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[发明专利]用于荧光检测的双结深光电二极管-CN201310118464.8有效
发明人：施朝霞 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出
用于荧光检测双结深光电二极管

[发明专利]一种像素结构、图像传感器及终端-CN201910500183.6有效
发明人：杨鑫 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种像素结构、图像传感器及终端，所述像素结构包括：4个子像素结构，所述子像素结构包括：滤光片、N个光电二极管和读出电路；N取大于2的整数；所述滤光片位于所述N个光电二极管的感光区域与所述子像素结构的进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；所述光电二极管，用于吸收所述特定波长的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；其中，所述感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；所述读出电路与所述N个光电二极管相连，用于读出所述N个光电二极管的电信号。
一种像素结构图像传感器终端

[发明专利]相关飞行时间传感器-CN201910319764.X有效
发明人：奥利维尔·布尔蒂尔;艾瑞克·A·G·韦伯斯特;林赛·格朗 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：飞行时间TOF传感器包含经构造以发射光的光源及多个雪崩光电二极管。所述TOF传感器还包含多个脉冲发生器，其中个别脉冲发生器耦合到所述多个雪崩光电二极管中的个别雪崩光电二极管。控制电路耦合到所述光源、所述多个雪崩光电二极管和所述多个脉冲发生器，以执行操作。操作可包含从所述光源发射所述光，和运用所述多个雪崩光电二极管接收从对象反射的所述光。响应于运用所述多个雪崩光电二极管接收到所述光，多个脉冲可从对应于接收所述光的所述个别光电二极管的所述个别脉冲发生器输出。并且，响应于输出所述多个脉冲，可当所述多个脉冲在时间上重叠时输出时序信号。
相关飞行时间传感器

[实用新型]用于荧光检测的双结深光电二极管-CN201320169602.0有效
发明人：施朝霞 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：用于荧光检测的双结深光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出，所述N
用于荧光检测双结深光电二极管

[发明专利]一种大量程高速高精度TOF测距方法-CN201710273407.5有效
发明人：侴智 -专利权人：深圳市迈测科技股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：一种大量程高速高精度激光测距系统，其包括有主控制模块，显示电路模块，键盘电路模块，激光二极管高压驱动电路模块，脉冲激光发射电路模块，雪崩光电二极管光电转换电路模块，前级跨阻电路模块，自动增益控制放大电路模块，时间鉴别电路模块其中，激光二极管高压驱动电路模块与脉冲激光发射电路模块电控联接，激光二极管高压驱动电路模块与所述主控制模块电控联接；雪崩光电二极管光电转换电路模块，前级跨阻电路模块，自动增益控制放大电路模块及时间鉴别电路模块依次电控联接后与主控制模块电控联接，在雪崩光电二极管光电转换电路还联接有崩光电二极管高压偏置电路模块，光电二极管高压偏置电路模块与主控制模块电控联接。
一种量程高速高精度激光测距系统

[实用新型]一种大量程高速高精度激光测距系统-CN201720432130.1有效
发明人：侴智 -专利权人：深圳市迈测科技股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：一种大量程高速高精度激光测距系统，其包括有主控制模块，显示电路模块，键盘电路模块，激光二极管高压驱动电路模块，脉冲激光发射电路模块，雪崩光电二极管光电转换电路模块，前级跨阻电路模块，自动增益控制放大电路模块，时间鉴别电路模块其中，激光二极管高压驱动电路模块与脉冲激光发射电路模块电控联接，激光二极管高压驱动电路模块与所述主控制模块电控联接；雪崩光电二极管光电转换电路模块，前级跨阻电路模块，自动增益控制放大电路模块及时间鉴别电路模块依次电控联接后与主控制模块电控联接，在雪崩光电二极管光电转换电路还联接有崩光电二极管高压偏置电路模块，光电二极管高压偏置电路模块与主控制模块电控联接。
一种量程高速高精度激光测距系统

[发明专利]一种光电二极管、X射线探测器及其制备方法-CN201710532863.7在审
发明人：赵磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明提供一种光电二极管、X射线探测器及其制备方法，属于半导体制造技术领域，其可解决现有的直接转化型X射线平板探测器的暗电流大，开关比低，器件电信号噪声大的问题。本发明的光电二极管包括多个结构层，其中在第二结构层与第四结构层分别掺杂不同的掺杂剂，其作用是提高光电二极管的转化效率，降低光电二极管暗电流，提高其开关比，实现对光电二极管性能的有效控制。本发明的光电二极管适用于各种X射线探测器。
一种光电二极管射线探测器及其制备方法

[发明专利]光检测装置-CN201780069330.8有效
发明人：马场隆;足立俊介;中村重幸;永野辉昌;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
检测装置

[发明专利]固体摄像器件及其制造方法-CN200410094957.3无效
发明人：加藤良章 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固体摄像器件，包括：以一维或二维状排列的光电二极管组(1)；在光电二极管之上形成的由透光性的无机物质构成的无机电介质膜(8b、8c)；以及在无机电介质膜中以被夹在由无机电介质膜构成的内侧侧壁和外侧侧壁之间的状态形成的中空层(9)；中空层具有漏斗形状，即以光电二极管的上部周边部为起点，离光电二极管越远、开口越变宽。该器件能够在宽范围内将入射到光电二极管周围的上部的光有效地聚光到光电二极管。
固体摄像器件及其制造方法

[发明专利]光电二极管及其制作-CN200880013595.7有效
发明人： T·弗拉克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种光电二极管包括形成在半导体衬底(402)上的阳极(1202，1302，1402)和阴极(1306，1406)。垂直电极(702，1314，1414)与光电二极管的掩埋部件(502，1312，1412)操作性电通信。在一种实施方式中，该光电二极管是硅光电倍增器的雪崩光电二极管。
光电二极管及其制作

[发明专利]光电二极管放大器-CN200580038944.7无效
发明人： G·E·施米德特 -专利权人：西门子能量及自动化公司
申请日： 2005-09-13 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H03F3/08 文献下载
摘要：提供了用于放大光电二极管信号的系统、方法、及设备。所示范的系统含有光电二极管及放大器。放大器有放大器反向输入端，放大器非反向输入端，以及放大器输出端。系统的光电二极管有光电二极管阳极和光电二极管阴极，阳极与放大器反向输入端电连接，阴极与放大器非反向输入端电连接。系统的增益电阻器使放大器反向输入端与放大器输出端耦合。该系统还具有固定的参考电压源，其与光电二极管阴极和放大器非反向输出端电连接。
光电二极管放大器

[发明专利]半导体激光器-CN201980063228.6在审
发明人：约尔格·埃里希·索尔格;扬·马费尔德;斯特凡·莫尔戈蒂 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器(20)，其具有：边缘发射的激光二极管(21)，所述激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区以及具有辐射出射区域(23)的刻面(22)；以及至少一个光电二极管(24)，其中，刻面(22)布置在激光二极管(21)的主发射侧处；光电二极管(24)被布置成使得在刻面(22)处射出的激光辐射的至少一部分到达光电二极管(24)；并且激光二极管(21)和光电二极管(24)以非无损可拆卸地彼此连接
半导体激光器

[发明专利]影像感测器-CN202211369884.9在审
发明人：郭信宏;张育淇;涂宗儒;吴庆强;王柏翔 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一像素阵列包含多个光电二极管以及多面体结构。多面体结构位于光电二极管上方。多面体结构配置以将入射光区分为多个光束。多个光束分别聚焦于光电二极管。多面体结构包含底面、顶面以及至少一个侧面。底面位于侧面与光电二极管之间，且多面体结构的垂直投影与光电二极管重叠。多面体结构配置以将入射光区分为多个朝向光电二极管的光束。除此之外，光束的数量可取决于多面体结构的侧面的数量。如此一来，光束的聚焦位置可根据光电二极管的位置而定位。因此，可提升光电二极管的表现。
影像感测器

[发明专利]高光效CMOS图像传感器-CN201110067793.5有效
发明人：罗佩璁;杨丹;史训清 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：由于光电二极管的高填充率和高效的光隔离，可不需要集成微透镜。每个传感器包括多个成像像素，每个像素包括在半导体基板上的一个光电二极管结构，该光电二极管结构靠近图像传感器的光入射面(上表面)。光隔离栅格围住每个光电二极管结构，并设定像素边界。光隔离栅格延伸的深度最少为光电二极管结构的厚度，避免入射光穿过入射像素而进入到相邻像素。一个正扩散柱塞垂直延伸穿过一部分光电二极管结构。一个负扩散柱塞垂直延伸到半导体基板内，使光电二极管里产生的电荷可转移到半导体基板内的一个电荷收集区域。位于光电二极管下方的像素电路控制到图像读取电路的电荷转移。
高光效 cmos 图像传感器

[发明专利]检测电路-CN99813311.6无效
发明人： J·汤普森;R·菲利皮;J·班斯 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1999-11-17 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：公开了一种使用跨阻抗放大器电路的光电二极管检测电路。通过与光电二极管串联的过载保护二极管,把光电二极管的过载电流引到电压电源,例如地线,而不进入放器。还公开了一种差动结构。
检测电路