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[实用新型]通孔机构-CN201620633194.3有效
发明人：朱立群;李凯;张显东;田跃文;袁顺志;邵学明;陆洋峰 -专利权人：金榀精密工业（苏州）有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种通孔机构，包括设置于安装板上的第一立板、设置于所述第一立板上的通孔气缸、连接于所述通孔气缸其气缸轴的且与转盘组件配合使用的通孔柱、以及通过第一装置板设置于所述第一立板上的且与其上开设有与所述通孔柱相对应且相匹配的防带起槽的防带起板本实用新型的一种通孔机构，其能自动进行铝铸件的通孔毛刺去除，提高生产效率降低对人力资源的占用，且铝铸件的生产速率可控，便于企业自动化生产的实施。
机构

[实用新型]通孔机-CN201621358249.0有效
发明人：柳明 -专利权人：湛江明迪汽车零部件制造有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： B21D28/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了通孔机，其包括机架、固定安装在机架上的振动盘、固定安装在机架上且与振动盘相连接的冲孔装置及控制系统；控制系统均电性连接于振动盘和冲孔装置。
通孔机

[实用新型]通孔砖-CN202222111639.X有效
发明人：陆建权 -专利权人：杭州权峰环保建材有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： E04C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了通孔砖，包括通孔砖主体和缓冲组件，所述通孔砖主体的内侧中部水平开设有通孔，所述缓冲组件设置在通孔的内部，所述缓冲组件包括方形环、复位弹簧和固定块，所述方形环的下端设置有复位弹簧，且复位弹簧设置有四个该通孔砖，与现有的普通通孔砖相比，该通孔砖在使用过程中，可增强通孔砖主体的强度，使通孔砖主体的结构更加稳定，承重力更强，提高通孔砖主体的稳定性，减少滑落的现象，降低安全隐患，并且可使通孔砖主体的结构更加稳定，不易破裂，提高通孔砖主体的承载力，进一步的提高通孔砖主体的使用寿命，而且还可使通孔砖主体与新的砖体之间卡合的更加紧密，便于操作人员进行搭建，从而提高搭建的速度。
通孔砖

[外观设计]通孔喇叭-CN202230230902.X有效
发明人：刘培秀;吴国仔 -专利权人：刘培秀
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：通孔喇叭。2.本外观设计产品的用途：用于耳机内部的发声单元。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
喇叭

[发明专利]先进通孔柱技术下高性能层分配方法-CN202211609890.7在审
发明人：刘耿耿;黄隽芊;郭文忠 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明涉及一种先进通孔柱技术下高性能层分配方法。首先，为了使时序关键线网能够更好地获得使用布线资源的优先权，定义了一种初始布线顺序的优先级计算，从而使初始布线顺序更具合理性。其次，由于边的拥塞代价由边的溢出代价和历史代价决定，为了不忽略没有发生溢出的边的拥塞代价，针对边在不溢出情况下的历史代价进行了合理的定义。
先进通孔柱技术性能分配方法

[实用新型]下导流器具有通孔的垂直螺翼式水表-CN201520501677.3有效
发明人：李金峰;陈智音;林榕 -专利权人：福州真兰水表有限公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G01F1/05 文献下载
摘要：本实用新型为一种下导流器具有通孔的垂直螺翼式水表，包括壳体和机芯，其中机芯又主要包括计数器、法兰盖、上导流器、叶轮、下导流器，其技术要点在于在下导流器的顶尖支撑座表面设计有等圆周角分布的不少于2个的通孔本实用新型通过增加下导流器通孔，当水表进水后，部分水流可以通过这些小孔，对叶轮产生一定的升力，向上托举叶轮，以减小叶轮轴承和下导流器的顶尖的摩擦力。这样既可以减小叶轮的始动动能，提高水表的精度，提高整表小流的性能，又可以减少轴承和下导流器的上顶尖的磨损，延长水表的使用寿命。
导流器具有通孔垂直螺翼式水表

[发明专利]一种通孔填充方法和通孔-CN202110862309.1在审
发明人：顾海芳;林宗谟;陈明志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提出了一种通孔填充方法和通孔，通过提供半导体衬底，所述半导体衬底上设有有源区，所述有源区上设有栅极，在有源区上形成第一通孔，第一通孔的高度与栅极的高度相同，在第一通孔中填充金属并进行平坦化工艺，形成覆盖填充后的所述第一通孔和所述栅极的层间介电层，在层间介电层对应第一通孔的位置上形成第二通孔，在第二通孔中填充金属并进行平坦化工艺，有效解决了高深宽比填充中容易出现孔洞的问题，而且该方法简单、易实现
一种填充方法

[发明专利]衬底通孔及制造衬底通孔的方法-CN202080061616.3在审
发明人：乔治·帕特德尔;约亨·克拉夫特;斯蒂芬·杰森尼戈 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种开放式衬底通孔(1)TSV包括绝缘层(20)，该绝缘层与沟槽(14)的侧壁(15)的至少部分以及与衬底主体(10)的表面(13)相邻设置。
衬底制造方法

[发明专利]通孔密封组件和密封通孔的方法-CN202210938582.2在审
发明人：陈震宇;田淼杰;成昌福;吴大卫;巴玉龙 -专利权人：中国商用飞机有限责任公司;中国商用飞机有限责任公司上海飞机设计研究院
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔密封组件和密封通孔的方法。通孔密封组件包括：通孔密封件，通孔密封件包括：基座组件，基座组件包括滑动连接的第一基座和第二基座；弹性件，弹性件的两端分别固定到第一基座和第二基座，其中，弹性件在预紧的第一位置和拉伸的第二位置之间变化；固定支承件包括多个固定支承臂，其中固定支承臂中的每一个都包括通过部段连接部枢转地连接到彼此的第一部段和第二部段，其中，第一部段和第二部段分别枢转地连接到第一基座和第二基座；以及填充部，填充部抵靠覆盖基座组件填充到通孔中
密封组件方法

[实用新型]下悬挂通配器-CN200720200250.5无效
发明人：罗仁全;张学鲁;李战防;于胜存;杨勇红;皇甫建平 -专利权人：新疆维吾尔自治区第三机床厂
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： E21B33/03 文献下载
摘要：一种下悬挂通配器，包括壳体；沿壳体轴向上有贯穿壳体内部的主管孔和副管孔，在副管孔周边有不少于一个的向内凹的锁键安装槽，在锁键安装槽内有能锁住汽管悬挂接箍的锁键。
悬挂配器

[发明专利]PCB通孔填孔工艺-CN202011473903.3在审
发明人：郭达文;刘长松;文伟峰 -专利权人：红板（江西）有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种PCB通孔填孔工艺，包括以下步骤：(1)、压合；(2)、镭射钻盲孔，两次镭射激光盲孔将PCB打穿，形成一个外宽内窄、自外向内逐渐收缩的通孔；(3)、填孔电镀，将激光加工后所形成的通孔填平；(4)、外层线路成型本发明PCB通孔填孔工艺的有益效果在于：此工艺制作的通孔孔径小，只有机械钻孔的一半，流程设计也没有机械钻孔的复杂。且孔内全填铜，可以承载较大的电流，散热性能好；通孔表面还可以设计焊盘、走线等，能够提高PCB的布线密度。
pcb 通孔填孔工艺

[发明专利]一种通孔下MTM反熔丝的制备方法-CN201811601878.5在审
发明人：郑若成;王印权;吴素贞;刘佰清;郑良晨;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡层的表面淀积反熔丝膜层，在所述反熔丝膜层的表面淀积上极板阻挡层；刻蚀所述上极板阻挡层和所述反熔丝膜层；刻蚀所述下极板阻挡层和所述下极板导电层；通过钨塞填充通孔，再进行上极板导电层溅射。本发明基于通孔下反熔丝单元结构，工艺简单，成本低，工艺可靠性高，反熔丝单元编程击穿区域限制在凹槽窗口的台阶处，编程电流密度大，有利于编程后反熔丝单元工作可靠性。
下极板阻挡层通孔反熔丝膜导电层上极板编程反熔丝单元表面淀积反熔丝刻蚀制备半导体制造技术反熔丝单元结构金属间介质层导电层表面工艺可靠性工作可靠性衬底材料区域限制台阶处淀积击穿极板溅射钨塞填充

[发明专利]一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法-CN202310273677.1在审
发明人：吴传贵;徐家琦;潘忻强;谢琴;帅垚;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法。本发明通过在薄膜器件下电极使用高选择比的金属材料形成保护层来保护薄膜器件下电极，防止刻蚀通孔时对下电极造成损伤；由于保护层区域和材料的设计，在刻蚀时可以使得通孔的形状更加精确，且能够更好的控制刻蚀速率和刻蚀深度本发明极大的降低刻蚀对薄膜器件下电极的损伤，大幅提高了刻蚀通孔的完整性与稳定性，极大地降低了工艺系统误差对加工精度的影响，提高了容错率，可广泛的应用在薄膜器件制造领域，特别是要求高精度通孔的薄膜器件的制造领域
一种刻蚀引出薄膜器件电极方法

[发明专利]通孔填充方法-CN201310661878.5在审
发明人：刘超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔填充方法，包括提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；按照第一比例通入第一气体与第二气体进行第一次反应；通入缓冲气体；按照第二比例通入第一气体与第二气体进行第二次反应，以形成金属膜。通过在进行第一次反应和第二次反应之间，通入缓冲气体，能够防止在第二次反应时，反应气体对第一次反应所形成的膜层造成损坏，确保填充的质量，提升了良率。
填充方法

[发明专利]导电通孔结构-CN201610405842.4在审
发明人：张国钦;谢玉宸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电通孔结构。
导电结构