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[实用新型]一种亮彩装饰带-CN200820178520.1无效
发明人：叶永金 -专利权人：叶永金
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： B44C5/04 文献下载
摘要：一种亮彩装饰带，涉及装饰材料，由从上至下依次叠置的压敏胶水层(5)，涂铝层(4)，印刷层(3)，透明树脂膜层(2)和涂硅PET膜基层(1)组成。
一种装饰

[发明专利]一种弧形底电极薄膜太阳电池-CN201310335067.6有效
发明人：花国然;王强;邓洁;管图华 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：弧形底电极薄膜太阳电池，从上至下包括依次连接的金属顶电极、透明导电薄膜、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、金属底电极、衬底，金属底电极的上表面具有若干金属导电凸棱，凸棱上方的N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜具有向上凸起的条状鼓包，金属顶电极设置于透明导电薄膜的条状鼓包的两侧。
一种弧形电极薄膜太阳电池

[发明专利]一种太阳能选择性吸收膜系-CN201410724704.3有效
发明人：朱跃钊;刘宏;王银峰;陆蓓蓓 -专利权人：南京工业大学;苏州汉申温差电科技有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能选择性吸收膜系（100），包括依次从上至下的减反层（6）、吸收层（5）、红外反射层（3）和金属基底层（1），所述吸收层（5）为梯度微结构硅吸收层，由依次从下至上的多晶硅膜层（7）、微晶硅膜层（8）、纳米晶硅膜层（9）和非晶硅膜层（10）组成。本发明的吸收膜系通过调节膜系材料的微结构，涂层厚度，硅吸收层微结构梯度、尺寸和形状等参数，灵活控制吸收膜性能。
一种太阳能选择性吸收

[发明专利]基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法-CN202110962162.3有效
发明人：陈柯辛;顾鹏;杨志强;李春梅;王金勇;蒋向东;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供一种基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法，从上至下具有透明顶电极、硅基非晶薄膜功能层、非晶硅钌薄膜功能层、透明底电极的垂直三明治结构；非晶硅钌薄膜功能层为光敏层，用于吸收可见光到近红外光范围内的光子；硅基非晶薄膜功能层与非晶硅钌薄膜功能层构成肖特基势垒；器件以不同波长的光信号模拟视觉突触前端的动作电位，以器件的光响应电流模拟突触后电流，通过电读取的方式，在可见光到近红外光谱范围内实现多项视觉神经突触可塑性
基于肖特基接触双层光电突触器件制备方法

[实用新型]一种上硅机-CN201420264823.0有效
发明人：陈加福 -专利权人：温州市新丰复合材料有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种上硅机，包括机架、上硅机构、收卷机构、放卷机构及烘干机构，所述的放卷机构、上硅机构、烘干机构及收卷机构依次设置于机架上，所述的上硅机构包括料斗及加热组件，该料斗设置有呈条形状的出料口，其特征在于：还包括有回湿组件，该回湿组件介于烘干机构与收卷机构之间，该回湿组件包括支架、水箱、喷淋管、海绵块及风机，所述的水箱固定于支架的上部，喷淋管连接于水箱上，海绵块由上至下悬挂于支架上，且喷淋管的喷淋孔朝向海绵块，且风机的出风口朝向海绵块设置；本实用新型在于：在上硅涂硅干燥后的材料设置回湿组件，有效的对干燥后的材料进行回湿处理，提高了材料的表面质量及平整度。
一种上硅机

[实用新型]一种适用于硅料加工的多孔钻机-CN201120383538.7有效
发明人：朱明全;徐文龙;熊鑫;饶坚;王锡锋;马鹏 -专利权人：天威四川硅业有限责任公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于硅材料加工设备，特别涉及一种可对硅料进行高效率加工的多孔钻机，一种适用于硅料加工的多孔钻机，包括可调式多轴器和用于固定硅桥的夹具，可调多轴器从上至下依次包括有连接头、软轴连接面、可调软轴外壳软轴连接面、可调软轴外壳的底端穿过固定面连接有连接若干长短不一的软轴；软轴连接面连接有手柄，手柄摇动带动软轴连接面在可调软轴外壳内上下移动，软轴跟随软轴连接面移动，软轴下端连接钻夹头，利用钻夹头来作用于硅桥上；本实用新型能实现多轴钻孔，可提高硅料钻孔加工效率3-6倍以上，解决占地大、设备投资大、人工劳动力大而造成工厂生产运行成本高的问题。
一种适用于加工多孔钻机

[实用新型]一种可释放振动器-CN202022674424.X有效
发明人：周鹏;贺亚飞;王晶朴;杜拥军;苗贝 -专利权人：延长油田股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种可释放振动器，包括有相互连接的释放单元及振动单元；释放单元包括有连接杆，连接杆的外壁上由上至下依次套有弹簧、夹持套及上壳体，夹持套外壁上套有打捞头，打捞头的尾端与上壳体的上端通过螺纹连接；上壳体内设置有由上至下依次连接的锁紧套、锁紧机构、拉杆；连接杆的下端端部插进上壳体内与锁紧套的上端端部与螺纹连接；上壳体的壳体上安装有硅脂孔顶丝；上壳体、锁紧机构及拉杆均与振动单元连接。
一种释放振动器

[发明专利]β 型赛隆的制备方法-CN201180046132.2有效
发明人：江本秀幸 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明的β型赛隆的制备方法具有：对含有硅、铝及铕的原料粉末进行混合的混合工序；将混合得到的原料在惰性气体或非氧化性气体的气氛中进行烧成，生成由通式：Si6－zAlzOzN8－z:Eu（0＜z＜4.2）表示的退火处理在以下条件下进行：还原性气氛中、气氛压力为100kPa以上至10MPa以下、气氛温度为1200℃以上至1600℃以下、并且处理时间为1小时以上至24小时以下。
型赛隆制备方法

[发明专利]多晶硅还原炉的硅芯结构-CN201710285198.6有效
发明人：齐林喜;赵波 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司;宜阳天择加工有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯、第二硅芯和横梁其中之一至少有一部分为石墨材料制作。一种多晶硅还原炉的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯包括晶硅部与晶硅部连接的石墨部。本发明的多晶硅还原炉的硅芯结构，在硅芯材料上至少部分选用了石墨材料，材料成本和加工成本都较低。
多晶还原结构

[发明专利]一种MEMS谐振器制备方法-CN202111184562.2在审
发明人：杨晋玲;刘文立;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；自所述电容间隙，腐蚀去除处于所述谐振结构下的所述埋氧层；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环在本发明提供的技术方案中，利用顶硅层定义谐振结构、电极、电容间隙及封装环，并将埋氧层作为牺牲层，释放后使得谐振结构悬空；工艺流程简单可靠，提高MEMS谐振器的成品率。
一种 mems 谐振器制备方法

[实用新型]石墨烯电极柔性薄膜钙钛矿太阳能电池-CN201420342784.1有效
发明人：廖旭;王先华 -专利权人：湖南省天赐阳光太阳能有限责任公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本实用新型具体包括从上至下依次排列的上基底、石墨烯正电极、钙钛矿层、石墨烯负电极、下基底五层结构。本实用新型结构简单，可湿法涂膜成型，成本低，成本比硅太阳能电池低60％，能量转化效率优于传统的硅太阳能电池，能量转化效率高达20～26％，可替代单晶硅成为新一代的柔性薄膜太阳能电池。
石墨电极柔性薄膜钙钛矿太阳能电池

[实用新型]一种防尘式煤矿井下环境监测装置-CN201920677852.2有效
发明人：米佳;梁苗;褚海燕;温彩霞 -专利权人：鄂尔多斯生态环境职业学院
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防尘式煤矿井下环境监测装置，包括壳体，所述壳体的正面固定安装有防尘罩，所述壳体的左侧从上至下依次固定安装有瓦斯浓度传感器、空气质量传感器和粉尘浓度传感器，所述壳体的右侧从上至下依次固定安装有温度传感器和湿度传感器，所述壳体的上端面固定安装有报警灯，所述壳体的内部从上至下依次固定安装有运算放大器、单片机、存储模块和电源。该防尘式煤矿井下环境监测装置，通过设置的防尘罩防止侧向粉尘进入覆盖住LCD显示屏，同时防尘罩和壳体的表面均喷涂有高级硅丙烯酸防尘涂料，通过设置的传感器对各种环境进行监测，检测的电流信号通过运算放大器进行放大再传输至单片机
壳体防尘罩从上至下单片机环境监测装置运算放大器煤矿井下防尘式粉尘浓度传感器空气质量传感器瓦斯浓度传感器侧向本实用新型湿度传感器温度传感器存储模块电流信号硅丙烯酸正面固定防尘报警灯上端面传感器喷涂粉尘涂料电源放大传输监测检测覆盖

[发明专利]大功率方片可控硅封装结构-CN201310724868.1有效
发明人：许志峰 -专利权人：江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。
大功率可控硅封装结构

[实用新型]大功率方片可控硅封装结构-CN201320861456.8有效
发明人：许志峰 -专利权人：江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。
大功率可控硅封装结构

[发明专利]硅基锗光电探测器-CN201510382643.1在审
发明人：周治平;涂芝娟;华锋;王会涛;张琦 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基锗光电探测器，包括由上至下依次层叠的光波导层、硅氧化层和硅衬底，所述光波导层包括沿着光信号的传播方向依次分布的光耦合区、平面光波导区和光输出区，所述光耦合区上形成有用于接收光信号并将所述光信号引导至所述平面光波导区的耦合光栅；所述硅基锗光电探测器还包括叠在所述光输出区上的锗层、叠在所述锗层上的硅覆盖层、形成在所述硅覆盖层上的第一电极和形成在所述光输出区上的第二电极，所述锗层接收来自所述光输出区的光信号并将所述光信号转换为电信号通过引入硅覆盖层，大大提高了带宽，同时大大降低了器件的暗电流，使器件的综合性能指标得到提高，能更好地满足高速光通信和光互连系统的要求。
硅基锗光电探测器