“庄英政”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910440412.X有效
发明人： 庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开公开一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基部、多个岛，以及一隔离层。该多个岛中的至少一个包括从该基部的一上表面延伸的一支柱、连接到该支柱的一突起、设置在该突起上方的一封盖层、以及设置在该突起和该封盖层的一侧壁上的一钝化衬垫。该隔离层围绕该岛。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110372734.2在审
发明人： 庄英政;黄仲麟;田来成;黄智霖;黄至毅;姜序 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，形成半导体结构的方法包括以下步骤。在基板中形成半导体材料结构。在半导体材料结构上形成第一垫层。蚀刻第一垫层与半导体材料结构，以形成沟槽。在半导体材料结构的侧壁上执行氧化工艺，以在半导体结构的侧壁上形成第一氧化物结构。在沟槽中形成第二氧化物结构。通过上述形成半导体结构的方法，可达到释放应力的效果，并且可抑制高应力所造成的问题，从而可避免偏移的问题。如此一来，可以改善半导体结构的效能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN202110900467.1在审
发明人： 庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种制造半导体结构的方法包括：提供衬底及目标层设置于衬底上方，目标层具有中央区域及周边区域；在中央区域内形成复数个线形鳍特征，其中复数个线形鳍特征相互平行并分别具有不均匀边缘部；以及移除线形鳍特征的不均匀边缘部并得到均匀线形鳍特征，进而提升半导体结构的物理特性、材料特性及品质。
制造半导体结构方法

[发明专利]制造半导体结构的方法及半导体结构-CN202110844709.X在审
发明人： 庄英政;廖哲贤 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种制造半导体结构的方法，包括：根据硬遮罩蚀刻基板，以在基板内形成多个沟渠；对基板的该些沟渠进行氮化处理；用可流动隔离材料填充基板的该些沟渠；以及固化可流动隔离材料，以形成隔离材料。另提供一种通过上述方法制造而成的半导体结构。此方法包括对基板的该些沟渠进行氮化处理步骤，其可显著防止主动区倾倒。
制造半导体结构方法

[发明专利]形成图案的方法-CN202010503040.3在审
发明人： 庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成图案的方法，包括以下步骤：提供结构，包括基板以及目标层，其中目标层设置于基板上，以及目标层包括中央区以及周边区；形成多个核心图案以及线型分隔图案在中央区上，其中线型分隔图案的宽度大于50纳米；在周边区上覆盖光阻；移除未覆盖多个核心图案以及未覆盖线型分隔图案的中央区的部分，以形成图案于中央区内；以及移除光阻、线型分隔图案以及多个核心图案，以暴露图案。本发明提供如上所述的形成图案的方法，通过增加光阻屏障的宽度，阻止光阻的溢出，来避免光学邻近校正造成的边缘缺陷，可简化工艺，并实现更高品质的半导体元件，其中图案没有边缘缺陷，有着更好的精确度。
形成图案方法

[发明专利]形成浅沟渠结构的方法-CN201910397224.3在审
发明人：黄智霖;庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种形成浅沟渠结构的方法，该方法包含：提供一基板；形成一图案化光阻层于所述基板上；以所述图案化光阻层为罩幕，进行蚀刻，形成浅沟渠结构于所述基板；及进行电浆处理，将四氟化碳及氧气的混合气体产生的电浆施加在具有所述浅沟渠结构的所述基板。所述方法还包含交替重复上述蚀刻与电浆处理的步骤，直到在基板形成具有预定深宽比的所述浅沟渠结构。上述方法可以使得堵塞于浅沟渠结构中的高分子残留物被移除，从而获得具有预定深宽比的浅沟渠结构。
形成沟渠结构方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201310196353.9有效
发明人：杨胜威;庄英政;席扬姆·塞斯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下方的上述掺杂区分离；在每一个上述开口中形成遮蔽层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410016957.5有效
发明人：林忠信;吴秉桓;赖朝文;吴鸿谟;庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件及其制造方法，包括衬底、介电层、虚拟焊垫、焊垫、重布线层以及金属内连线。衬底包括非元件区与元件区。介电层位于非元件区与元件区上。虚拟焊垫位于非元件区的介电层上。金属内连线位于非元件区的介电层中，与虚拟焊垫连接。焊垫位于元件区的介电层上。缓冲层位于焊垫与介电层之间。缓冲层包括金属、金属氮化物或其组合。重布线层位于介电层上，连接虚拟焊垫与焊垫。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN201110168485.1有效
发明人： 庄英政;徐秉诚;杨胜威;张明成;蔡鸿明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含：一台地状结构及一字元线。该台地状结构具两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区。该字元线包含两线性段和至少一互连部。各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区。该至少一互连部穿过该台地状结构并连接该两线性段。本发明存储装置的多个字元线能适当地互相隔离以避免相互干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻，而不会被存储器单元的局限面积所限制。
存储装置及其制造方法

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN201110168491.7有效
发明人： 庄英政;徐秉诚;杨胜威;张明成;蔡鸿明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包括：多个隔离层及多个沟槽填充物在一方向以交替方式配置、多个台地状结构位于所述多个隔离层及所述多个沟槽填充物之间、及多个字元线，每一字元线叠置于该每一台地状结构的一侧面。在本发明的一实施例中，该沟槽填充物的宽度，由该方向测量，小于该隔离层的宽度，每一台地状结构包括至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区对应至该对的源/漏极区，且每一所述多个字元线位于该台地状结构的一侧面，邻近于该每一隔离层，且配置邻近于该沟道基部区。本发明存储装置的字元线能彼此适当地被隔离，以避免多个字元线之间的干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻。
存储装置及其制造方法

[发明专利]多位元堆叠式非易失性存储器及其制造方法-CN03152561.X有效
发明人：萧清南;林其辉;庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明公开一种多位元堆叠式非易失性存储器及其制造方法。制造方法包括步骤形成一图案化含砷介电层于半导衬底上，其中图案化含砷介电层定义一开口为有源区域。形成介电间隙壁于图案化含砷介电层的侧壁，以及栅极介电层于半导体衬底的表面。利用热驱动法使图案化含砷介电层的砷原子扩散至半导体衬底内而形成源极/漏极区域。形成间隙壁浮置栅于介电间隙壁的侧壁及栅极介电层上。形成层间介电层包覆间隙壁浮置栅。形成控制栅层位于层间介电层上，并填满有源区域的开口。
位元堆叠非易失性存储器及其制造方法

1
共 11 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top