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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板结构、封装结构及其制造方法-CN201310394695.1有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：基板结构包括一介电结构、一导电结构、一金属加强层与一导电凸块。介电结构具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口。导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面。第一导电表面与第一介电表面实质上共平面并形成一第一接垫。第二导电表面从介电开口露出以形成一第二接垫。金属加强层配置在介电结构的第二介电表面上。导电凸块配置在介电开口中，并物性且电性连接第二导电表面。导电凸块具有一凸的曲表面。
板结封装结构及其制造方法

[发明专利]基板结构、封装结构及其制造方法-CN201811422675.X有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：基板结构包括一介电结构、一导电结构、一金属加强层与一导电凸块。介电结构具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口。导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面。第一导电表面与第一介电表面实质上共平面并形成一第一接垫。第二导电表面从介电开口露出以形成一第二接垫。金属加强层配置在介电结构的第二介电表面上。导电凸块配置在介电开口中，并物性且电性连接第二导电表面。导电凸块具有一凸的曲表面。
板结封装结构及其制造方法

[发明专利]天线整合式封装结构及其制造方法-CN201910998093.4在审
发明人：张简上煜;徐宏欣;林南君 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：天线元件包括介电体、耦合层以及天线层。介电体具有第一介电表面及相对于第一介电表面的第二介电表面。耦合层位于介电体的第二介电表面上。天线层位于介电体的第一介电表面上。天线层电连接于导电连接件。
天线整合封装结构及其制造方法

[发明专利]选择性氧化和简化预清洁-CN202180011894.2在审
发明人：贝纳切克·梅巴克;李靖珠;徐翼;雷雨;唐先敏;凯尔文·陈;亚历山大·詹森;菲利普·A·克劳斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：讨论了用于选择性地氧化包含介电表面和金属表面的基板表面的介电表面的方法。还讨论了清洁包含介电表面和金属表面的基板表面的方法。所公开的方法使用由氢气和氧气产生的等离子体来氧化的介电表面和/或清洁基板表面。所公开的方法可在单个步骤中执行，而无需使用单独的竞争性氧化和还原反应。
选择性氧化简化清洁

[发明专利]选择性覆盖工艺和由此形成的结构-CN201810970566.5有效
发明人：纪志坚;魏孝宽;苏鸿文;李佩璇;许馨云;简瑞芬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在实施例中，形成在介电层中的导电部件具有金属表面，并且介电层具有介电表面。通过实施表面修改处理将介电表面修改为疏水的。在修改介电表面之后，通过实施选择性沉积工艺在金属表面上形成覆盖层。在另一实施例中，通过介电层暴露栅极结构的表面。通过实施选择性沉积工艺在栅极结构的表面上形成覆盖层。
选择性覆盖工艺由此形成结构

[发明专利]醇类辅助ALD膜沉积-CN201580063083.1有效
发明人：刘凤全;张镁;戴维·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。
金属表面醇类电表金属氧化物表面金属前驱物暴露基板沉积金属介电表面沉积膜膜沉积最小化沉积还原

[发明专利]用于选择性金属通孔填充的工艺集成方法-CN202080036748.0在审
发明人：尤适;任河;梅裕尔·奈克;徐翼;陈枫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在实施方式中，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过设置在低k介电层的顶部上的硬质掩模，以形成穿过该低k介电层的通孔及暴露导电表面；将该导电表面与稀释的氢氟酸接触以从该导电表面移除污染物；移除设置在该低k介电层的顶部上的该硬质掩模；及向该导电表面施用远程氢等离子体以形成该导电表面的暴露部分。
用于选择性金属填充工艺集成方法

[发明专利]具有柱体的半导体封装基板及其相关方法-CN201310384435.6有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;冯相铭;郭燕桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：基板包括一第一介电层、一第一电路图案、数个柱体与一第二电路图案。第一介电层具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面。第一电路图案埋于第一介电层中，并定义数个弯曲的走线表面。柱体各具有一外表面与一曲基表面，其中外表面用以制造外部的电性连接，曲基表面邻接走线表面中对应的一个。第二电路图案位在第一介电层的第二介电表面上，并电性连接至第一电路图案。
具有柱体半导体封装及其相关方法

[发明专利]用于激光器的偏振和模式选择技术-CN201811300195.6有效
发明人：彼得·爱德华·迪尔;杰森·罗伯特·李;加文·艾伦·詹姆斯·马克利 -专利权人：英国罗悉激光有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：描述了一种用于气体波导激光器的偏振和模式选择技术，其中波导的表面被形成为基本上介电表面，在所述基本上介电表面中具有局部金属区域。金属区域提供线偏振，而介电表面提供低阶模式选择。提供了波导表面上的金属区域的尺寸和位置的范围。
用于激光器偏振模式选择技术

[发明专利]堆迭式封装及其制造方法-CN201610668668.2在审
发明人：李志成;赖逸少;施佑霖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：第一基板包含一第一表面及相对第一表面的一第二表面。于第一基板的第一表面上配置一芯片。于第一基板的第一表面上配置数个导电球。形成一封装体，包覆第一基板的第一表面、芯片及导电球。形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板，方法包括以下步骤。形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面。形成数个导电接点露出于介电结构的一第二介电表面。第一介电表面是相对于第二介电表面。第二基板的上表面包括第二介电表面。导电柱与导电接点彼此电性连结。经由数个焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱。
堆迭式封装及其制造方法

[发明专利]使用超声波振荡和施加的电场对静电卡盘的清洁-CN200680048533.0有效
发明人：罗伯特·J·斯蒂格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：提供一种清洁ESC的方法，包括该ESC的陶瓷表面浸入介电流体；将该ESC的陶瓷表面与导电表面隔开，从而该介电流体填充该ESC的陶瓷表面和该导电表面之间的间隙；以及使该介电流体经受超声波振荡而同时向该ESC
使用超声波振荡施加电场静电卡盘清洁

[发明专利]选择性沉积的方法-CN202180009162.X在审
发明人：许文静;沈刚;呼宇飞;陈枫;河泰泓 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在一些实施方式中，硅烷基胺用于在介电表面上选择性形成表面活性剂层。钌膜可接着选择性沉积在导电表面上。在一些实施方式中，氨等离子体从导电表面移除氧化物污染物而不会不利地影响介电表面。
选择性沉积方法

[发明专利]具备PTC元件及二次熔断器的电路保护装置-CN202080034697.8在审
发明人：尤里·鲍里索维奇·马图斯;马丁·皮内达;凯达尔·V·巴塔瓦德卡尔 -专利权人：力特保险丝公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01H85/02 文献下载
摘要：一种电路保护装置，包括：一次熔断器，以及正温度系数(PTC)装置和二次熔断器，其彼此串联地电连接且与一次熔断器并联地电连接，二次熔断器由布置在介电表面上的一定量的焊料形成，其中，介电表面表现出相对于焊料的去湿特性，使得当焊料被熔化时，焊料从介电表面离开以产生电流开口。
具备 ptc 元件二次熔断器电路保护装置

[发明专利]用于在基材和相关半导体器件结构的介电表面上沉积钼金属膜的方法-CN201811003934.5在审
发明人： B·佐普;S·斯瓦弥纳杉;K·史瑞斯萨;朱驰宇;H·T·A·朱希拉;谢琦 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本文公开了用于在基材和相关半导体器件结构的介电表面上沉积钼金属膜的方法。所述方法可包括：向反应室中提供包含介电表面的基材；和直接在所述介电表面上沉积钼金属膜，其中沉积包括：使基材与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触；和使基材与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了半导体器件结构，其包含直接设置于通过本公开的方法沉积的介电材料的表面上的钼金属膜。
基材沉积金属膜半导体器件结构电表气相反应物还原剂前体介电材料直接设置反应室卤化钼前体

[发明专利]低电阻率触点和互连部-CN202180036710.8在审
发明人：拉伊汉·M·塔拉夫达尔;照健·史蒂文·黎;罗郑硕 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：利用导电材料填充特征的方法涉及在对介电表面几乎没有或没有损坏的情况下清洁金属表面，该特征包括金属和介电表面。沉积对金属表面可为选择性的或非选择性的。在一些实施方案中，经填充的特征是无阻挡物的，使得导电材料在没有中间阻挡层或粘附层的情况下直接接触金属和介电表面。
电阻率触点互连

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