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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]具有低米勒电容的IGBT器件-CN201721860534.7有效
发明人：牛博;姜梅;许生根;姚阳 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件，其元胞结构包括第二导电类型体区、第一导电类型源区以及栅极多晶硅体，栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅，控制栅、屏蔽栅分别通过控制栅氧化层、屏蔽栅氧化层与第一导电类型外延层间隔本实用新型结构紧凑，能有效降低IGBT器件的米勒电容，提高IGBT开关速度，从而降低IGBT器件的功耗，安全可靠。
第一导电类型控制栅屏蔽栅体区发射极金属导电类型米勒电容源区本实用新型栅极多晶硅外延层屏蔽栅氧化层绝缘介质层绝缘隔离欧姆接触元胞结构氧化层功耗交叠

[实用新型]超级电容器低内阻盖板-CN201620956630.0有效
发明人：梁霞妹;赵方辉;方维 -专利权人：成都凹克新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01G11/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超级电容器低内阻盖板，包括圆形盖板和金属端子，所述金属端子由引出端柱和封装端柱构成，所述引出端柱直径小于封装端柱的直径，所述引出端柱与所述封装端柱上端连接，所述圆形盖板上部设置塑料凸台
超级电容器内阻盖板

[实用新型]低电容的沟槽型VDMOS器件-CN201922262807.3有效
发明人：夏亮;完颜文娟;杨科 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体芯片制造的技术领域，具体涉及到一种低电容的沟槽型VDMOS器件，器件包括衬底层、外延层、体区及源区，所述外延层设置在所述衬底层上表面，所述体区设置在所述外延层上部，所述源区设置在所述外延层且位于所述体区上部本实用新型在源区下面通过填充多晶硅，并与源区短接，从而可以起到辅助体区耗尽，增加耗尽层宽度，从而减小器件源漏间寄生电容的目的。
电容沟槽 vdmos 器件

[实用新型]低电感电力电容器-CN202020631488.9有效
发明人：李艺垚;蒋升铼;潘传昌 -专利权人：厦门法拉电子股份有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01G4/236 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低电感电力电容器，该低电感电力电容器包括：电容器芯子、第一母排、第二母排；电容器芯子具有相对的第一端面和第二端面；第一母排叠设在第一端面上并与第一端面连接，第一母排上设有第一引出端子；第二母排叠设在第一母排上且通过多个铜带连接第二端面，第二母排上设有第二引出端子，多个铜带沿电容器芯子周向间隔分布；第一母排和第二母排之间设有绝缘层以进行绝缘，第一引出端子穿过绝缘层向外伸出并与第二引出端子齐平从而有效降低电感，电感值可有效降低到10nH以内，进而可制作出大尺寸低电感的电容器，可以满足大功率变流器的性能要求。
电感电力电容器

[实用新型]低电容共差模集成扼流圈-CN202020984195.9有效
发明人：黄艳红;吴嘉洁 -专利权人：惠州佳扬电子科技有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01F27/26 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种低电容共差模集成扼流圈，包括底座和安装在底座上的磁环，磁环的左部和右部均套装有由扁平漆包线绕制而成的线圈，底座的下端面上设置有四个针脚座，每个针脚座上均插装有导电插针，每个线圈的端部均分别与其中一个导电插针焊接
电容共差模集成扼流圈

[实用新型]测量系统连接用低电容电缆-CN201922401707.4有效
发明人：陈义军;李霞;俞国峰;房忠军 -专利权人：江苏江扬电缆有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种测量系统连接用低电容电缆。包括七股或多股软铜导体（1），所述七股或多股软铜导体（1）外设置有发泡聚乙烯绝缘层（2）形成线芯，两所述线芯外设聚酯绕包（3）形成一个单元，所述单元和引流线（5）外绕设铝箔屏蔽（4）形成缆芯，若干缆芯外绕设低烟无卤阻燃内护套（6），所述低烟无卤阻燃内护套（6）外设铜丝编织（7），所述铜丝编织（7）外设阻燃型低烟无卤外护套（8）。本实用新型具备在复杂电磁干扰环境下正常工作的特征，能够满足在复杂电磁干扰的情况下长时间可靠运行，电缆具有低电容，高耐压水平，适合大长度敷设，同时电缆又具备低烟无卤的特性使得该电缆更加绿色环保，符合当今世界电缆无卤化的要求
测量系统连接电容电缆

[实用新型]一种低输入电容IGBT-CN202020457300.3有效
发明人：朱旭强 -专利权人：宜兴杰芯半导体有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区，在N‑区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区，本实用新型的IGBT通过在元胞区保留场氧化层并去掉该氧化层上的多晶层，保留了注入增强型优点的同时，输入电容降低了35％以上，使得芯片在相对较低的饱和压降下，提高了开关速度，降低了开关损耗。
一种输入电容 igbt

[实用新型]低电感薄膜电容器-CN201920797402.7有效
发明人：严文清;梁闯 -专利权人：广东顺德开迪电子科技有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了低电感薄膜电容器，包括壳体和内置于壳体的电容芯子，电容芯子分别通过第一连接铜片、第二连接铜片连接有第一引出端子、第二引出端子，第一引出端子和第二引出端子形成电容器的两电极，第一连接铜片和第二连接铜片呈两平行直线设置本实用新型结构简单，总电感值低，在滤波电路中具有优异的滤波能力。
连接铜片引出端子相对面薄膜电容器本实用新型电容芯子低电感壳体电容器滤波电路滤波能力平行直线电极第二相总电感

[实用新型]低电感的高压脉冲同轴电容-CN201920944209.1有效
发明人：赵涛宁 -专利权人：苏州峰极电磁科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本申请公开了一种低电感的高压脉冲同轴电容，包括金属圆盘以及对称设置在金属圆盘两侧的金属圆环，每个所述金属圆环与金属圆盘之间均夹持有一圈间隔设置的多个电容，所述电容的正极与金属圆盘连接，所述电容的负极与金属圆环连接，两个所述金属圆环的外圆周之间卡接有金属环套，每个所述金属圆盘的内圆周与金属圆盘之间连接有绝缘环套，所述金属环套的内径大于金属圆盘的外径，所述金属圆盘中心处设有穿孔，该电容通过并联的方式同轴连接，在减少占用面积的同时大大增加了电容的存储量
金属圆盘金属圆环电容金属环套正极负极对称设置多个电容高压脉冲间隔设置绝缘环套同轴电容同轴连接存储量低电感内圆周外圆周中心处并联穿孔卡接占用申请

[实用新型]一种低电容TVS器件-CN202121038543.4有效
发明人：顾昀浦;黄健;孙闫涛;张楠 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司
申请日： 2021-05-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低电容TVS器件，包括绝缘体上覆半导体衬底，绝缘体上覆半导体衬底包括第一导电类型的衬底、绝缘层及上第一导电类型的外延层，外延层表面由隔离结构分隔为一TVS二极管区及多个低电容二极管区
一种电容 tvs 器件

[实用新型]一种低屏蔽电容电缆-CN202221208038.4有效
发明人：彭立沙;王志辉;廖锦仁;马嘉旭;杨淞涵;李楷纯;熊晓泉;邱湘伟;何劲松;姚本旺;陈少龙;江和海 -专利权人：广州南洋电缆集团有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低屏蔽电容电缆，通过在电缆线芯与屏蔽层之间设置由两层高阻燃带和一层铝塑复合带绕包组成的包带层，有效增加了电缆线芯与屏蔽层之间的物理距离，从而降低了电缆线芯与屏蔽层之间的电容，同时利用高阻燃带提升了低屏蔽电容电缆的阻燃性能，利用铝塑复合带增强了低屏蔽电容电缆的屏蔽性能；通过设置屏蔽覆盖率为80％‑85％的屏蔽层，有效降低了电缆线芯与屏蔽层之间的电容和电缆成本，同时通过调整屏蔽层的编织角，进一步降低了电缆线芯与屏蔽层之间的电容
一种屏蔽电容电缆

[实用新型]一种低噪电容话筒-CN202223475166.8有效
发明人：胡红普;邓枝虹;吴卷锋 -专利权人：深圳市博铭维系统工程有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电容话筒领域，具体为一种低噪电容话筒，包括安装支架、转动连接件、连接支架、减震支架、连接件、支撑件、支撑支架、壳体、转动旋钮和收音壳体；减震支架顶部与多组连接件连接；连接件远离减震支架的一端与支撑件连接
一种电容话筒

[实用新型]一种低米勒电容IGBT-CN202222551407.6有效
发明人：翟露青;彭宝刚;张永超 -专利权人：淄博美林电子有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低米勒电容IGBT，属于半导体器件技术领域，包括芯片，所述芯片的上端中间设置有若干单胞沟槽，单胞沟槽的侧边设置有若干环形沟槽，单胞沟槽和环形沟槽的内壁均设置有栅氧化层，芯片的上端位于单胞沟槽的四周设置有，单胞沟槽内的多晶硅层表面设置有栅极沟槽，芯片内位于单胞沟槽的两侧设置有N+源区，栅极沟槽的表面沉积有绝缘层，本实用新型通过在芯片的栅氧化层的多晶硅层上形成栅极沟槽，从而减小了栅电极面积，进而降低米勒电容
一种米勒电容 igbt

[实用新型]低输入电容的电压跟随器-CN88211735.1无效
发明人：杨耀鑫 -专利权人：杨耀鑫
申请日： 1988-05-05 - 公布日： 1990-03-14 - 主分类号： H03F3/50 文献下载
摘要：一种低输入电容的电压跟随器装置。适用于探取检测电压。特别是高阻抗点上的电压。例如电压探头。并适宜于模块化或集成化工艺生产。本装置含有一个由晶体管构成的讯号定向耦合电路。它不增加跟随器负载。从而数量级地减小输入电容。
输入电容电压跟随

[实用新型]低电容过压保护器件-CN200720072968.0无效
发明人：傅坚;李怀东;张关宝;杨力宏;张小平 -专利权人：上海长园维安电子线路保护股份有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：一种涉及防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件。本实用新型的优点：该器件具有三个P－N结组成的双端四层双向对称结构，主要应用在高频领域，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件，提高了可靠性，降低了成本。
电容保护器件

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