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[发明专利]一种Array板光刻胶的剥离方法-CN201210290702.9有效
发明人：陈建荣;刘兴华;于春崎;任思雨;胡君文;谢凡;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种Array板光刻胶的剥离方法，用于对Array板的光刻胶剥离返修，包括：对所述Array板表面的光刻胶进行干法剥离，去除光刻胶的过烘部分；在所述已经去除过烘部分的光刻胶上涂覆光刻胶剥离液，与所述已经去除过烘部分的光刻胶进行反应，将所述已经去除过烘部分的光刻胶从所述Array板上剥离。在对Array板的光刻胶剥离返修时，采用本申请提供的一种Array板光刻胶的剥离方法，对光刻胶采用干法剥离，就能去除一层很薄的在后烘制程中被过烘的光刻胶，然后再利用光刻胶剥离液将剩余的光刻胶剥离，就能够彻底剥离掉Array板上的光刻胶。
一种 array 光刻剥离方法

[发明专利]光刻胶剥离液管理装置-CN97110797.1无效
发明人：中川俊元;塚田光三;小川修;宝山隆博;西嶋佳孝 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社
申请日： 1997-04-23 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：光刻胶剥离液管理装置，为把光刻胶剥离液品质控制为恒定，削减液体使用量、减少工作时间和降低价格，构成为具有光刻胶剥离液排出装置，用于用吸光光度计16检测光刻胶剥离液的溶解光刻胶浓度以排出光刻胶剥离液；第1补给装置，用于用液面水平计3检测光刻胶剥离液的液面水平以补给光刻胶剥离原液和纯水；第2补给装置，用于用吸光光度计15检测光刻胶剥离液的水分浓度以补给光刻胶剥离原液和纯水中的至少一方。
光刻剥离管理装置

[发明专利]光刻胶剥离液及其制备方法和光刻胶的剥离方法-CN202310920753.3在审
发明人：张伟明;李玉兴;聂航;章学春;沈楠 -专利权人：上海盛剑微电子有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶的去除技术领域，具体而言，涉及光刻胶剥离液及其制备方法和光刻胶的剥离方法，光刻胶剥离液包括醇醚类物质40.00％‑90.00％、非极性物质5.00％‑20.00％、烷醇胺类物质0.50％光刻胶的剥离方法包括用上述光刻胶剥离液在预设温度下，剥离基材上的光刻胶。本发明的光刻胶剥离液能够有效地将环状变性物从基板上去除，改善因光刻胶残留导致膜层与膜层之间的衔接，即改善因光刻胶的残留对半导体器件的特性造成不良影响；而且，本发明配套光刻胶剥离液的方法也能够确保环状变性物被可靠地去除
光刻剥离及其制备方法

[发明专利]一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用-CN202011396352.5在审
发明人：许箭;秦龙;耿文练;花雷 -专利权人：儒芯微电子材料（上海）有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用，所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中，其上层可兼容光刻胶，所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶。
一种金属剥离组合光刻工艺中的应用

[发明专利]光刻胶去除设备及使用所述设备的光刻胶去除方法-CN201580031398.8有效
发明人：朴泰文;郑大哲;李东勋;李佑然;李贤浚;金周永 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶去除设备以及使用所述设备的光刻胶去除方法，所述设备包括：剥离室，其包括用于去除光刻胶的剥离剂储存槽、用于使表面上形成有光刻胶的基底移动的基底移动装置、用于将用于去除光刻胶的剥离剂喷淋到基底移动装置上的剥离剂喷淋器、以及将用于去除光刻胶的剥离剂从储存槽输送至剥离剂喷淋器的剥离剂输送装置；冷却装置，其位于剥离室的上方并且使剥离室中蒸发的物质冷却；以及传送装置，其将通过冷却装置冷却的物质传送至用于去除光刻胶的剥离剂储存槽或剥离室
光刻去除设备使用方法

[发明专利]一种光刻胶剥离去胶液及其应用工艺-CN202310372382.X在审
发明人：王凯;严翔;薛钰铸;朱宣烨 -专利权人：江苏长进微电子材料有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶剥离去胶液及其应用工艺，光刻胶剥离去胶液可用于正性光刻胶和负极光刻胶的剥离，光刻胶剥离去胶液包括主溶剂和辅助溶剂，主溶剂为1,3‑二氧五环，所述辅助溶剂为多元醇衍生物。本发明的光刻胶剥离去胶液具有去胶速率快、去胶效果好、环境友好，可适用于特殊衬底材料。
一种光刻离去及其应用工艺

[发明专利]一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法-CN201110435583.7无效
发明人：陈建荣;刘兴华;于春崎;任思雨;胡君文;谢凡;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法，所述方法包括：按照预设干法去胶参数，进行干法去胶，剥离光刻胶表层部分；进行湿法去胶，将剩余光刻胶剥离。通过本发明实施例，能够有效将光刻胶剥离干净，避免了残留的光刻胶对后续工艺造成的影响。
一种 tft 液晶显示器返修中的光刻剥离方法

[发明专利]一种水平式光刻胶剥离工艺-CN202210524586.6在审
发明人：卢晶晶 -专利权人：广东越海集成技术有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种水平式光刻胶剥离工艺。本发明的水平式光刻胶剥离工艺包括如下步骤：将待去胶晶圆在水平方向依次经过去胶液浸泡、去胶液喷淋、冲洗、烘干工序，实现晶圆上光刻胶的去除。本发明的水平式光刻胶剥离工艺，通过在水平方向湿法去胶，可将各类型光刻胶及变性光刻胶从衬底上彻底剥离，解决了变性光刻胶难以去除、光刻胶残留、去胶液残留的质量缺陷，提高了产品的可靠性和良率，同时提升了作业效率
一种水平光刻剥离工艺

[发明专利]光刻胶剥离液及剥离装置-CN202010393455.X在审
发明人：任学超 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶剥离液及剥离装置；所述光刻胶剥离液包括化合物A，通过采用化合物A，所述光刻胶剥离液能溶解基板上的光刻胶同时并保障其能被水洗除去；所述剥离装置包括依次对基板进行一次剥离、二次剥离及水洗的剥离单元、过渡单元及水洗单元，其中所述过渡单元的内设置有用于二次剥离过程的本发明所述的光刻胶剥离液；本发明所述剥离装置能实现对基板的剥离和水洗的双重功效。
光刻剥离装置

[发明专利]一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法-CN201310097604.8有效
发明人：刘鹏;王玮;田大宇;姜博岩;杨芳;戴小涛;张大成 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。
一种采用紫外线电子束曝光方法

[发明专利]一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法-CN201310165347.7无效
发明人：陈谷然;王雯;任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理；4）对光刻胶层2进行曝光；5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理；6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液；7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理。优点：本发明获得开口具有鹰嘴型的光刻剖面图形，可防止蒸发过程中光刻胶表面层金属与光刻图形底部金属相连，有助于金属剥离。比采用多层胶实现金属剥离具有工艺来的简单，同时又比采用负性光刻胶具有更好的图形分辨率，可实现可小线宽的图形剥离工艺。
一种应用于金属剥离单层光刻方法

[发明专利]一种金属剥离方法及LED制备方法-CN202210819190.4在审
发明人：邓高杰 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离方法及LED制备方法，在晶圆上制备图形化光刻胶并蒸镀金属膜层之后，将蒸镀后的晶圆浸没在显影液中，使用超声去除光刻胶上的金属膜层，因此通过超声湿法的方式去除光刻胶上的金属膜层，从而消除干法剥离产生的静电；将去除光刻胶上的金属膜层的晶圆浸没在光阻剥离液中，去除光刻胶。由此可见，通过超声湿法的方法进行金属剥离，再使用光阻剥离液去除光刻胶，即金属剥离与光刻胶去除是分开进行的，在金属剥离时保留完整的光刻胶能够对晶圆起保护作用，从而提高晶圆的IR良率和抗ESD能力。
一种金属剥离方法 led 制备

[发明专利]一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法-CN202010067663.0在审
发明人：郭昭;李炳天;王振;邓治国;任志明;晏熙;黄超;刘杰;郭荣波;李显杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液因此本发明在剥离腔室之后采用的清洗腔室可以防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化，而重新附着在基板表面，造成显示时白点不良的问题。
一种光刻剥离系统方法

[发明专利]一种光刻胶剥离液-CN201710488370.8在审
发明人：刘江华 -专利权人：昆山欣谷微电子材料有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，主要针对当前的光刻胶剥离液操作窗口小，对晶圆基底腐蚀性较强，特别是对深度硬化交联的光刻胶残余物以及负型厚膜光刻胶去除能力较弱等问题，提供一种去胶能力强，操作窗口大，不腐蚀晶圆基底的光刻胶剥离液。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，尤其对于去除深度硬化交联的光刻胶残余物和厚膜负性光刻胶具有较强的去除能力。
一种光刻剥离

[发明专利]一种光刻胶剥离液废液再生利用的方法-CN202010101582.8有效
发明人：金炳生 -专利权人：晶瑞电子材料股份有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶剥离液废液再生利用的方法，包括如下步骤：(1)对光刻胶剥离液废液进行离心分离处理；(2)向经过步骤(1)处理的光刻胶剥离液废液中加入活性炭，以进行脱色处理，脱色处理后，再经过滤得到无色回收液；(3)向无色回收液中加入改性硅藻土，再经压滤，得到光刻胶剥离液可用物；其中，改性硅藻土是采用氢氧化钠溶液和聚醚酰亚胺溶液依次对硅藻土进行改性处理得到；(4)测定光刻胶剥离液可用物中的有用成分含量，并补足所需的光刻胶剥离液有效成分及用量，形成再生光刻胶剥离液。本发明可以对光刻胶剥离液废液中的有用成分进行有效的回收利用，回收效率高，回收效果好，可大大降低废液的排放，具有显著的环境效益。
一种光刻剥离废液再生利用方法

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