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[发明专利]热原子层蚀刻工艺-CN202310828664.6在审
发明人： T•E•布隆贝格;朱驰宇;M·J·图奥米恩;S•P•郝卡;V·莎尔玛 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了热原子层蚀刻工艺。在一些实施例中，该方法包括至少一个蚀刻循环，其中所述基材交替且序贯地暴露于第一气相卤化物反应物和第二气相卤化物反应物。在一些实施例中，第一反应物可包含有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基材不与等离子体反应物接触。
原子蚀刻工艺

[发明专利]一种方形环极窄带带通滤波用薄膜电路-CN202310547662.X在审
发明人：何家欢;刘福扩;朱驰宇;张美影;王铜鑫;罗育红 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种方形环极窄带带通滤波用薄膜电路，涉及微带滤波用薄膜电路技术领域，该电路包括介质基板以及设置在介质基板正面区域上的信号输入端、信号输出端和方形环谐振器阵列；方形环谐振器阵列包括多个且按照阵列形式排列的方形环谐振器；其中，相邻方形环谐振器之间存在缝隙；信号输入端与方形环谐振器阵列中且位于首部的方形环谐振器直接连接，信号输出端与方形环谐振器阵列中且位于尾部的方形环谐振器直接连接；介质基板的背面区域上设置接地金属层；方形环谐振器通过金属通孔与接地金属层连接。本发明能够有效的提高了带外抑制能力，同时由于耦合区间减少实现更小的耦合距离即缝隙宽度，使其整体性能更加优越。
一种方形窄带滤波薄膜电路

[发明专利]热原子层蚀刻工艺-CN201780075642.X有效
发明人： T·E·布隆贝格;朱驰宇;M·J·图奥米恩;S·P·郝卡;V·莎尔玛 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了热原子层蚀刻工艺。在一些实施例中，该方法包括至少一个蚀刻循环，其中所述基材交替且序贯地暴露于第一气相卤化物反应物和第二气相卤化物反应物。在一些实施例中，第一反应物可包含有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基材不与等离子体反应物接触。
原子蚀刻工艺

[发明专利]一种类分形结构挖孔天线-CN202310376467.5在审
发明人：王铜鑫;刘福扩;朱驰宇;何家欢 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种类分形结构挖孔天线，涉及分形结构天线领域，该天线，包括：辐射贴片，所述辐射贴片的中心位置进行了挖孔，挖孔区域为中心对称图形，挖孔区域包括中心图形和位于中心图形每条边外侧的分形结构。同时实现天线小型化和宽频带的特性。
种类结构天线

[发明专利]沉积方法-CN202310180876.8在审
发明人： 朱驰宇;H·朱西拉;谢琦 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种选择性地在具有第一和第二表面的基板上沉积材料的方法，其中所述第一表面不同于所述第二表面。在基板上沉积材料包括：向基板供给包含金属原子、卤素原子和至少一种不是金属或卤素原子的另外的原子的本体前体；和向基板供给反应物。本体前体和反应物相对于第二表面与第一表面具有反应以在第一表面上形成比在第二表面上更多的材料。
沉积方法

[发明专利]沉积方法-CN201980008364.5有效
发明人： 朱驰宇;H.朱西拉;谢琦 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：提供了一种选择性地在具有第一和第二表面的基板上沉积材料的方法，其中所述第一表面不同于所述第二表面。在基板上沉积材料包括：向基板供给包含金属原子、卤素原子和至少一种不是金属或卤素原子的另外的原子的本体前体；和向基板供给反应物。本体前体和反应物相对于第二表面与第一表面具有反应以在第一表面上形成比在第二表面上更多的材料。
沉积方法

[发明专利]一种共面波导双频段分形天线-CN202211569387.3在审
发明人： 朱驰宇;刘福扩;何家欢;罗育红 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种共面波导双频段分形天线，涉及分形天线结构领域。本发明中的辐射单元进行多次分形结构的迭代，不仅使得天线为多频段天线，还极大地增加了辐射贴片表面电流的传播路径，有效地降低了谐振频率，使得共面波导双频段分形天线更易于小型化，从而更易于集成。
一种波导双频段分形天线

[发明专利]通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构-CN201811002058.4有效
发明人： B·佐普;K·史瑞斯萨;S·斯瓦弥纳杉;朱驰宇;H·T·A·朱希拉;谢琦 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构。所述方法可以包括：把包括电介质表面的衬底放到反应室中；在所述电介质表面上直接沉积成核膜；然后在所述成核膜上直接沉积钼金属膜，其中沉积所述钼金属膜包括：使所述衬底与包含钼卤化物前体的第一气相反应物接触；然后使所述衬底与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了包括利用中间的成核膜设置在电介质材料的表面上的钼金属膜的半导体器件结构。
通过循环沉积过程衬底电介质表面上金属膜方法相关半导体器件结构

[发明专利]一种伪交指极窄带带通滤波用薄膜电路-CN202211298027.4在审
发明人：何家欢;刘福扩;朱驰宇;张美影;罗育红 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种伪交指极窄带带通滤波用薄膜电路，涉及微波滤波用薄膜电路领域，该电路包括：介质基板、位于介质基板背面的接地金属层、位于介质基板正面的信号输入端、信号输出端和多个谐振器；多个谐振器依次布设在信号输入端与信号输出端之间；谐振器包括两个对称设置的伪交指谐振杆，每个伪交指谐振杆的端部均向远离另一个伪交指谐振杆的方向弯折；伪交指谐振杆上开设第一金属通孔，介质基板上相邻两个谐振器之间的区域开设第二金属通孔；谐振器两个伪交指谐振杆之间、相邻两个谐振器之间、信号输入端与伪交指谐振杆之间、信号输出端与伪交指谐振杆之间具有缝隙。本发明能在实现极窄通带的同时，满足小尺寸的需求。
一种伪交指极窄带滤波薄膜电路

[发明专利]前体胶囊、容器和方法-CN202111549172.0在审
发明人： 朱驰宇;J.安蒂拉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本公开涉及保持用于气相沉积过程的前体的前体胶囊。前体胶囊包括蒸汽可渗透的外壳，外壳配置成限定前体空间，并允许蒸汽形式的前体在蒸发条件下离开前体胶囊。本公开还涉及包含根据本公开的胶囊的前体容器、气相沉积设备和方法。
胶囊容器方法

[发明专利]清洁表面的方法-CN202110959062.5在审
发明人：邓少任;A.伊利贝里;D.基亚佩;E.托伊斯;G.A.沃尼;M.吉文斯;V.沙尔玛;朱驰宇;岩下信哉;C.德泽拉;V.马德希瓦拉;J.W.梅斯;M.图米恩;A.钱德拉塞卡兰 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于清洁衬底的方法。衬底包括电介质表面和金属表面。该方法包括向反应室提供清洁剂。
清洁表面方法

[发明专利]用于钴金属化的系统和方法-CN202011515490.0在审
发明人： 朱驰宇;I·希尼亚;J·W·梅斯;金智妍 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了用于在钴金属化过程中在半导体晶圆上沉积TiN衬垫层和钴种子层的系统和方法。在一些实施方案中，在沉积TiN衬垫层和/或钴种子层之后冷却晶圆。在一些实施方案中，TiN衬垫层和钴种子层在过程模块中沉积，所述过程模块是半导体处理设备的一部分，所述半导体处理设备还包括用于冷却衬底的一个或多个模块。在一些实施方案中，钴种子层可包含TiN和钴的混合物、TiN层和钴层的纳米叠层或递变TiN/Co层。
用于金属化系统方法

[发明专利]氧化物和氮化物的原子层沉积-CN202010086030.4在审
发明人： H·朱西拉;朱驰宇;谢琦;金智妍;T·E·布隆伯格 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：使用沉积增强前体的气相沉积方法，例如原子层沉积(ALD)方法可用于形成多种氧化物和氮化物膜，包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅和氮化硅膜。举例来说，所述方法可用于沉积过渡金属氮化物，例如TiN、过渡金属氧化物和氧化硅和氮化硅，例如SiO2和SiN。在一些实施例中，所述沉积增强前体包含第II族金属，在一些实施例中例如Mg、Sr、Ba或Ca。在一些实施例中，提供包含沉积循环的原子层沉积方法，所述沉积循环包含第一子循环和第二子循环，在所述第一子循环中衬底与沉积增强前体和氧或氮反应物接触，在所述第二子循环中所述衬底与金属或硅前体和氧或氮反应物接触。在一些实施例中，所述方法有利地实现改进的薄膜形成，例如提高的沉积速率。由于沉积速率提高，可能需要更少沉积循环来获得所期望的膜。
氧化物氮化物原子沉积

[发明专利]填充基材表面上间隙特征的方法和相关半导体器件结构-CN201811003588.0在审
发明人： K·史瑞斯萨;B·佐普;S·斯瓦弥纳杉;朱驰宇;H·T·A·朱希拉;谢琦 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于填充基材表面上的间隙特征的方法和相关的半导体器件结构。该方法可包括：将包含一个或多个间隙特征的基材提供到反应室内；以及通过循环沉积‑蚀刻方法用钼金属膜部分填充一个或多个间隙特征，其中循环沉积‑蚀刻方法的单元循环包括：通过执行第一循环沉积方法的至少一个单元循环，用钼金属膜部分填充一个或多个间隙特征；和部分蚀刻钼金属膜。该方法还可包括：通过执行第二循环沉积方法的至少一个单元循环，用钼金属膜填充一个或多个间隙特征。本发明还公开了包括间隙填充钼金属膜的半导体器件结构，所述间隙填充钼金属膜设置在通过本公开内容的方法形成的基材的表面中或表面上的一个或多个间隙特征中。
间隙特征金属膜循环沉积半导体器件结构蚀刻单元循环填充间隙填充填充基材基材室内

[发明专利]用于在基材和相关半导体器件结构的介电表面上沉积钼金属膜的方法-CN201811003934.5在审
发明人： B·佐普;S·斯瓦弥纳杉;K·史瑞斯萨;朱驰宇;H·T·A·朱希拉;谢琦 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本文公开了用于在基材和相关半导体器件结构的介电表面上沉积钼金属膜的方法。所述方法可包括：向反应室中提供包含介电表面的基材；和直接在所述介电表面上沉积钼金属膜，其中沉积包括：使基材与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触；和使基材与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了半导体器件结构，其包含直接设置于通过本公开的方法沉积的介电材料的表面上的钼金属膜。
基材沉积金属膜半导体器件结构电表气相反应物还原剂前体介电材料直接设置反应室卤化钼前体

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