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[发明专利]掉电模式期间保持数据的存储设备及其操作方法-CN200610105478.6有效
发明人：元明圭;郑扶日 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：一种存储设备，包括：位线读出放大器；命令译码器，被配置为生成指示存储设备的操作模式的内部控制信号；以及位线读出放大器控制器，被配置为响应于内部控制信号而有选择地施加外部电压到位线读出放大器作为电源电压。
掉电模式期间保持数据存储设备及其操作方法

[发明专利]罩幕式只读存储器的结构及其制造方法-CN02148979.3有效
发明人：张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-11-14 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；复数个栅极，配置在部分基底之上方；一栅介电层，配置在基底与栅极之间；复数条埋入式位线，配置在栅极两侧的基底中；一绝缘层，配置在埋入式位线的上方以与栅极之间；复数条字线，每一字线以垂直于埋入式位线的方向配置在相同一列的栅极上与绝缘层上；以及一编码层，配置在字线以与栅极之间。
罩幕式只读存储器结构及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201110039657.5有效
发明人：朴文必;李政桓 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：在一个示例性的实施例中，所述半导体存储装置可以包括：列控制信号发生器，所述列控制信号发生器被配置为在数据屏蔽操作期间产生与数据屏蔽对应的位线对的列控制信号；以及位线感测放大器，所述位线感测放大器被配置为感测并放大位线对之间的电压差，并响应于列控制信号而将位线对与区段输入/输出线对电耦合。
半导体存储装置

[发明专利]一次可编程存储器及其数据写入方法-CN201710067659.2有效
发明人：金泰成;郑铉泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：所述一次可编程(OTP)存储器包括：OTP单元阵列，包括设置在多条字线和多条位线彼此交叉的位置处的多个OTP单元；写入电路，被配置为通过一次选择所述多条位线中的一条位线和对连接到选择的位线的选择的OTP单元进行编程来对所述多个OTP单元进行编程，其中，写入电路还被配置为检测选择的位线的电压电平，并当检测的电压电平指示选择的OTP单元处于已编程状态时选择另一位线。
一次可编程存储器及其数据写入方法

[发明专利]具有分层结构的位线的半导体装置-CN200510084718.4有效
发明人：武山泰久;平林修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有包含上层分层的位线和下层分层的位线的分层结构的位线的半导体装置，该装置具备：连接所述下层分层的位线的至少1个存储单元阵列、以及使所述下层分层的位线与所述上层分层的位线连接用的，具有NMOS该装置还将所述选择传输门配置为，其所述NMOS开关晶体管及所述PMOS开关晶体管以沿列方向夹着所述至少1个存储单元阵列的状态配置在相反的两侧。
具有分层结构半导体装置

[发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件-CN202310166882.8在审
发明人：元炯植;金台勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
电平电路包括半导体存储器件

[发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件-CN202211466590.8在审
发明人：元炯植;金台勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
电平电路包括半导体存储器件

[发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件-CN201810923300.5有效
发明人：元炯植;金台勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
电平电路包括半导体存储器件

[发明专利]电路配置和用于设计用于感应电能传输的系统的电路配置的方法-CN201480009238.9在审
发明人： R·查因斯基;F·加西亚 -专利权人：庞巴迪运输有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于感应电能传输，尤其是将感应电能传输到车辆的系统的电路配置，其中，所述电路配置包括至少一个相位线，其中所述至少一个相位线具有发生电感和发生电容，其中选择所述相位线的所述发生电感和所述发生电容，使得相位线的谐振频率与预定操作频率(ω)匹配，其中所述发生电容由至少两个电容次电路(C1,C2,C3,C4)提供，和/或所述发生电感由至少两个感应次电路(L1,L2)提供，其中在所述相位线内的所述至少两个感应次电路(L1,L2)和/或所述至少两个电容次电路(C1,C2,C3,C4)配置成使得电势(V)沿着相位线的最大绝对值小于预定电势。本发明还涉及用于设计电路配置的方法、和包括所述电路配置的次级单元和初级单元。
电路配置用于设计感应电能传输系统方法

[发明专利]存储器装置、存储器装置构造、构造、存储器装置形成方法、电流传导装置及存储器单元编程方法-CN200980118151.4有效
发明人：钱德拉·穆利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者；及二极管，其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者；第一二极管，其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线；及第二二极管，其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。
存储器装置构造形成方法电流传导单元编程

[发明专利]具有页缓冲器的设备、存储器系统及其操作方法-CN202280005176.9在审
发明人：万维俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：在一个方面，一种页缓冲器包括：第一锁存器，该第一锁存器被配置为存储编程验证信息；第二锁存器，该第二锁存器被配置为存储第一位线强制信息；以及动态锁存器，该动态锁存器被配置为存储第二位线强制信息。第一位线强制信息不同于第二位线强制信息。动态锁存器包括耦合到第二锁存器的控制开关。动态锁存器被配置为通过控制开关所耦合的电容器来存储信息。
具有缓冲器设备存储器系统及其操作方法

[发明专利]电光装置以及电子设备-CN202310769961.8在审
发明人：伊藤智 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：电光装置具有：基板；像素电极，其配置在所述基板上；以及像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，所述像素电路部具有：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置地配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及连接部，其与所述交叉位置对应地配置，将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。
电光装置以及电子设备

[发明专利]电光装置以及电子设备-CN202010169368.6有效
发明人：伊藤智 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：电光装置具有：基板；像素电极，其配置在所述基板上；以及像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，所述像素电路部具有：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置地配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及连接部，其与所述交叉位置对应地配置，将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。
电光装置以及电子设备

[发明专利]存储器器件的结构及其制造方法-CN02129703.7有效
发明人：黄文信;张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-13 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种存储器器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅氧化层，配置在部分基底上；一栅极，配置在栅氧化层上；一埋入式位线，配置在栅极两侧的基底中；一抬升线，配置在埋入式位线上方的基底表面上；一间隙壁，配置在栅极的两侧壁，用以使抬升线与栅极电性隔离；一字线，以垂直于埋入式位线的方向配置在栅极上；以及一绝缘层，配置在抬升线的顶部，用以使抬升线与字线电性隔离。
存储器器件结构及其制造方法

[发明专利]包括电压钳位电路的非易失性存储装置-CN201711236405.5有效
发明人：申旻澈;严浩锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储装置可以包括被配置成接收漂移电流的全局位线和被配置成限制全局位线的电压电平的电压钳位电路。
包括电压电路非易失性存储装置