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[发明专利]一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法-CN201510881964.6在审
发明人：邹友生;窦康;曾海波;王沙龙;董宇航 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法，将液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法相结合，首先采用液相激光烧蚀技术在液相环境中通过激光烧蚀钨源靶材，获得高活性氧化钨纳米颗粒的胶体；然后在获得的胶体溶液中通过电泳沉积在透明导电玻璃基片上制备纳米氧化钨薄膜本发明操作简便，制备过程快捷，反应条件温和，容易控制，所制备的纳米WO₃电致变色薄膜响应速度快。
一种纳米氧化钨变色薄膜制备方法

[发明专利]一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法-CN201310324918.7有效
发明人：王秀丽;蔡国发;周鼎;谷长栋;涂江平 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法，包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，加水配制成含钨浓度为1～5mol/L的过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上，得到覆盖有晶种层的导电基底；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在350～450℃热处理1～3h。该制备方法制备的薄膜具有纳米团簇、纳米树或纳米线阵列形貌，电连接性好，薄膜具有光谱调节范围大、响应速度快和循环寿命长的优点，同时，制备工艺控制方便，制造成本较低，可以大面积生产，易于实现工业化。
一种氧化钨纳米阵列变色薄膜及其制备方法

[发明专利]具有表面增强拉曼散射功能的氧化钨基底及其制备方法-CN201710123459.4有效
发明人：罗正位;范兴策;邱腾 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有表面增强拉曼散射功能的氧化钨基底及其制备方法，该纳米材料基底是在纳米铝碗衬底上制备氧化钨纳米薄膜，并进行相关的氧含量调控获得。本发明的制备方法利用二次或多次阳极氧化获得的纳米铝碗作为衬底，采用磁控溅射法在衬底上制备氧化钨纳米薄膜，再通过退火处理进行氧含量的调控实现具有表面增强拉曼散射功能的氧化钨纳米材料基底的制备。
具有表面增强散射功能氧化钨基底及其制备方法

[发明专利]一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法-CN202310229763.2在审
发明人：刘冀锴;周谷雨;代娜;胡勇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法。以掺氟氧化锡导电玻璃为基底，通过水热法在导电玻璃上生长三氧化钨种子层，将种子层进一步水热生长镍掺杂的三氧化钨纳米片，将镍掺杂的三氧化钨浸渍到氟化铵溶液中，制得镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极。所述镍掺杂和表面氟化共改性于三氧化钨纳米片的内部及表面，显著提升了三氧化钨光阳极的光电化学性能。可应用于光电催化分解水、光电催化降解污染物以及构建光电化学传感器等领域。
一种掺杂表面氟化改性氧化钨阳极及其制备方法

[发明专利]一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法-CN201110162483.1有效
发明人：刘岗;谢英鹏;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及三氧化钨晶体领域，具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面暴露比例不同三氧化钨晶体，能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中，经加热处理，可得到{002}晶面占优的三氧化钨晶体。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中，经加热处理，可得到氢钨青铜立方晶体，氢钨青铜晶体经空气中热处理，可得到{002}、{200}、{020}晶面比例相等的三氧化钨晶体从而，制备出具有规则形貌的、晶面比例不同的、具有很好光解水产氧能力的三氧化钨晶体。
一种氧化钨晶体可控生长制备方法

[发明专利]一种微波辅助制备分级结构三氧化钨的方法-CN202110361907.0有效
发明人：席晓丽;王建宇;刘阳思;聂祚仁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种微波辅助制备分级结构三氧化钨的方法，所述方法包括以微波辅助沉淀法获得三氧化钨前驱体后，对所述三氧化钨前驱体进行煅烧的步骤；所述微波辅助沉淀法中采用六氯化钨和草酸分散在有机溶剂中进行反应。本发明提供了一种微波辅助制备分级结构三氧化钨的方法，该方法通过采用微波辅助沉淀法先获得三氧化钨前驱体再进行煅烧，可以方便快捷地获得分级结构三氧化钨，而且该方法对设备要求低、可重复性高，相较于其它方法更易于推广
一种微波辅助制备分级结构氧化钨方法

[发明专利]一种磷酸银掺杂三氧化钨光催化剂的制备方法-CN202110152293.5在审
发明人：丁凤 -专利权人：江西理工大学南昌校区
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸银掺杂三氧化钨光催化剂的制备方法，包括以下步骤：A、制备三氧化钨粉体；B、制备磷酸银掺杂三氧化钨光催化剂；C、磷酸银掺杂三氧化钨光催化剂的降解效果评估，本发明通过磷酸银与三氧化钨的复合通过控制钨酸钠与硝酸银的比例制备一系列三氧化钨与磷酸银的复合物，对有机污染物表现出优异的降解效果。
一种磷酸掺杂氧化钨光催化剂制备方法

[发明专利]由湿仲钨酸铵制备三氧化钨的方法-CN201210112915.2无效
发明人：赵立夫;刘科贵;谢甫旭;肖学有;张玄 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种由湿仲钨酸铵制备三氧化钨的方法。所述方法包括以下步骤：对湿仲钨酸铵进行加热分解以得到三氧化钨。根据本发明实施例的由湿仲钨酸铵制备三氧化钨的方法，将湿APT直接加入到回转炉中煅烧成三氧化钨，减少了烘干包装工序，缩短了工艺流程，降低了产品的生产成本。
湿仲钨酸铵制备氧化钨方法

[发明专利]一种准固态三氧化钨电致变色器件及其制备方法-CN201811393517.6在审
发明人：窦辉;龙雪媛;董升阳;徐呈旸;申来法;张校刚 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明公开了一种准固态三氧化钨电致变色器件及其制备方法，该电致变色器件包括：工作电极，电解质层，对电极，透明导电层；工作电极为氧化钨，电解质层为含锂盐的氯化胆碱乙二醇凝胶，对电极为纳米氧化铈；本发明采用喷涂法制备三氧化钨电致变色薄膜电极与氧化铈对电极
电致变色器件三氧化钨制备电解质层对电极准固态电致变色薄膜电解质离子电导率纳米氧化铈凝胶电解质透明导电层工作电极离子液体氯化胆碱绿色环保喷涂法制电极含锂盐密度差氧化钨氧化铈乙二醇凝胶泄露透明响应

[发明专利]高钼钨矿石中三氧化钼和/或三氧化钨含量的测定方法-CN201310239329.9有效
发明人：梁玉兰;彭玲;赵志坚;阙威红;曾文琼 -专利权人：江西稀有金属钨业控股集团有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：一种高钼钨矿石中三氧化钼和/或三氧化钨含量的测定方法，先采用试样在少量氟化铵存在下以盐酸、硝酸、高氯酸溶解，钨成钨酸析出，部分钼成钼酸析出；过滤，使钨、钼与大部分共存元素分离后，用氨水溶解钨酸、钼酸，滤液经蒸干、灼烧，以氢氟酸除硅，再灼烧后称量三氧化钨及三氧化钼合量；然后加入氢氧化钠溶解三氧化钨及三氧化钼，用硫氰酸盐吸光光度法测定重量中三氧化钼量；最后用硫氰酸盐吸光光度法测定残渣及滤液中三氧化钨的质量分数，补正结果本发明克服了三氧化钨常规分析方法中常因钼的影响而使钨的测定结果明显偏高或偏低，且不稳定的缺点，提供了一种简便易行、准确稳定的分析检测高钼钨矿石中三氧化钼和/或三氧化钨含量的方法。
高钼钨矿石氧化钼氧化钨含量测定方法

[发明专利]一种铂/三氧化钨/硅铝氧化物复合物及其制备方法与应用-CN202110556412.3在审
发明人：施梦晨;梁明会 -专利权人：江阴精醇新材料科技有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：本发明涉及一种铂/三氧化钨/硅铝氧化物复合物及其制备方法与应用，本发明分别制备铂胶体和三氧化钨胶体，再将铂胶体和三氧化钨胶体混合后加入硅铝氧化物，得到铂/三氧化钨/硅铝氧化物复合物，制备方法非常简单，易于重复和控制；本发明所制备的铂/三氧化钨/硅铝氧化物复合物中铂纳米粒子与三氧化钨纳米粒子间有很好的结合，作为催化剂应用在多元醇选择性氢解反应中，有更高的多元醇转化率和选择性，且重复性好。
一种氧化钨氧化物复合物及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化钨多电阻态调控方法-CN202310599969.4在审
发明人：于浦;张帆 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种氧化钨多电阻态调控方法，所述方法包括：将氧化钨置于包括氢气的气体环境中，所述氢气的含量为3vol.％至100vol.％；向针尖状电极施加不同的电压与所述氧化钨形成不同的偏压；所述氧化钨与所述针尖状电极接触，在氧化钨中引入氢离子或者将氧化钨中的氢离子移出。三氧化钨是一种绝缘的氧化物，由于电子掺杂作用，随着注入氢离子的浓度或计量提高，其电阻降低。本申请通过控制针尖状电极上电压正负、大小和反应时间，可以调节三氧化钨中的氢离子浓度，进而精准控制三氧化钨的电阻，实现多阻态的调控。
一种氧化钨电阻调控方法

[发明专利]具隔热抗污的涂料组成物、其制备方法及具有隔热抗污涂料组成物的薄膜与透光板-CN201610036550.8有效
发明人：钟智翰 -专利权人：富创国际顾问有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明涉及具隔热抗污的涂料组成物、其制备方法及具有隔热抗污涂料组成物的薄膜与透光板。具体提供一种具隔热抗污的涂料组成物，其包含聚硅氮烷、金属氧化钨及溶剂，其中金属氧化钨含量占聚硅氮烷与金属氧化钨总和的重量百分比为0.01％至50％。本发明另提供一种制备隔热抗污薄膜的方法及其薄膜或透光板，以达成抗污、隔热且高透光性的效果。
隔热涂料组成制备方法具有薄膜透光

[实用新型]用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件-CN201220729968.4有效
发明人：胡明;李明达;马双云;闫文君;曾鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件，硅基片衬底为n型单晶硅基片，硅基片衬底的上面设置有多孔硅层，该多孔硅层的平均孔径为170.28nm，厚度为68.78μm，多孔硅层的上面设置有氧化钨薄膜，薄膜厚度为35nm，所述多孔硅层与氧化钨薄膜形成多孔硅基氧化钨纳米复合结构；氧化钨薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型在室温下即可对超低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性，响应/恢复时间短，稳定性好，且体积小巧、结构简单、工艺成熟、价格低廉，有望在气敏传感器领域获得推广应用。
用于室温检测浓度氧化物气体元件

[发明专利]五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用-CN202210346612.0在审
发明人：王朋;刘粲;魏亚菊;林宇昊;吴越;吴小平;崔灿 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明涉及五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用，方法包括：一、将金属氧化物粉末和五价金属元素氧化物研磨混合，并置于蒸发舟中，其中，五价金属元素氧化物包括五氧化二钒粉末、氧化铌粉末或氧化钽粉末，金属氧化物粉末包括三氧化钨粉末或三氧化钼粉末；二、将衬底插入热蒸发设备腔体顶部的样品槽中；三、将腔体抽真空，直到真空度小于10‑3Pa；四、缓慢增加电流到90A后，打开挡板开始蒸镀，蒸镀一定厚度后关闭挡板，然后关闭电源，自然冷却后取出样品，即可得到五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜，五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜包括钒、铌或钽掺杂的氧化钨薄膜，以及钒、铌或钽掺杂的氧化钼薄膜有效减少氧化钼或氧化钨中的氧空位。
金属元素掺杂金属氧化物薄膜制备方法应用