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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210269912.3在审
  • 林俊宏;蔡高财;刘重显;郭子豪;朱彦瑞 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-03-18 - 2023-09-22 - H01L21/768
  • 形成第一主动区、第二主动区及第三主动区。在第一主动区、第二主动区及第三主动区之上形成第一介电层。在第一介电层中形成图案化区域，图案化区域包括空腔区及围绕介电区的介电区，且介电区对应于第二主动区。在空腔区中形成填充层。在第一介电层上形成盖层。在盖层之上形成第二介电层。形成贯穿第二介电层、盖层与第一介电层的多个第一接触孔与至少一第二接触孔。每个第一接触孔暴露对应的第一主动区的一部分，第二接触孔取代介电区并暴露第二主动区的一部分。在第一接触孔与第二接触孔中填入金属层。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110176871.5有效
  • 陈永初;洪崇祐;朱建文 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2011-06-22 - 2012-12-26 - H01L29/06
  • 半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]具有复合介质的基板及其所组成的多层基板-CN200510117656.2无效
  • 张致豪;吴仕先;李明林;赖信助 - 财团法人工业技术研究院
  • 2005-11-08 - 2006-12-20 - H05K1/00
  • 本发明公开了一种具有复合介质的基板及其所组成的多层基板，所述基板包括：一第一介电层、一第一讯号信号传输线路以及一第一导体层。此第一介电层具有第一介质区和第二介质区，其中第二介质区系位于第一介电层的表面，并且与第一介质区系是不同介电材料，以及第一讯号信号传输线路系位于第二介电层中，而第一导体层则系位于第一介电层下。于在此，第二介质区的介电常数可高于或低于第一介质区的介电常数，或者系是其介电损耗可低于第一介质区的介电损耗。本发明主要是在介电层中局部分布一种以上的介电材料，也就是说，在信号传输线路周边/上方/下方的介电材料不同于邻近的介电材料，借此以符合于高频电路中的特定需求。
  • 具有复合介质及其组成多层
  • [实用新型]集成电路-CN201620136399.0有效
  • J·德拉洛;C·里韦罗 - 意法半导体(鲁塞)公司
  • 2016-02-23 - 2016-07-27 - H01L29/78
  • 晶体管包括掩埋在基板的沟槽中的栅极区。栅极区由覆盖沟槽的内壁的介电区围绕。源极区和漏极区位于在沟槽的相对侧的基板中。介电区包括至少部分地位于栅极区的上部与源极区和漏极区之间的上介电区域。介电区还包括比上介电区域更薄并且位于栅极区的下部和基板之间的下介电区域。
  • 集成电路
  • [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210477822.3在审
  • 吕赵鸿 - 长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
  • 2022-05-05 - 2022-06-03 - H01L21/768
  • 半导体结构包括：衬底、第一介电层、第二介电层和栅极结构，衬底上具有有源区，有源区内设有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区；至少部分第一介电层设在衬底上，并覆盖在部分源极区和/或部分漏极区上；第二介电层设在衬底上，第一介电层和第二介电层连接，第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度；栅极结构在衬底上的正投影覆盖第二介电层和第一介电层在衬底上的正投影。本公开的半导体结构中的第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度，有效降低了栅极结构与源极区的交叠区、和/或栅极结构与漏极区的交叠区之间的寄生电容，提高了半导体结构的电性。
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]电容器结构及其制造方法-CN202111251987.0在审
  • 李世平;童世然;李思齐 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2021-10-25 - 2023-03-31 - H01L23/64
  • 本发明公开一种电容器结构，包括基底、至少一个第一介电层、至少一个第二介电层、电容器与内连线结构。基底包括电容器区与非电容器区。第一介电层位于电容器区与非电容器区中的基底上。第二介电层位于非电容器区中的基底上。至少一部分第二介电层位于第一介电层中。第二介电层的材料与至少一部分第一介电层的材料不同。第二介电层的介电常数小于至少一部分第一介电层的介电常数。电容器位于电容器区中的至少一个第一介电层中。电容器包括彼此电性绝缘的两个电极。内连线结构位于非电容器区中的至少一个第二介电层中。
  • 电容器结构及其制造方法
  • [发明专利]形成集成晶片的方法-CN202010313831.X在审
  • 李东颖;余绍铭;王梓仲 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-04-20 - 2020-10-30 - H01L27/24
  • 此方法包括在基板上形成层间介电层。第一开口形成于层间介电层及集成晶片的第一区域中。第二开口形成于层间介电层及集成晶片的第二区域中。第一高介电常数介电层形成为内衬第一开口及第二开口。第二介电层形成于第一高介电常数介电层上，并且内衬于第一区域及第二区域中的第一高介电常数介电层。从第一区域去除第二高介电常数介电层。导电层形成于第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上，其中导电层接触第一区域中的第一高介电常数介电层并接触第二区域中的第二高介电常数介电层。
  • 形成集成晶片方法
  • [发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202210477711.2有效
  • 吕赵鸿 - 长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
  • 2022-05-05 - 2022-07-22 - H01L29/423
  • 该半导体结构包括：衬底、第一介电层、第二介电层和栅极结构，衬底上具有有源区，有源区内设有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区；第一介电层设在衬底上，并覆盖部分源极区和/或部分漏极区上；第二介电层设在衬底上并与第一介电层连接，第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数；栅极结构在衬底上的正投影覆盖第二介电层和第一介电层。本公开的半导体结构中，位于栅极结构和衬底之间的第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数，降低了栅极结构与源极区的交叠区和/或栅极结构和漏极区的交叠区的寄生电容，提高了半导体结构的电性。
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]导电接触物的制造方法-CN201110220353.9有效
  • 何家铭;陈逸男;刘献文 - 南亚科技股份有限公司
  • 2011-07-29 - 2012-12-19 - H01L21/28
  • 一种导电接触物的制造方法，包括：提供半导体基板，其具有位于第一区内的闸结构与一对第一导电区，及位于第二区的一对第二导电区与隔离组件及位于其上的第一介电层及第二介电层；在第一区内的半导体基板上形成第三介电层及第四介电层；在第二区内的第二介电层上形成具有第一开口的图案化罩幕层；蚀刻第一区内的第三介电层与第四介电层及第二区内由图案化罩幕层的第一开口所露出的第三介电层与第四介电层；在第一导电区上形成第一导电半导体层，及在隔离结构的顶面上及部份第二导电区的该顶面上形成第二导电半导体层；在半导体基板上形成第五介电层；在第二区内的第五介电层内形成第三开口；以及在第三开口内形成导电层。
  • 导电接触制造方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010074222.3在审
  • 傅世刚;李明翰;眭晓林 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-01-22 - 2020-10-09 - H01L21/768
  • 半导体结构的形成方法包括移除第一介电层与半导体基板上的导电结构的顶部，以形成第一凹陷；沉积第二介电层于第一介电层上，其中第二介电层包括垂直地位于第一凹陷上的第一区以及与第一区相邻的第二区；以及形成第三介电层于第二介电层上方法亦包括接着形成多个开口于第三介电层中，且开口延伸至露出第二介电层；沉积导电材料于开口中；以及平坦化导电材料以形成多个导电结构于第一区与第二区中，其中平坦化步骤完全移除第二区中第三介电层的部分。
  • 半导体结构形成方法
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