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[发明专利]一种制备自产热蚕丝的纳米三氧化钨添食育蚕法及其制品-CN201810771149.8有效
发明人：易文辉;白磊;徐浩;张萍;田祎龙 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： A01K67/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制备自产热蚕丝的纳米三氧化钨添食育蚕法及其制品，包括如下步骤，步骤1，蚕在一龄到三龄喂食未添加纳米三氧化钨的蚕饲料；步骤2，从四龄开始喂食添加了质量分数为1％‑1.5％的纳米三氧化钨水溶液的复合饲料，水溶液与饲料的质量比为1:(20‑25)，由蚕吸收纳米三氧化钨进入丝腺；步骤3，复合饲料的喂养到五龄结束，进入丝腺的纳米三氧化钨最终在纺丝过程中将纳米三氧化钨结合进入蚕丝，直至上蔟结茧，即获得自产热蚕丝不仅对蚕丝的韧性，强度有所改善，更使得其具有三氧化钨优异的光热特性。提高了蚕丝的韧性；破坏蚕丝结构，使得结晶度降低。
一种制备自产蚕丝纳米氧化钨添食育蚕法及其制品

[发明专利]一种具有可见光响应的钨酸铜/磷酸镍光阳极薄膜的制备方法-CN201910263328.5有效
发明人：熊贤强;范利亚;武承林 -专利权人：台州学院
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有可见光响应的钨酸铜/磷酸镍光阳极薄膜的制备方法，属于光电催化技术领域。所述的复合电极包含钨酸铜薄膜电极，表面负载均匀分布的磷酸镍纳米颗粒，该复合电极能够延长钨酸铜光生载流子的寿命，进而提高其光电催化水分解性能，有效解决了钨酸铜光电催化效率较低的问题。该电极的制备方法主要包括以下步骤：首先，以钨酸钠和草酸铵为原料，水热合成三氧化钨薄膜电极；其次，滴加铜离子至三氧化钨表面，高温转化，即得板状钨酸铜电极；最后，将磷酸镍纳米颗粒滴加到钨酸铜电极表面，烘干，制备出具有磷酸镍修饰的钨酸铜光阳极。
一种具有可见光响应钨酸铜磷酸阳极薄膜制备方法

[发明专利]一种高比表面积氧化钨的制备方法-CN202210387275.X在审
发明人：龙本夫;王玥;林高安;钟志超;周喜诚;曹友东;汤雪辉;池水清 -专利权人：厦门金鹭特种合金有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比表面积氧化钨的制备方法，所述制备方法具体包括以下内容：S1、将钨酸铵盐在空气条件下，煅烧成三氧化钨，去除钨酸盐中多余的氧元素；S2、将步骤S1中得到的三氧化钨置于还原炉中轻微还原，控制氧化钨中的氧含量，得到氧化钨WOx，其中2.0x2.3；S3、将步骤S2中得到的WOx过筛，测定比表面积。本发明提供的一种高比表面积氧化钨的制备方法，通过将煅烧后的氧化钨在低温下进行轻微还原，避免了钨酸铵盐在煅烧过程中分解出大量水蒸气而导致氧化钨的比表面积低的缺陷，使得氧化钨的晶胞结构更细，比表面积高达15
一种表面积氧化钨制备方法

[发明专利]具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜及其制备方法-CN201711478200.8有效
发明人：赵高凌;谢君樑;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，以六氯化钨和草酸为原料配置前驱体溶液，再经溶剂热反应制备得到；所述的前驱体溶液中，六氯化钨的浓度为1～15g/L。本发明公开了一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，通过引入草酸作为结构调整剂，在低W源浓度下提高氧化钨电致变色薄膜在导电基底上的附着量，有效提高光谱调节范围，增加原料利用率。
电致变色薄膜制备氧化钨高光谱草酸前驱体溶液六氯化钨结构调整剂溶剂热反应原料利用率光谱调节原料配置导电基附着量引入

[发明专利]一种电致变色器件及其制备方法-CN201810384944.1有效
发明人：刘振;丁晶晶;陈沼龙;黄伟;张海燕 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致变色器件及其制备方法，其中该制备方法包括：利用溶胶凝胶法制备氧化钨薄膜前驱液，将氧化钨薄膜前驱液沉积在第一透明导电层表面，并进行退火，以得到氧化钨电致变色层；利用溶胶凝胶法制备电解质，将电解质沉积在氧化钨电致变色层表面，以得到电解质层；将电解质层与第二透明导电层进行粘合，并进行烘干和固化，以得到电致变色器件。本申请公开的上述技术方案，利用溶胶凝胶法分别制备氧化钨薄膜前驱液和电解质，并将其沉积在对应膜层上，以制备出电致变色器件，利用上述方法制备电致变色器件所需的设备简单、易操作，并且制备对应溶液的工艺过程比较简单
一种变色器件及其制备方法

[发明专利]一种修饰钙钛矿电池电子传输层的电池方法-CN202011269849.0在审
发明人：刘生忠;孙友名;冯江山;曹越先;段连杰;王辉;杜敏永;王立坤;王开 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供一种以氧化石墨烯修饰三氧化钨电子传输层的钙钛矿电池及其制备方法；所述的制备方法以ITO玻璃为基底和以三氧化钨作为电子传输层的同时，采用电子束蒸发的方法实现三氧化钨电子传输层的制备，起到了传输电子的特性；所述的三氧化钨电子传输层可以作为电子传输的载体，配合钙钛矿材料作为吸收层，可以实现在全可见光范围内的光吸收，便于产业化生产；所述的氧化石墨烯，采用旋涂的方式制备在三氧化钨表面，修饰后的三氧化钨具备更好的电子提取能力
一种修饰钙钛矿电池电子传输方法

[发明专利]一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法-CN202110629862.0有效
发明人：兰长勇;邹瑞森;李春 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法。采用化学气相沉积技术，通过钨酸钠做辅助剂，辅助生长大面积二硫化钨薄膜。其中氧化钨与钨酸钠的质量比为1:2‑1:12。本发明使用钨酸钠做辅助剂，一方面可以促进氧化钨的的液化，并可以保护氧化钨在反应阶段不被硫化；另一方面钠盐有助于降低形核密度，实现大面积单层二硫化钨薄膜的制备。本发明能够在低压单温区管式炉条件下制备出外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜。该实验方法可控性好、工艺简单、原料成本低，且适用于大规模生产。
一种外延大单畴大面积单层硫化薄膜制备方法

[发明专利]在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨-碳复合材料及应用-CN202211124043.1在审
发明人：巩倩;康黎星;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨‑碳复合材料及应用。所述方法包括：在碳纳米管薄膜上生长形成碳镀层，得到碳镀层/碳纳米管复合薄膜；在其表面生长三氧化钨，得到三氧化钨/碳镀层/碳纳米管复合薄膜；再进行硫化处理，使形成的二硫化钨纳米片垂直生长于碳镀层/碳纳米管复合薄膜上，制得二硫化钨‑碳复合材料。本发明通过化学气相沉积方法，在易于滑移变形的CNT薄膜表面沉积碳镀层，可阻止CNTs的滑移，改善基底的稳定性，进而有效实现二硫化钨纳米片的垂直生长，制备过程简单，易于控制；并且，制备得到的二硫化钨纳米片垂直率高
柔性基底生长垂直硫化方法复合材料应用

[发明专利]一种高效氧缺位三氧化钨纳米纤维光催化材料及其制备方法-CN201910305830.8在审
发明人：郭恩言;杨倩;沈建兴;魏明智 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效氧缺位三氧化钨纳米纤维光催化材料及其制备方法，本发明的目的是要解决传统三氧化钨光催化材料比表面小、活性位点少导致催化活性低，以及导带位置过高不具备光催化制氢活性的问题。本发明以钨盐或钨酸盐为金属源，以油胺或三辛胺为溶剂，与多元醇发生反应形成钨氧键并最终形成三氧化钨，再将制得的三氧化钨在氢气环境下加热还原，最终制得氧缺位三氧化钨纳米纤维光催化材料。本方法制得的氧缺位三氧化钨纳米纤维光催化材料具有均匀的一维形貌，其直径仅有3~4nm，长度250nm左右，比表面积大，导带位置低，具有很高的可见光催化制氢活性。
三氧化钨光催化材料纳米纤维氧缺位导带位置制备形貌光催化制氢可见光催化催化活性活性位点加热还原氢气环境多元醇金属源三辛胺钨酸盐溶剂钨盐氧键油胺制氢

[发明专利]镁钇合金及氧化钨薄膜为基的全固体电致变色调光器件-CN201511025316.7在审
发明人：包山虎;金平实;辛云川 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种镁钇合金及氧化钨薄膜为基的全固体电致变色调光器件，包括三氧化钨储氢层、镁钇合金调光层以及位于三氧化物储氢层、镁钇合金调光层之间的质子传导层和贵金属催化层。
合金氧化钨薄膜固体变色调光器件

[发明专利]一种柔性电致变色薄膜及制备方法、电致变色器件-CN201610052580.8有效
发明人：俞书宏;王金龙;刘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性电致变色薄膜，包括柔性透明基底、银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第一层纳米线薄膜、以及银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第二层纳米线薄膜；所述第一层纳米线薄膜复合在柔性透明基底上；所述第二层纳米线薄膜交叉复合在所述第一层纳米线薄膜上本发明采用氧化钨纳米线对可见光具有较小的吸收，使共组装的纳米线薄膜具有良好的透过率，又采用具有良好的导电性的银纳米线，使共组装的纳米线薄膜具有良好的导电性，使共组装的纳米线薄膜能作为导电基底，克服了传统电致变色器件需要脆性ITO作为导电基底的限制；而且通过对银纳米线和氧化钨纳米线进行共组装制备纳米线薄膜，改变两种纳米线比例调节薄膜的透过率和导电性。
一种柔性变色薄膜制备方法器件

[发明专利]一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2-CN201911353350.5在审
发明人：沈洪雪;姚婷婷;李刚;彭塞奥;杨扬 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法，包括以下步骤：a、采用单晶硅片为衬底，清洗衬底，去除衬底表面的污垢；b、将衬底放入离子束辅助沉积系统的腔室内，离子束辅助沉积系统采用钨靶与锆靶；c、启动离子束辅助沉积系统，先使用钨靶，在衬底表面沉积氧化钨薄膜；然后使用锆靶，在氧化钨薄膜表面沉积氧化锆薄膜；d、将沉积了薄膜的衬底放入退火炉，在1000℃的氧气气氛中退火3小时，使氧化钨在氧化锆薄膜中均匀扩散；然后随炉冷却至常温即得到W掺杂ZrO2薄膜；该方法能够进行任意W掺杂量的ZrO2薄膜的制备，并且不需要另外制作混合靶材，方法简单、可控性强。
一种离子束辅助沉积工艺制备掺杂 zro base sub

[发明专利]一种花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法及其三乙胺气体传感器和用途-CN201910629475.X有效
发明人：杨志;韩雨彤;曾敏;苏言杰;胡南滔;周志华;张亚非 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种花状三氧化钨多级纳米材料及其制备方法和用途。本发明还提供了基于该花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器，包括其制备方法及用途。其中，花状三氧化钨多级纳米材料由简单环保的声化学法制备，所得花状三氧化钨多级纳米材料可应用于三乙胺气体的高效检测。本发明基于花状三氧化钨多级纳米材料的三乙胺气体传感器，其具有优异的灵敏度、超快的响应速度、出色的选择性、可靠的长期稳定性和低的理论检测极限，表明这种基于新型花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器适用于高灵敏度地检测三乙胺气体，该花状三氧化钨多级纳米材料是检测三乙胺气体的潜在传感材料之一。
种花氧化钨多级纳米材料制备方法及其乙胺气体传感器用途

[实用新型]基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件-CN201320651445.7有效
发明人：胡明;闫文君;曾鹏;马双云;李明达 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件，其特征在于，在p型<100>晶向的单面抛光的单晶硅基片设置有铂叉指电极，铂叉指电极与硅基片的抛光表面的上面设置有三氧化钨气敏性薄膜，该气敏性薄膜厚度为本实用新型可在室温下探测低浓度（0.1ppm）二氧化氮气体，且具有高灵敏度、快速响应/恢复、选择性好、重复性好的气敏特性。
基于氧化钨薄膜室温气体传感器元件

[发明专利]一种基于氧化钨的柔性电致变色膜及其制备方法和应用-CN201811236230.2在审
发明人：魏昂;田灿灿;位威;刘羽泽;郑丽华 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化钨的柔性电致变色膜及其制备方法和应用，其由无定型氧化钨组成，具有疏松多孔的纳米形貌，厚度为200～400nm，平均孔径约为100～300nm。该柔性电致变色薄膜由于具有疏松多孔结构，不但利于电解液的渗透和接触，而且缩短了电荷转移的路径，因此该柔性电致变色薄膜的电致变色性能良好，光学调制范围大。本发明的基于氧化钨的柔性电致变色膜具有柔性可弯折的特点，弯曲超过90°依然具有电致变色性能。本发明的制备方法制备工艺简单、反应温度温和，成本低廉，为工业化生产氧化钨基柔性电致变色薄膜提供了一种可能的制备方法。
柔性电氧化钨变色薄膜变色膜制备方法和应用电致变色性能制备疏松多孔结构电荷转移光学调制纳米形貌平均孔径疏松多孔氧化钨基制备工艺电解液可弯折无定型