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[发明专利]适用于HIT电池的钙钛矿量子点表面钝化层的制备方法-CN202110093765.4在审
发明人：孙宝全;张国华;宋涛 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于HIT电池的钙钛矿量子点表面钝化层的制备方法，本发明在现有晶硅异质结电池结构基础上，新引入一层表面场效应钝化材料钙钛矿量子点，可以与表面的ITO之间形成界面电场。在光照条件下，该界面电场可以进一步增强，同时与在被局域在钙钛矿量子点中部分光生电子共同作用下，在电池表面形成表面场效应钝化层。同时，钙钛矿量子点需要的低温退火工艺使其与HIT电池低温工艺相兼容。
适用于 hit 电池钙钛矿量子表面钝化制备方法

[发明专利]光伏电池及其制备方法-CN201810914850.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东威阳科技有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了光伏电池及其制备方法，包括ITO导电玻璃基底、紫外光屏蔽层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和反射电极组成；所述的紫外屏光蔽层由N个依次层叠的m‑MTDATA/F16CuPc异质结所组成本发明能够显著提高钙钛矿光伏电池的工作寿命。
电池及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铅/二氧化钛二维单晶异质结可见光催化剂的制备方法-CN201510156495.1在审
发明人：韩高荣;李铭;任召辉;俞一峰;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铅/二氧化钛二维单晶异质结可见光催化剂的制备方法，以钛酸四正丁酯的乙醇溶液和钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片作为水热反应的物料，通过钛酸四正丁酯的水解获得锐钛矿相二氧化钛，以氢氧化钾作为矿化剂调整溶液pH值，并加入去离子水促进钛酸四正丁酯的水解，然后转移至反应釜中进行水热处理，得到钛酸铅/二氧化钛二维单晶异质结可见光催化剂。本发明制备工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于大规模生产；制得的复合材料中二氧化钛能够在钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片上均匀生长、分布；且可见光催化效率高。
一种钛酸铅氧化二维单晶异质结可见光催化剂制备方法

[发明专利]草酸辅助生长的FPEA2-CN202310911057.6在审
发明人：魏浩桐;李明变;魏薇;杨柏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：base:Sub>2SnI4‑FPEA2PbI4单晶异质结base:Sub>2SnI4‑FPEA2PbI4单晶异质结:Sub>PbI4和FPEA2SnI4之间能级匹配，该X射线探测器结合了锡钙钛矿良好的电荷传输性能和铅钙钛矿的相对稳定性，使得单晶异质结X射线探测器的灵敏度提高到1.7×105μC·Gy‑1·cm‑2钙钛矿和铅钙钛矿的优势，为下一代产品提供了新的机遇与挑战。
草酸辅助生长 fpea base sub

[发明专利]一种溶剂预辅助制备无电荷传输层钙钛矿太阳能电池的方法-CN202110720241.3在审
发明人：高立国;苏英杰;马廷丽;徐才 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶剂预辅助制备无电荷传输层钙钛矿太阳能电池的方法。钙钛矿材料自身具有双极性电荷传输的特性，意味着电子传输层和空穴传输层对钙钛矿太阳能电池来说并不是必要的。它们的使用会引起钙钛矿太阳能电池价格昂贵及不稳定性问题。消除电荷传输层可以节省材料成本，并且减少电荷传输层的涂层工艺。本发明采用新型的溶液预辅助生长的方式，在3D钙钛矿薄膜与透明电极之间原位制备2D钙钛矿材料，形成2D‑3D异质结钙钛矿材料。通过调节胺盐的种类及浓度，精准控制2D钙钛矿材料带隙结构，使其与3D钙钛矿材料形成具有Ⅱ型能级对准结构，以此传输电子或空穴，并制备无电子传输层、无空穴传输层或最简单钙钛矿太阳能电池。
一种溶剂辅助制备电荷传输层钙钛矿太阳能电池方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构-CN201820743252.7有效
发明人：邓晓帆;姚宇;李中天 -专利权人：嘉兴尚羿新能源有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构，包括上下设置的顶电池层和底电池层，顶电池层和底电池层之间设置有隧穿层，顶电池层包括从正面到背面依次设置的上透明导电薄膜、电子或空穴传输层、混合阳离子混合卤素钙钛矿层和空穴或电子传输层本实用新型的一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构,在制备底电池非晶硅薄膜后无需使用高温工艺，也无需使用单独的钙钛矿保护层。在缩减了工艺流程，避免了额外成本的同时提升了电池稳定性。
钙钛矿叠层电池结构底电池层顶电池层硅异质结本征非晶硅薄膜太阳能透明导电薄膜本实用新型依次设置背面空穴电池稳定性电子传输层非晶硅薄膜混合阳离子空穴传输层单晶硅层额外成本钙钛矿层高温工艺混合卤素上下设置工艺流程保护层底电池隧穿层制备

[发明专利]一种基于钙钛矿n-i-n结的窄带光探测器结构及制备方法-CN202111208186.6在审
发明人：雷威;周建明;朱莹 -专利权人：苏州亿现电子科技有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明提供一种基于钙钛矿n‑i‑n结的窄带光探测器结构及制备方法，涉及光电探测领域，本发明包括本征钙钛矿晶体作为γ光子吸收层，以及在其两侧生长的n型外延层。所述本征钙钛矿晶体为探测光谱段光子的吸收层，吸收层的能量带隙Eg2=hc/λmax，h是普朗克常数，其中c是光传播速度，λmax是设计探测光谱的峰值响应波长；利用钙钛矿n‑i‑n异质结的不同能量带隙，使得设计探测光谱内的入射光子具有较高的吸收系数，从而提高了窄带探测的量子效率，利用n‑i‑n结的耗尽层调控探测器的电场分布，将n‑i‑n结能带结构和电场分布相结合，调控光生载流子的输运和复合，获得较小的探测谱线宽度，以及较高的光谱抑制比。
一种基于钙钛矿窄带探测器结构制备方法

[发明专利]高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器及其制作方法-CN202011430615.X有效
发明人：李宜原;张钰;逯鑫淼;张辉朝 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器及其制作方法；传统的利用电荷收集变窄机制来实现窄带探测的方法在淬灭掉短波长载流子的同时也使目的波长的外量子效率受到显著损耗。本发明包括钙钛矿吸收层Ⅰ、电子阻挡层、钙钛矿吸收层Ⅱ、电子传输层、阳极电极和阴极电极。钙钛矿吸收层Ⅰ、电子阻挡层、钙钛矿吸收层Ⅱ、电子传输层依次排列在阳极电极与阴极电极之间。钙钛矿吸收层Ⅰ和电子阻挡层为P型；钙钛矿吸收层Ⅱ和电子传输层为N型；电子阻挡层与钙钛矿吸收层Ⅱ形成异质PN结。
eqe fwhm 钙钛矿光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种在非手性有机-无机杂化钙钛矿中实现室温强圆偏振发光特性的方法-CN202310758191.7在审
发明人：张军然;王琳;杨鸿宇;占桂祥 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了利用异质结构界面耦合作用在非手性有机‑无机杂化钙钛矿中实现室温强圆偏振发光(Circularly Polarized Light,CPL)特性的方法，包括：通过机械剥离方法分别获得手性钙钛矿、非手性钙钛矿A和非手性钙钛矿B纳米片；利用干法转移技术将以上三者搭建异质结构，其堆叠顺序为非手性钙钛矿A/非手性钙钛矿B/手性钙钛矿/衬底；将异质结构在60‑90℃温度下退火3‑10分钟等步骤。本发明基于三层纳米片的阶梯状能带结构，利用界面高效自旋极化载流子传输，在非手性钙钛矿A中可以实现室温较强的圆偏振发光特性，室温偏振度可达28.5％，对基于钙钛矿材料圆偏振光特性的应用具有重要意义。
一种手性有机无机杂化钙钛矿中实现室温偏振发光特性方法

[发明专利]一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法-CN202210007202.3在审
发明人：史彦涛;蔡万贤 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法。与常用的强碱性路易斯碱分子钝化缺陷相比，本方法在不损坏原有钙钛矿表面晶体结构的基础上，原位构筑3D/2D异质结钙钛矿薄膜，不仅钝化了界面缺陷大幅提高了PSCs效率，还利用低维钙钛矿晶体的本征疏水特性，提高了
一种质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法-CN200910076299.8无效
发明人：张铭;王宪谋;严辉;宋雪梅;王波;朱满康;侯育冬;王如志;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法明属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的p-n结。本发明所提供的p-n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为100-300nm的SnO₂层和沉积在SnO₂层上的厚度为100-300nm的LSMO层。本发明通过采用磁控溅射法依次在沉底上沉积SnO₂层和LSMO层，制得钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结。本发明所提供的p-n结具有优异的整流特性，且成本低廉，适合工业化生产。
钙钛矿结构氧化物氧化锡异质及其制备方法

[发明专利]一种全氧化物异质结场效应管-CN200810118113.6有效
发明人：吕惠宾;杨芳;何萌;金奎娟;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极由于本发明提供的全氧化物场效应管不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境条件下。
一种氧化物异质结场效应

[发明专利]一种用于锂电池的柔性固体电解质及其制备方法-CN202310935229.3在审
发明人：黄程;董兴芳;黄亚楠 -专利权人：苏州大学;苏州思萃电子功能材料技术研究所有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：利用水热法制备了带有正电荷的二维反钙钛矿氧卤化物固态电解质纳米片粉末，通过高温固相反应法及其随后的层插剥离制备了带有负电荷的高介电二维钙钛矿氧化物纳米片粉末模板；然后通过水热法将带有正电荷的二维反钙钛矿氧卤化物固态电解质纳米片与带有负电荷的高介电二维钙钛矿氧化物纳米片由正负静电吸附作用与自组装过程，制备了2D/2D反钙钛矿/钙钛矿纳米片异质结构固态电解质。离子型或充电型二维层状异质结的构造能够很好的保护反钙钛矿材料的结构空气稳定性，并且为锂离子的传输提供运输通道，高介电纳米复合与离子‑偶极界面耦合增强效应能够更快地进行离子传导。
一种用于锂电池柔性固体电解质及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结电致发光器件及制备方法-CN201710733302.3在审
发明人：徐骏;刘婧婧;李东珂;季阳;吴仰晴;林泽文;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：钙钛矿/硅异质结电致发光器件，所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si基材料，包括p‑Si、p‑Si+SiO2、p‑Si+SiC、p‑Si+SiN以及非晶硅，包括这些但不限于此；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合(X＝Cl，Br，I)。
一种钙钛矿硅异质结电致发光器件制备方法

[发明专利]一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略-CN201811370675.X有效
发明人：高义华;李露颖;沈少立;康喆;章楼文 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-11-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料与器件领域，公开了一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略，并具体公开了一种基于全无机铅卤钙钛矿纳米晶的高性能混合型光电探测器，包括单层MoS2层以及CsPbX3(X＝Cl,Br,I)钙钛矿纳米晶层，单层MoS2层为2D材料，CsPbX3纳米晶层为0D材料，两者通过构筑范德华异质结进行复合。本发明通过对用于配合单层MoS2形成异质结的关键材料及其自身的特征因素所采用的不同工艺步骤进行探索与改进，实现了性能可调控/优化的混合型光电探测器。从本质上讲，这是由于钙钛矿纳米晶层的光俘获能力和光生载流子在0D钙钛矿纳米晶/2D单层MoS2异质结界面处的激子分离与电荷转移得到了有效的调控，从而直接对混合型光电探测器的光响应性能产生影响
一种性能混合光电探测器构筑方法及其调控策略