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[发明专利]一种在范德华衬底上制备超平整金属薄膜的方法和一种超平整金属薄膜-CN202310888034.8在审
发明人：朱志宏;江金豹;熊峰;张检发;徐威;陈海涛;刘苹;李晗升;彭嘉隆;洪琦琳;何雨婷;王宇航 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：提供了一种在范德华衬底上制备超平整金属薄膜的方法和一种超平整金属薄膜，所述方法包括：S1、将范德华层状材料薄膜置于支撑基底上；S2、在范德华层状材料薄膜上沉积金属薄膜；沉积金属与范德华层状材料薄膜之间的浸润角小于90°；S3、对范德华层状材料薄膜上的金属薄膜进行退火处理，得到超平整金属薄膜；超平整金属薄膜的表面均方根粗糙度小于2埃米；其中，退火处理的温度在金属薄膜的实际熔点±50℃范围。本方法利用范德华层状材料薄膜作为金属沉积的直接衬底，并结合金属与范德华衬底之间良好的浸润性以及后退火处理，制得表面粗糙度接近1埃米量级的超平整金属薄膜。本方法简便易行，有较高的实用价值。
一种范德华衬底制备平整金属薄膜方法

[发明专利]一种激发二维范德华材料极化激元的方法-CN202010763275.6有效
发明人：戴庆;郭相东;杨晓霞;高鹏;李宁 -专利权人：国家纳米科学中心;北京大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01Q15/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种激发二维范德华材料极化激元的方法，所述方法包括如下步骤：使用高能电子照射二维范德华材料，实现二维范德华材料极化激元的激发。所述方法利用高能电子波长短的优势，提供超高动量补偿和超高空间分辨，从而借助电子辐射出的电磁场诱导二维范德华材料上产生表面电磁波，即极化激元。所述方法不仅能够对多层二维范德华材料的极化激元进行有效激发，还能够对单层二维范德华材料进行有效激发，这不仅能够为二维范德华材料极化激元的研究提供基础，有利于探索新材料中的极化激元与量子限域效应，也能够为将二维范德华材料用于小型光子学器件提供理论基础
一种激发二维范德华材料极化方法

[实用新型]气囊式自脱附范德华力吸盘-CN202320345467.4有效
发明人：李秋实;张凌峰;单雪梅 -专利权人：北京软体机器人科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B25J15/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气囊式自脱附范德华力吸盘，涉及吸盘技术领域。本实用新型为范德华力吸盘和气囊夹具的组合应用。工作时，范德华力吸盘与工件接触，通过范德华力吸盘表面的微米级聚合物柱状材料，与工件之间产生范德华力，从而完成对工件的吸附；然后通过抽放气装置对气囊夹具进行充气，气囊带动范德华力吸盘发生形变，使得范德华力吸盘与工件脱附用柔软的气囊代替其他结构的脱附形式，可以降低范德华力吸盘的应用成本，节省吸盘作业空间，还有效避免工件与吸盘的损伤。
气囊脱附范德华力吸盘

[发明专利]基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器-CN202211512938.2在审
发明人：王开友;朱文凯;林海龙;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供一种基于全二维材料的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的强自旋轨道耦合范德华层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；强自旋轨道耦合范德华层由具有低对称性晶体结构的强自旋轨道耦合二维材料构成，在施加电信号时产生面外极化的自旋流，驱动室温范德华磁性自由层实现定向无外磁场纯电控翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过电信号极性控制；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性变化。
基于二维材料室温全电控磁存储单元存储器

[发明专利]一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用-CN202210799338.2在审
发明人：何军;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体材料技术领域，特别涉及一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用。本申请提供的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料。本申请通过范德华外延技术，通过调控生长参数在范德华衬底上制备得到了硅基二维氮化镓，其结晶质量高、稳定性好、制备成本低、合成速度快、尺寸和厚度可调，可作为光电探测器的光探测部件，用于紫外探测。
一种二维氮化及其范德华外延制备方法应用

[实用新型]纤维阵列型范德华力吸盘-CN202021906967.3有效
发明人：张凌峰;鲍磊;许娜;李苗苗;赵元瑞 -专利权人：北京软体机器人科技有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： F16B47/00 文献下载
摘要：本实用新型纤维阵列型范德华力吸盘涉及一种吸盘。其目的是为了提供一种无需借助外部力即可完成落料过程、减少被吸附物体损坏的风险、适用范围广的纤维阵列型范德华力吸盘。本实用新型纤维阵列型范德华力吸盘包括壳体，壳体内部安装有动力机构、传动机构、缓冲机构和范德华力吸附单元，所述动力机构用于提供直线运动的动力；所述传动机构与动力机构连接，所述传动机构用于传递动力，并且根据需求改变传递力的方向；所述缓冲机构分别与传动机构和范德华力吸附单元，所述缓冲机构为弹性件，用于吸收被吸附物体与范德华力吸附单元之间的冲击力，给范德华力吸附单元提供预压力，使范德华力吸附单元能够贴合被吸附物体。
纤维阵列型范德华力吸盘

[发明专利]一种通过范德华外延法探测薄膜挠曲电效应的装置及方法-CN202210368438.X有效
发明人：舒龙龙;王支国;柯善明;张振;舒胜文;饶郑刚;李纯纯 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-04-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过利用云母基氧化膜的范德华外延法探测薄膜挠曲电效应的装置及方法，该装置包括云母衬底、以云母衬底通过范德华外延法生长的薄膜材料、上下表面电极、位移端、信号采集器、固定端，其中薄膜材料与上下表面电极紧密连接，薄膜材料与电极以范德华外延法生长在云母衬底上，位移端在材料上表面电极上施加位移输出电荷，信号采集器输出端与电极连接。此种方式与传统的刚性薄膜衬底相比，柔性云母衬底与薄膜材料间以范德华力连接，没有刚性夹持作用，可以更好的探究薄膜材料的挠曲电效应。
一种通过范德华外延探测薄膜挠曲效应装置方法

[发明专利]一种利用光子力显微镜测量范德华力的方法及装置-CN202110569296.9在审
发明人：陈鑫麟;裴明润;肖光宗;熊威;韩翔;罗晖 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用光子力显微镜测量范德华力的方法，它属于测量技术领域，包括以下步骤：步骤一、获取探针微粒不受范德华力作用时受限布朗运动的中心位置；步骤二、获取探针微粒受范德华力作用时受限布朗运动的中心位置；步骤三、计算探针微粒与待测微粒或待测表面之间的范德华力。本发明通过光镊捕获探针微粒，利用测量探针微粒的受限布朗运动的中心位置实现对范德华力的感知和测量，测量精度高，不易损伤待测微粒或表面，且能同时实现微粒与微粒之间，微粒与大表面之间范德华力的测量。本发明还提供了一种利用光子力显微镜测量范德华力的装置。
一种利用光子显微镜测量范德华力方法装置

[发明专利]基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器-CN202211496927.X在审
发明人：王开友;林海龙;朱文凯;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供一种基于二维异质结的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的竞争自旋流合金层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；竞争自旋流合金层由相反自旋霍尔角的合金材料或自旋霍尔角相反的过渡金属元素组成的合金组成，通过竞争自旋流效应产生的额外的面外极化的自旋流实现室温范德华磁性自由层无外磁场辅助的纯电控磁翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性的变化而变化。
基于二维异质结室温全电控磁存储单元存储器

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN201911196921.9在审
发明人：秦胜妍;屈军毅 -专利权人：深圳市立洋光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件及其制备方法，光电器件包括第一电极、第二电极、n型层和p型层，所述p型层层叠在所述n型层上并且形成范德华异质结构，所述第一电极与所述n型层电连接，所述第二电极与所述p型层电连接；所述上述光电器件通过SnS2和GaSe形成范德华异质结构，将这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构设置在柔性衬底上进行光电特性检测时，发现这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构具有较佳的光电特性。应用了这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的光电器件会由于p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的较佳的光电特性而具有更好的性能
光电器件及其制备方法

[实用新型]一种二维范德华异质结光电探测器-CN201721095156.8有效
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本专利公开了一种二维范德华异质结光电探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器
二维半导体异质结光电探测器光电探测器异质结构衬底二维金属源漏电极制备金属电极底层半导体电子束光刻探测器响应剥离技术二维材料范德华力技术结合快速响应器件结构制备工艺灵敏度异质结波段功耗栅压制备半导体探测调控拓展

[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人：刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法-CN202310520932.8在审
发明人：高峻峰;张艳雪;常远 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明属于光催化和太阳能电池技术领域，具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法，采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计，筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后；相较于未插层的范德华异质结超胞模型，对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析，能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。
一种环境气体分子调节范德华异质结光电转化性质预测方法

[发明专利]一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元、器件及控制方法-CN202111448174.0在审
发明人：陈凯运;阚东晓;宋梦珊;贺加贝;霍望图 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元，包括在基底上形成第一GeC层、形成CrS2层并调控，形成第二GeC层后施加磁场进行初始磁化，再施加局域垂直压应变得到范德华自旋阀结构单元；本发明公开了一种包括两个以上并联的范德华自旋阀结构单元组成的自旋阀器件；本发明还公开了对自旋阀器件的控制方法：对自旋阀器件施加外磁场并输入电流，通过改变外磁场施加方向调节范德华自旋阀结构单元自旋状态，本发明通过局域压应变调控CrS2相变，得到受磁性转变作用的范德华自旋阀结构单元，免除了不同性质不同材料的匹配问题；本发明的自旋阀器件结构与控制方法简单，实现了逻辑运算且便于能耗管理
一种局域应变控制范德华自旋结构单元器件方法

[发明专利]一种集成微流腔的二维范德华复合结构光学生物传感器-CN202210164857.1在审
发明人：魏晨崴;陈宗正;吴恒博 -专利权人：深圳市犀锐生物科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明属于生物传感技术领域，特别是涉及一种集成微流腔的二维范德华复合结构光学生物传感器，包括基底及附于基底上的二维范德华复合结构，在二维范德华复合结构上集成微流腔以传输、检测生物样本，该传感器可实现高相位检测灵敏度本发明主要通过对二维范德华复合材料进行优选和结构设计，进一步提高检测灵敏度。
一种集成微流腔二维范德华复合结构光学生物传感器

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