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[发明专利]一种氦泡肿胀过程绒毛生长机制预测方法-CN202310704592.4在审
发明人：张伟伟;张文;梁静;常恬;白伟;辛甜;阚东晓;李建峰 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氦泡肿胀过程绒毛生长机制预测方法，该方法包括：一、构建预测模型；二、确定He泡未破裂时深度对W基体表面的影响；三、确定He泡破裂对W基体表面形貌变化的影响。本发明通过对He泡未破裂时其深度对W基体表面的影响，以及He泡破裂对W基体表面形貌变化的影响，得到在W基体表面绒毛生长的情况，通过氦扩散+聚集以及气泡膨胀+破裂两种情况下反应对绒毛生长情况的影响，对全面评估核反应堆材料在工程上的应用具有重要意义。
一种肿胀过程绒毛生长机制预测方法

[发明专利]一种搜索高熵合金稳定结构的方法-CN202310713568.7在审
发明人：张伟伟;梁静;张文;白伟;李延超;辛甜;阚东晓;李建峰 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G16C20/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种搜索高熵合金稳定结构的方法，涉及高熵合金稳定结构搜索的计算材料技术领域，包括：随机交换高熵合金结构中两个原子的位置，获得第一暂态结构，采用分子动力学算法计算第一暂态结构的能量值，随机交换第一暂态结构中的两个原子的位置，获得第二暂态结构，采用分子动力学算法计算第二暂态结构的能量值，在第一暂态结构的能量值与第二暂态结构的能量值不断比较过程中，通过蒙特卡洛马尔科夫链算法马尔科夫链确定的概率值使用第二暂态结构替换第一暂态结构，搜索稳态结构的高熵合金结构。该方法可以有效建立能够反映高熵合金内部原子排布真实状态的结构。
一种搜索合金稳定结构方法

[发明专利]一种锰基MXenes自旋场效应管及其制备和使用方法-CN202211167512.8在审
发明人：陈凯运;贺加贝;阚东晓;宋梦珊 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰基MXenes自旋场效应管，包括基底、第一电极层、第一隔离层和氢原子钝化Mn2NO2层，氢原子钝化Mn2NO2层上间隔设置有第二隔离层和第三隔离层，第二电极层和第三电极层，另外还提供了一种锰基MXenes自旋场效应管的使用方法，通过施加局域电场诱发氢原子钝化Mn2NO2部分区域由半导体转变为半金属，形成半金属/半导体/半金属横向异质结，仅采用氢原子钝化Mn2NO2单一材料，通过采用局域电场的方式调控特定区域由半导体转变为半金属性，形成半金属/半导体的横向异质结，以不同外磁场对各个自旋场效应管进行磁化，用于写入信息，并通过检测各个通道中的自旋电子信号，进行逻辑运算与磁性存储。
一种 mxenes 自旋场效应及其制备使用方法

[发明专利]一种剪切应变控制的CrS2-CN202210787613.9在审
发明人：陈凯运;阚东晓;宋梦珊;霍望图 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种剪切应变控制的CrS2自旋阀器件，由两个以上的自旋阀器件单元并联而成，自旋阀器件单元包括基底，以及设置在基底上的CrS2层和保护层，由以下方法制备得到：一、在基底上生长形成1T'相CrS2层；二、调控形成横向异质结；三、在横向异质结上生长形成保护层；四、调控形成磁性异质结；本发明还公开了该自旋阀器件单元的控制方法：将自旋阀器件连通外电路后施加剪切应变调节自旋阀器件单元的自旋状态。本发明基于CrS2自身具有的铁弹性以及铁磁性与铁弹性的相互耦合，通过应变调控1T'相CrS2层的铁弹性进而调节其磁性转变，解决了不同性质不同材料匹配难题；本发明的控制方法简单易于实现。
一种剪切应变控制 crs base sub

[发明专利]一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元、器件及控制方法-CN202111448174.0在审
发明人：陈凯运;阚东晓;宋梦珊;贺加贝;霍望图 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元，包括在基底上形成第一GeC层、形成CrS2层并调控，形成第二GeC层后施加磁场进行初始磁化，再施加局域垂直压应变得到范德华自旋阀结构单元；本发明公开了一种包括两个以上并联的范德华自旋阀结构单元组成的自旋阀器件；本发明还公开了对自旋阀器件的控制方法：对自旋阀器件施加外磁场并输入电流，通过改变外磁场施加方向调节范德华自旋阀结构单元自旋状态，获取调节输出信号。本发明通过局域压应变调控CrS2相变，得到受磁性转变作用的范德华自旋阀结构单元，免除了不同性质不同材料的匹配问题；本发明的自旋阀器件结构与控制方法简单，实现了逻辑运算且便于能耗管理。
一种局域应变控制范德华自旋结构单元器件方法