，用于将未被吸收的通过光电二极管的入射光反射回到所述光电二极管进行第二次吸收。
像素单元形成方法数字相机成像系统组件